Firmenblog über ST-Leistungstransistoren liefern: IGBT, Leistungs-Bipolartransistoren, Leistungs-MOSFETs, GaN, SiC-MOSFETs

Liefern Sie ST-Leistungstransistoren: IGBT, Power Bipolar, Power MOSFETs, GaN, SiC MOSFETs

Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.,ein weltweit renommierter, autorisierter unabhängiger Distributor für elektronische Bauteile, hält an seinem Engagement fest, Kunden weltweit erstklassige Produktlösungen anzubieten.

Unser Kernproduktportfolio umfasst:5G-Chips, New-Energy-ICs, IoT-ICs, Bluetooth-ICs, Telematik-ICs, Automotive-ICs, Kommunikations-ICs, KI-ICs, Speicher-ICs, Sensor-ICs, Mikrocontroller-ICs, Transceiver-ICs, Ethernet-ICs, WiFi-Chips, drahtlose Kommunikationsmodule, Steckverbinder und andere elektronische Bauteile.

Anwendungsbereiche:Unsere Produkte werden in zahlreichen Sektoren eingesetzt, darunter Automobil, Kommunikationsausrüstung, Computer, Unterhaltungselektronik, medizinische Geräte, Audiogeräte, Videodisplay-Instrumente, Kommunikationssysteme und Automobil-Netzteile.

Servicephilosophie:Unter dem Prinzip ‘Kunden bedienen und Wert liefern’ bieten wir unseren Kunden vielfältige, hochwertige elektronische Bauteile.

【IGBTs】

Durchbruchspannungen von 300 bis 1700 V. Niedrige VCE(SAT) für reduzierte Verlustleistung. Verbesserte Abschaltenergieverteilung im Vergleich zu steigender Temperatur.

Produkttypen

ST bietet eine umfangreiche Palette an Power-IGBTs für jeden Spannungsbereich in Industrie- und Automobilanwendungen.

STPOWER 300-400 V (geklemmte) IGBTs

Diese IGBTs werden als Spulentreiber für Hochleistungs-Zündsysteme in Autos verwendet und sind in verschiedenen Klemmspannungen (mit typischen Werten von 350 bis 410 V) und Stromstärken (von 10 bis 30 A) erhältlich.

STPOWER 600-750 V IGBTs

ST 600, 650 und 750 V IGBTs liefern einen maximalen Kollektorstrombereich von bis zu 320 A für Anwendungen mit einer Betriebsfrequenz von bis zu 100 kHz.

STPOWER 1200-1350 V IGBTs

ST-IGBTs mit einer Nennspannung von 1200 V oder mehr, für einen maximalen Strom von 3 bis 75 A in verschiedenen diskreten Gehäusen für Anwendungen mit einer Betriebsfrequenz von bis zu 100 kHz.

STPOWER IGBTs Bare Die bis zu 1700 V

Bare Die IGBTs sind in verschiedenen Kompromissen erhältlich, mit einer maximalen Spannung von 1700 V und einem Kollektorstrom von bis zu 200 A, für eine Vielzahl von Anwendungen wie Motorsteuerung, Servoantriebe, Schweißen, Solar und Traktionswechselrichter für Industrie- und Automobilanwendungen.

【Power Bipolar】

Eine breite Palette, die Darlington-Transistoren und BJTs mit einer VCES von 15 bis 1700 V umfasst.

Hauptmerkmale der bipolaren NPN/PNP-Transistoren von ST

Schnelle Schaltzeiten und sehr niedrige Sättigungsspannung, was zu reduzierten Schalt- und Verlustleistungen führt

Integrierte Diodenversionen zur Reduzierung der Bauteilanzahl

Gut kontrollierter hFE-Parameter für erhöhte Zuverlässigkeit

Bestes Kosten-Leistungs-Verhältnis

【Power MOSFETs】

Breiter Bereich von Durchbruchspannungen von -100 bis 1700 V, mit geringer Gate-Ladung und geringem Einschaltwiderstand, kombiniert mit modernsten Gehäusen.

Produkttypen

ST bietet eine beeindruckende Palette an Power-MOSFETs für jeden Spannungsbereich in Industrie- und Automobilanwendungen, wie z. B. Schaltnetzteile (SMPS), Beleuchtung, Motorsteuerung, Energieerzeugung & Elektromobilität, Fahrwerk & Sicherheit sowie Karosserie & Komfort.

20V-30V Niederspannungs-MOSFETs

Entdecken Sie unsere STripFET-Niederspannungs-Power-MOSFETs mit geringer Gate-Ladung und geringem Einschaltwiderstand, kombiniert mit einer geeigneten Gehäuselösung.

STPOWER N-Kanal-MOSFETs > 30V bis 200V

Entdecken Sie unser Mittelspannungs-STripFET-N-Kanal-Power-MOSFET-Portfolio, erhältlich in einer breiten Palette von Miniatur- und Hochleistungsgehäusen.

STPOWER N-Kanal-MOSFETs > 200V bis 700V

STs neueste Super-Junction-Technologie, zugeschnitten auf hartes Schalten und Resonanztopologien, geeignet für Hochleistungsanwendungen.

> 700V-1700V HV- und VHV-MOSFETs

Entdecken Sie unsere MDmesh-Hochspannungs- und Sehr-Hochspannungs-Power-MOSFETs mit verbesserter Leistungsfähigkeit, was zu hocheffizienten Lösungen führt.

P-Kanal-MOSFETs

Entdecken Sie unsere STripFET-P-Kanal-MOSFETs, erhältlich in sehr kleinen Gehäusebauformen und kürzlich erweitert um neue Trench-Gate-Bauelemente.

【GaN-Transistoren】

Die GaN-Technologie zeichnet sich in Hochfrequenzanwendungen aus und bietet überlegene Effizienz, hohe Leistungsdichte und extrem schnelles Schalten.

【SiC-MOSFETs】

Von 650 bis 2200 V verbessern SiC-MOSFETs die Leistungseffizienz, ermöglichen kompaktere und leichtere Systeme und sind ideal für Hochspannungs-Hochleistungsanwendungen.

Die Hauptmerkmale unserer SiC-MOSFETs umfassen:

Automobil-Qualitätsbauteile (AG)

Sehr hohe Temperaturfestigkeit (max. TJ = 200 °C)

Sehr hoher Schaltfrequenzbetrieb und sehr geringe Schaltverluste

Niedriger Einschaltwiderstand

Gate-Ansteuerung kompatibel mit bestehenden ICs

Sehr schnelle und robuste intrinsische Körperdiode