Firmenblog über Versorgung ST Low Side Switch IC, Versorgung VND5N07TR OMNIFET II Serie Vollständig selbstgeschützter Leistungs-MOSFET

Liefern ST Low Side Switch IC, Versorgung VND5N07TR OMNIFET II Serie Vollständig selbstgeschützter Leistungs-MOSFET

VND5N07TR OMNIFET II: Vollautomatische Schutz-Leistungs-MOSFET Low-Side-Switch-Lösung

VND5N07TR Produktübersicht und Hauptmerkmale:
Der VND5N07TR ist ein einkanaliger intelligenter Leistungsschalter, der auf der VIPower M0-3-Technologie von STMicroelectronics basiert und in einem DPAK (TO-252-3) oberflächenmontierbaren Gehäuse verpackt ist. Der VND5N07TR integriert einen N-Kanal-Leistungs-MOSFET, eine Ansteuerelektronik und umfassende Schutzfunktionsmodule, wodurch ein direkter Ersatz für herkömmliche MOSFET-Lösungen ermöglicht wird.

Das innovative Merkmal des VND5N07TR liegt in seiner ‘Selbstschutz’-Architektur, die mehrere Fehlerschutzfunktionen ermöglicht, ohne dass externe Überwachungsschaltungen erforderlich sind, was das Systemdesign erheblich vereinfacht.

Das VND5N07TR-Gerät arbeitet in einem Temperaturbereich von -40°C bis +150°C und entspricht dem Automotive-Grade-Zertifizierungsstandard AEC-Q101, wodurch ein stabiler Betrieb in rauen Umgebungen gewährleistet wird.

Das Gehäusedesign des VND5N07TR optimiert die thermische Leistung mit einer Verlustleistung von 60 W, wodurch es in der Lage ist, hohe Stoßstromlasten zu bewältigen. Das VND5N07TR-Produkt ist in Band und Rolle (TR) verpackt, was es für automatisierte SMT-Produktionslinien geeignet macht und die Effizienz der Großserienfertigung erhöht.

VND5N07TR Detaillierte technische Spezifikationen
Der VND5N07TR erreicht ein präzises Gleichgewicht in der elektrischen Leistung und erfüllt hohe Leistungsanforderungen bei gleichzeitiger Beibehaltung geringer Verlustmerkmale. Im Folgenden sind die wichtigsten technischen Parameter des VND5N07TR aufgeführt:
Spannungsmerkmale
Lastspannung: 55V
Drain-Source-Durchbruchspannung: 70V

Strommerkmale
Dauer-Ausgangsstrom: 3,5A
Spitzen-Ausgangsstrom: 5,0A
Strombegrenzungsschwelle: 5,0A
Leitungsmerkmale
Leitungswiderstand: 200 mΩ

Gate-Ladung: 18 nC
Schalteigenschaften
Typische Einschaltverzögerungszeit: 50-150 ns
Typische Ausschaltverzögerungszeit: 150-3900 ns
Thermische Leistung
Verlustleistung: 60W
Betriebsübergangstemperatur: -40~+150°C

Der typische Einschaltwiderstand des VND5N07TR beträgt nur 200 mΩ (maximal), was zu einer Verlustleistung von nur 5 W unter einer 5 A Lastbedingung führt und die Komplexität des thermischen Managements des Systems erheblich reduziert. Das Schaltzeitverhalten des VND5N07TR-Geräts wurde optimiert, mit einer Anstiegszeit von 60–400 ns und einer Abfallzeit von 40–1100 ns, wodurch Schaltverluste mit EMI-Leistung in Einklang gebracht werden.

Bemerkenswert ist, dass das VND5N07TR-Produkt eine nicht-invertierende Eingangssignalverarbeitung (Aktivierung bei hohem Pegel) verwendet und die direkte Ansteuerung bei 3 V bis 5 V CMOS/TTL-Pegeln unterstützt, ohne dass zusätzliche Pegelumwandlungsschaltungen erforderlich sind. Sein statischer Strom ist extrem niedrig, was ihn besonders für batteriebetriebene Anwendungen geeignet macht

VND5N07TR Blockdiagramm:

VND5N07TR ist ein monolithisches Bauelement, das mit der STMicroelectronics®VIPower®M0-Technologie entwickelt wurde und für den Ersatz von Standard-Leistungs-MOSFETs in Anwendungen von DC bis 50 kHz vorgesehen ist. Der VND5N07TR verfügt über einen integrierten Thermoschutz, eine lineare Strombegrenzung und eine Überspannungsklemme, die den Chip in rauen Umgebungen schützt. Das Fehlerrücksignal des VND5N07TR kann durch Überwachung der Spannung am Eingangspin erkannt werden.

【Mingjiada Electronics】liefert seit langem ST (VND5N07TR) OMNIFET II™-Serie vollautomatische Schutz-Leistungs-MOSFETs. Für weitere Produktinformationen zum VND5N07TR oder Preisanfragen besuchen Sie bitte die offizielle Website von Mingjiada Electronics (https://www.integrated-ic.com/) für Details.