Firmenblog über Versorgung mit ST GaN Power IC:Integrierte Smart GaN,STDRIVE GaN-Treiber,Hochspannungs-GaN-Konverter

Versorgung mit ST GaN Power IC:Integrierte Smart GaN,STDRIVE GaN-Treiber,Hochspannungs-GaN-Konverter

Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd. wurde von der chinesischen Behörde für die elektronische Ausrüstung und -technologie ermittelt.ist ein bekannter Händler von elektronischen Komponenten und bietet viele Arten von elektronischen Produkten an.

Versorgungsvorteile:
1. Reiches Produktangebot: IC-Chips, Sensoren, Ethernet, IGBT-Module, KI-Künstliche Intelligenz, Mikrocontroller, IoT usw. mit einem breiten Angebot, um den unterschiedlichen Bedürfnissen der Kunden gerecht zu werden.
2. Stabile Versorgungskanäle: Das Unternehmen verfügt über einen stabilen und zuverlässigen Versorgungskanal, um die Stabilität und Zuverlässigkeit der Produktversorgung sicherzustellen.
3Qualitätssicherung: We have established close cooperative relationships with globally renowned electronic component manufacturers to ensure that the supplied components come from legitimate channels and have reliable quality.
4.Großer Vorteil der Lagerbestände: hat bis zu 1 Million Vorteilmodelle für Lagerbestände, die schnell auf die Kundenbedürfnisse reagieren und die Wartezeit verkürzen können.
5.Reasonable Price: Mit enger Zusammenarbeit mit Lieferanten und effizientem Supply Chain Management können wir Ihnen wettbewerbsfähige Preise anbieten.

Integrierte Smart GaNs
Galliumnitrid (GaN) revolutioniert die Welt der Energietechnik, indem es mit Silizium-MOSFETs hohe Geschwindigkeit, höhere Effizienz und höhere Leistungsdichte ermöglicht, die bisher nie möglich waren.Integration von GaN-Transistoren und Gate-Drivers, bieten unsere fortschrittlichen MasterGaN-Systeme hohe Effizienz aufgrund ihrer optimierten Gate-Drive-Layout, hohe Leistungsdichte und erhöhte Schaltfrequenz aufgrund von minimalen parasitären Effekten.

STDRIVE® GaN-Treiber
Die GaN-Treiber-Geräte sind Halbbrücken-Treiber für Verstärkungsmodus-GaN-FETs oder N-Kanal-Power-MOSFETs.

Hochspannungs-GaN-Wandler
Die Hochspannungsstromwandler werden durch die Einführung der GaN-HEMT-Technologie (High-Electron-Mobility Transistor) erweitert.höhere Effizienz, eine höhere Schaltfrequenz und damit kleinere und leichtere Leiterplatten, wodurch die Konstruktion von SMPS vereinfacht und die Gesamtleistung verbessert wird.