Firmenblog über [Lieferung von Siliziumkarbid-MOSFETs] C3M0016120D 1,2kV 15mOHMS G3 SiC-MOSFETs

Shenzhen Mingjiaoda Electronics Co., Ltd [Lieferung von Siliziumkarbid-MOSFET] Importierte Original-C3M0016120D 1,2kV 15mOHMS G3 SiC-MOSFET durch Loch N Kanal 1200 V 115A ((Tc) 556W ((Tc) TO-247-3

Beschreibung des Produkts:

Wolfspeed SiC C3M MOSFETs ermöglichen höhere Schaltfrequenzen und reduzierte Gerätengröße für Induktoren, Kondensatoren, Filter und Transformatoren.SiC-C3M-MOSFETs bieten eine höhere Systemeffizienz und geringere KühlanforderungenDie MOSFETs erhöhen auch die Leistungsdichte und die Umwandlungsfrequenz des Systems.

C3M0016120D Ein Siliziumkarbid-MOSFET mit C3MTM-MOSFET-Technologie N-Kanal-Verbesserungsmodus.

Spezifikationen des Produkts:

Hersteller:Wolfspeed

Produktkategorie: MOSFETs aus Siliziumkarbid

Kanalmodus: Erweiterung

Konfiguration: Einfach

Ausfallzeit: 27 ms

Vorwärtstransleitfähigkeit - min: 53 S

Id-kontinuierlicher Abfluss: 115 A

Höchstbetriebstemperatur: + 175 °C

Mindestbetriebstemperatur: - 40 C

Montage: Durch ein Loch

Anzahl der Kanäle: 1 Kanal

Paket / Fall: TO-247-3

Pd-Leistungsauflösung: 556 W

Produktart: SiC-MOSFETEN

Qg-Gate-Lade: 207 nC

Rds An- und Abflusswiderstand: 22,3 mOhms

Aufstiegszeit: 28 ns

Fabrikpaket Menge: 30

Unterkategorie: Transistoren

Technologie: SiC

Polarität des Transistors: N-Kanal

Typische Ausfallverzögerungszeit: 84 ns

Typische Einstiegsverzögerungszeit: 174 ns

Vds - Ausfallspannung der Abflussquelle: 1,2 kV

Vgs - Spannung der Torquelle: - 8 V + 19 V

Vgs th - Schwellenspannung der Torquelle: 1,8 V

Einheitsgewicht: 6 g

Wenn Sie interessiert sind, rufen Sie bitte Herrn Chen an:

Tel: +86 134101018555

E-Mail: sales@hkmjd.com

Firmen-Homepage:Die Kommission hat die Kommission aufgefordert,