Firmenblog über Lieferung von ROHM-Gate-Treibern:Isolierter Gate-Treibern,IGBT/MOSFET High/Low Side Gate-Treibern

Lieferung von ROHM-Gate-Treibern:Isolierter Gate-Treibern,IGBT/MOSFET High/Low Side Gate-Treibern

Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd. wurde von der chinesischen Behörde für die elektronische Ausrüstung und -technologie ermittelt.Wir sind ein renommierter Händler von elektronischen Komponenten, der mit langjähriger Erfahrung im Bereich der elektronischen Komponenten einen langfristigen Vorrat an Originalprodukten auf Lager hält.Einhaltung des Prinzips "Dienen und Nutzen für unsere Kunden", bieten wir eine breite Palette an hochwertigen elektronischen Komponenten.

Hauptvorteile bei der Versorgung

Garantie für das Originalprodukt: Erhältlich über autorisierte Fabrikkanäle; die gesamte Produktpalette wird bei der Lagerung einer Qualitätsprüfung durch die Fabrik unterzogen;neue Teile oder Bauteile aus demontierten Einheiten sind streng ausgeschlossen.Jede Sendung ist von der Originalfabrikdokumentation und -spezifikation begleitet; die Rückverfolgbarkeit der Fabrik ist vorgesehen, um die Anforderungen an die Qualitätskontrolle bei der Serienproduktion zu erfüllen;

Ausreichende Lagerbestände: Unsere zwei Lager in Shenzhen und Hong Kong haben das ganze Jahr über ausreichend Lagerbestände.Großhandelsbestellungen werden innerhalb von 48 Stunden bearbeitet und versendet., um Kundenprobleme bei Lagerknappheit und Versorgungsstörungen wirksam zu lösen;

Flexible Beschaffungsmodelle: Wir bieten drei kostenlose Lösungen an: Kleinserienprobenprüfung (Engineering Prototyping), Versuchsproduktion in Kleinserien und Massenbeschaffung per Walze oder Palette,Gleichzeitig erfüllen sie die Anforderungen an die Massenproduktion.

I. Produktübersicht und technische Architektur

ROHM nutzt seine proprietäre SOI-Hochspannungs-Integrierten Schaltkreis-Prozess und On-Chip-Transformator Isolations-Technologie,hat eine umfassende Produktpalette für Gate-Driver eingerichtet, die sowohl nicht isolierte High-Side- als auch Low-Side-Drivers und isolierte Drivers abdecktDieser Bereich ist voll kompatibel mit Leistungseinrichtungen wie Silizium-basierten MOSFETs, IGBTs, Halbleiter-SiC-MOSFETs der dritten Generation und GaN-HEMTs.Während die unterstützten Topologien die gängigen Leistungskonvertierungsarchitekturen wie Half-Bridge abdecken, Vollbrücke, Dreiphasenumrichter, synchrone Berichtigung und DC-DC-Buck-Boost-Umrichter.

Die Produktpalette gliedert sich nach der Architektur der elektrischen Isolierung in zwei Hauptkategorien:

Isolierte Gate-Treiber (BM61/BM6GD-Serie): mit einem integrierten On-Chip-Transformator zur vollständigen elektrischen Isolierung zwischen der primären Steuerung und der sekundären Stromversorgung.Die Nennspannung für Isolierungen umfasst zwei Ebenen.: 2500 Vrms und 3750 Vrms, die der Isolationsnorm UL 1577 entsprechen.mit einer Leistung von mehr als 50 Watt, Anwendungen für hohe Sicherheitsniveaus und für die funktionelle Sicherheit im Automobilbereich.

IGBT/MOSFET High-Side/Low-Side Gate Drivers (HVIC der BM60/BS/BD-Serie): Mit einer Bootstrap-Floating-Ground-Architekturder hochseitige Kanal wird über eine schwimmende Erdstromversorgung mit einer Bootstrap-Diode und einem Bootstrap-Kondensator versorgt, während eine integrierte Hochspannungs-Levelverschiebungsschaltung 3,3 V/5 V-Logiksignale auf die Hochspannungsseite überträgt.Ein einzelner Chip liefert gleichzeitig Antriebssignale auf der oberen und unteren Seite, bietet niedrige BOM-Kosten und eine hohe Integration und ist speziell für Halbbrücken- und Dreiphasenbrücken-Topologien optimiert.

II. eingehende Analyse der Produktlinie Isolated Gate Driver

1. BM61S-Serie Universal Automotive-Grade Isolated Drivers für SiC/IGBT (3750Vrms)

Repräsentative Modelle: BM61S40RFV-C (Einkanal), BM61S41RFV-C (Zwei-Kanal-Ober- und Unterseite)

Die BM61S-Serie umfasst ROHM's isolierte Tor-Treiber für die Automobilindustrie, die für SiC-MOSFETs der dritten Generation und Hochspannungs-IGBTs optimiert sind.Sie sind nach den Automobilnormen AEC-Q100 Grade 1 zertifiziert und unterstützen die Analyse der funktionalen Sicherheit (FS-Support). mit einer Ausgangsantriebsfähigkeit von ± 4 A und einem Sekundärspannungsbereich von 16 V bis 24 V,die Serie ist perfekt auf die typischen Antriebsspannungsanforderungen von SiC-MOSFETs der dritten Generation von 18 V abgestimmt, während sie auch rückwärtskompatibel mit den 15V-Antriebsstufen von IGBTs und den 12V-Antriebsstufen von Silizium-MOSFETs ist.

Diese Reihe von E/A-Geräten verfügt über eine maximale Ausbreitungsverzögerung von nur 65 ns und eine minimale Eingangspulsbreite von 60 ns, die Hochfrequenz-Schaltanwendungen unterstützt.In Bezug auf die Schutzfunktionen, die Vorrichtung verfügt über eine doppelte Unterspannungssperre (UVLO) sowohl auf der Eingangs- als auch auf der Ausgangsseite, einen Ausgangsüberspannungsschutz (OVP) und eine aktive Miller-Klemme,Das zieht das Torpotenzial zum Zeitpunkt des Abschaltens gewaltsam nach unten., wodurch die falsche Auslösung des durch Millerstrom verursachten gegenüberliegenden Transistors vollständig eliminiert wird.Das Dual-Channel-Modell BM61S41RFV-C kann sowohl die hochseitigen als auch die niedrigen Stromversorgungseinrichtungen einer Halbbrückenkonfiguration direkt von einem einzigen Chip aus antreiben, wodurch die Notwendigkeit von zwei isolierten Einkanal-Treibern und einer externen isolierten Stromversorgung beseitigt wird, wodurch die PCB-Fläche erheblich reduziert wird.

Anwendungen: für Automobil-Hauptantriebsumrichter, Bordladegeräte (OBC) und Gleichstrom-Gleichstrom-Boostumrichter ausgelegt;geeignet für 1500-Volt-Photovoltaik-String-Wechselrichter und bidirektionale Leistungsumrichter (PCS) zur kommerziellen und industriellen Energiespeicherung; geeignet für industrielle SiC-Leistungsmodule mit 1200 V.

2. BM61M-Serie Allzweck-Industrie isolierte Antriebe (3750Vrms / 2500Vrms)

Repräsentative Modelle: BM61M41RFV-C (3750Vrms Einzelkanal), BM61M22BFJ-C (2500Vrms Einzelkanal)

Der BM61M41RFV-C verfügt über eine Isolationsspannung von 3750Vrms und einen Ausgangsantrieb von ±4A; Sekundärspannung von 9V bis 24V, maximale I/O-Verzögerung von 65ns,Mindesteingabeimpulsbreite von 60 nsDas Gerät ist in einem SSOP-B10W-Paket untergebracht und ist eine vielseitige Option für die Isolierung von Si-MOSFETs und IGBTs in industrieller Qualität.

Der BM61M22BFJ-C hingegen ist mit einer Isolierung von 2500 Vrms, einer maximalen I/O-Verzögerung von 60 ns und einer Mindesteingabeimpulsbreite von 60 ns ausgestattet.Es verfügt über einen eingebauten Niederspannungs-UVLO-Schutz und ist in einem kompakten SOP-JW8-Paket untergebracht, so dass es für IGBT- und Silizium-MOSFET-Gate-Treiber in räumlich eingeschränkter industrieller Stromversorgung und Wechselrichterkonstruktionen geeignet ist.

Anwendungen: Geeignet für industrielle Variable Frequency Drives, UPS (ununterbrochene Stromversorgung), Wechselrichter in Schweißmaschinen,mit einer Leistung von mehr als 100 W und einer Leistung von mehr als 100 W.

3. BM6112 Serie Multifunktionelle isolierte Fahrer mit umfassendem Schutz (3750 Vrms)

Vertretermodelle: BM6112HFV-C, BM6112AFV-C

Die BM6112-Serie ist die Produktlinie von ROHM mit isolierten Treibern, die das umfassendste Spektrum an Schutzfunktionen bieten, mit einer Isolationsspannung von 3750 Vrms und einer I/O-Verzögerung von 150 ns.Diese Serie integriert mehrere Funktionen, darunter Fehlersignalausgang, bereit-Signal-Ausgang, Unterspannung-Lock-out (UVLO), Kurzschluss-Schutz (SCP), aktive Miller-Clamping,Rückkopplung des Ausgangsstatus und Temperaturüberwachung (Temp Monitor), so dass es für IGBT-Antriebe mit hoher Leistung geeignet ist, bei denen Zuverlässigkeit und Diagnose unerlässlich sind.

Anwendungen: Geeignet für leistungsstarke industrielle Wechselrichter, Energiespeicherkonverter und die Hauptsteuerungsstufen von Motorantrieben.

4. BM6108FV-LB ?? Mehrfunktionsfahrzeug mit Abspannung (2500 Vrms)

Repräsentatives Modell: BM6108FV-LB

Der BM6108FV-LB verfügt über eine Isolationsleistung von 2500Vrms und einen Ausgangsantrieb von ±3A.Die Sekundärseite unterstützt bipolare Antriebsausgänge von 10V bis 24V (positiv) und -12V bis 0V (negativ)Dieses Modell integriert DESAT Desaturation Kurzschlussdetektion, Soft Turn-Off nach Kurzschlussdetektion,Temperaturüberwachung und externe MOSFET-Millerspannung, mit UVLO-Schwellenwerten von 9,05 V/9,55 V. In einem SSOP-B20W-Paket untergebracht, bietet es eine sehr zuverlässige Lösung zum Antrieb von Hochleistungs-IGBT-Modulen.

Anwendungen: Geeignet zur Antriebsleistung von Hochleistungs-IGBT-Modulen, industriellen Motorumrichtern und zentralisierten Photovoltaikumrichtern.

5. BM6GD-Serie Dedicated Isolated Drivers für GaN HEMTs (2500 Vrms)

Repräsentatives Modell: BM6GD11BFJ-LB

Der BM6GD11BFJ-LB ist der erste isolierte Gate-Treiber von ROHM, der für Hochspannungs-GaN-HEMT optimiert wurde und für die Massenproduktion für 2025 geplant ist.eine maximale I/O-Verzögerung von 60 ns, eine minimale Eingangspulsbreite von 65 ns (ein Rückgang um 33% im Vergleich zu früheren Produkten) und unterstützt eine Ultrhochfrequenzschaltung bis zu 2 MHz.

Dieses Modell verfügt über eine Konstruktion mit separaten Torladungs-/Entladungspins (unabhängige Quelle- und Spülpins), so dass die Steigungs- und Abfallkanten abhängig über externe Widerstände eingestellt werden können.mit einer Leistung von mehr als 100 W und einer Leistung von mehr als 100 W,. Die Common-Mode Transient Immunity (CMTI) erreicht 150 V/ns, das ist das 1,5fache der bisherigen Produkte und verhindert effektiv eine falsche Auslösung durch die hohen Schaltraten von GaN HEMT.Es verfügt über einen eingebauten UVLO-Schutz und ist in einem SOP-JW8-Paket (4.9 mm × 6 mm × 1,65 mm).

Anwendungen: Geeignet für Server mit hoher Dichte, hochleistungsfähige industrielle Schnellladegeräte, AC-DC-Adapter und GaN-basierte Hochfrequenzstromumwandlung;mit einer Breite von mehr als 20 mm,.

III. Vertiefte Analyse der IGBT/MOSFET High-Side/Low-Side-Gate-Treiber-Produktlinie

1. BM6021x-Serie 1200V High-Side- und Low-Side-Treiber für die Automobilindustrie

Repräsentative Modelle: BM60212FV-C (mit Millerspange), BM60213FV-C (Grundtyp)

Der BM60212FV-C ist das Flaggschiffmodell von ROHM in der Reihe der 1200V-High-Side-/Low-Side-Gate-Treiber.ist AEC-Q100-Zertifizierung für die Automobilindustrie erhalten, und unterstützt die Funktionssicherheitsanalyse. Der Versorgungsspannungsbereich beträgt 10 V bis 24 V, mit einem Spitzenausgangsstrom von 4,5 A (Sink) / 3,9 A (Quelle).und das Gerät mit 3.3V und 5V MCU Logik-Eingänge.

In Bezug auf die Schutzmerkmale integriert der BM60212FV-C eine Unterspannungssperre (UVLO) sowohl auf den VCCA- als auch auf den VCCB-Leistungsschienen und beinhaltet eine aktive Miller-Klemme.Die logische Steuerung der Ausgabe erfolgt über drei Eingangssignale (EN), INA, INB), die einen Hardware-Schutz vor Durchschnitts-Kurzschlüssen bieten, die durch gleichzeitige Leitung der Hochseite und der Niedrigseite verursacht werden.Es befindet sich in einem SSOP-B20W-Paket und arbeitet in einem Temperaturbereich von ¥40°C bis 125°C.

Der BM60213FV-C ist das Basismodell derselben Serie und verfügt über eine 1200V-Floating-Ground-Widerstandsspannung, eine maximale Schaltzeit von 75 ns, eine minimale Eingabeimpulsbreite von 60 ns und einen eingebauten UVLO.Aber..., enthält es keine Millerspange und ist derzeit als nicht für neue Konstruktionen empfohlen gekennzeichnet.

Anwendungen: Für Fahrzeugladegeräte (OBC) und Inverter im Fahrzeug; geeignet für industrielle 1200V IGBT-Halbbrückenkreise, UPS-Systeme und Schweißmaschinen.

2. BS-Serie 600V allgemeine Hoch-/Niedrigstriebwerke

Repräsentatives Modell: BS2114F

Der BS2114F ist als Allzweck-Hochseiten-/Niedrigseiten-Tor-Treiber der Klasse 600V mit einer Schwimmbodenstandspannung von 625V und einem Ausgangsantriebsstrom von ±500mA positioniert.Es integriert eine feste 160ns toten Zeit und Stromversorgung UVLO Schutz, und ist in einem kompakten SOP8-Paket untergebracht, wodurch es die Standardwahl für kostensensitive, mittel- bis niedrigleistungsfähige Halbbrückenanwendungen ist.

Anwendungen: Geeignet für Haushaltsumrichter, kleine photovoltaische Mikroumrichter und 48-Volt-Energiespeicher-Gleichstrom-Gleichstrom-Umrichter.

3. BD-Serie Einkanal-Low-Side- und Dreiphasen-Integrierte Treiber

Repräsentative Modelle: BD2310G (Einkanal-Unterseite), BD2320UEFJ-LA (Einkanal für den Automobilbereich), BD67871MWV-Z (dreiphasige Integration)

Der BD2310G ist ein Einkanal-Gate-Treiber mit einer reinen Low-Side-Architektur, der einen Ausgangsantrieb von ±4A liefert, mit einer VCC-Versorgungsspannung von 4,5V bis 18V und Logik-Eingängen von 2,0V bis 5,5V.Es erreicht eine Schaltgeschwindigkeit von 15 ns und ist in einem ultra-kompakten SSOP5-Paket untergebracht, so dass es für die synchrone Niederspannungskorrektur und das Hilfsschalten von Transistoren mit niedriger Leistung geeignet ist.

Der BD2320UEFJ-LA ist ein Einkanal-Treiber für die Automobilindustrie mit einer Leistung von +3,5A/-4,5A und einem Versorgungsspannungsbereich von 7,5V bis 14,5V.Es ist in einem HTSOP-J8-Paket untergebracht und erfüllt die Zuverlässigkeitsanforderungen für Automobilumgebungen.

Der BD67871MWV-Z ist ein dreiphasiger integrierter High-Side/Low-Side-Treiber.5 V bis 60 VAusgestattet mit ROHM's proprietärer TriC3TM-Technologie zur aktiven Torstromregelung, passt es den Torantriebstrom dynamisch an, um gleichzeitig Schaltverluste und EMI-Ringungen zu reduzieren.Es enthält eine umfassende Reihe von Schutzfunktionen, einschließlich Stillzeitsteuerung, Überstromschutz, Unterspannungssperre und thermische Abschaltung, was es zu einer hochintegrierten Lösung für dreiphasige BLDC-Motorantriebe macht.

Anwendungen: Der BD2310G eignet sich für die synchrone Niederspannungsgerechtigung und den Antrieb von Stromschaltgeräten in Hilfsstromversorgungen von humanoiden Robotern.Der BD67871MWV-Z ist für industrielle BLDC-Motoren geeignet., Elektrowerkzeuge und gemeinsame Servoantriebe in humanoiden Robotern.

IV. Analyse der Kernfunktionen der gesamten Serie

Aktive Miller-Klemme: Der mit der Miller-Kapazität gekoppelte Strom, der zum Zeitpunkt des Ausschaltens von IGBT und SiC MOSFET erzeugt wird, kann leicht dazu führen, dass sich das Stromgerät auf der gegenüberliegenden Seite unbeabsichtigt einschaltet.mit einem Durchmesser von mehr als 20 mm,. ROHM's gesamte Palette von mittleren bis hochwertigen Gate-Treibern verfügt über einen speziellen Miller-Clamp-Stift, der das Tor bei Abschalten gewaltsam auf ein niedriges Potenzial zieht,Vollständige Beseitigung von Miller-induziertem falschem Auslösen und erhebliche Verbesserung der langfristigen Betriebssicherheit von Halbbrücken- und Dreiphasenbrücken-Topologien.

Doppel UVLO (Undervoltage Lockout): Die nicht isolierte Hoch- und Niedrigspannungsserie verfügt über eine unabhängige Niedrigspannungsdetektion an den Hoch- bzw. Niedrigspannungsversorgungen.wenn die Spannung unzureichend ist, ist der Ausgang gesperrt, um zu verhindern, dass sich Leistungseinrichtungen beim Betrieb im linearen Bereich überhitzen und ausbrennen.Die isolierte Serie verfügt über doppelte UVLO sowohl auf der primären Seite Steuerung Seite und die sekundäre Seite Leistung SeiteWenn die Spannung auf beiden Seiten abnormal wird, wird der Treiber sofort ausgeschaltet und eine Fehlermeldung ausgegeben.

Kompatibilität auf breiter Logikebene: Die gesamte Serie unterstützt 3,3V/5V Standard-MCU-Logik am Eingang, während Niederspannungsmodelle mit 2V-Eingängen kompatibel sind,mit einer Leistung von mehr als 50 W und einer Leistung von mehr als 100 W,, Renesas RA und TI C2000, ohne dass zusätzliche Level-shifting-Chips erforderlich sind.

Ein breiter Temperaturbereich: Betriebstemperaturbereich von 40°C bis 105°C für Industrieanlagen; Betriebstemperaturbereich von 40°C bis 125°C für Fahrzeuge der Klasse AEC-Q100,für anspruchsvolle Betriebsbedingungen wie Außenphotovoltaikanlagen, elektrische Antriebe im Automobilbereich, industrielle Servosysteme und humanoide Roboter, die über längere Zeit kontinuierlich arbeiten.

Kurzschlussschutz und Soft Shutdown: Hochwertige isolierte Modelle (z. B. BM6108FV-LB) verfügen über DESAT (Desaturation Short-Circuit Detection),die eine weiche Abschaltsequenz ausführt, wenn die IGBT überstromt, wodurch die Spitzenspannungen des Kollektors unterdrückt und die Leistungsvorrichtungen vor Überspannungsabfällen geschützt werden.