Firmenblog über Versorgung mit Renesas-Leistungsdiskreten: GaN-Leistungsdiskreten, Power-MOSFETs

Liefern von Renesas Power Discretes: GaN Power Discretes, Power MOSFETs

Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.ist ein führender Lieferant in der Elektronikkomponentenindustrie, der seine umfangreiche Branchenerfahrung und globale Lieferkettenressourcen nutzt, um Kunden weltweit hochwertige Dienstleistungen im Bereich der elektronischen Komponenten anzubieten.

Hauptprodukte umfassen:5G-Chips, New-Energy-ICs, IoT-ICs, Bluetooth-ICs, Fahrzeugvernetzung-ICs, Automotive-Grade-ICs, Kommunikations-ICs, künstliche Intelligenz-ICs, Speicher-ICs, Sensor-ICs, Mikrocontroller-ICs, Transceiver-ICs, Ethernet-ICs, WiFi-Chips, drahtlose Kommunikationsmodule, Steckverbinder und andere elektronische Komponenten.

Liefervorteile:

Qualitätssicherung: Alle Modelle stammen von Originalherstellern oder autorisierten Distributoren, mit vollständiger Originalherstellerzertifizierung und Qualitätstraceability-Dienstleistungen.

Flexible Beschaffung: Unterstützt die Beschaffung von Kleinserienmustern und Großbestellungen und bietet wettbewerbsfähige Preisstrategien.

Schnelle Lieferung: Nutzt seinen Hauptsitz in Shenzhen und das globale Logistiknetzwerk, um eine schnelle Auftragsbearbeitung und termingerechte Lieferung zu gewährleisten.

Die Power Discrete-Geräte von Renesas konzentrieren sich auf Anwendungen mit mittlerer bis hoher Leistung in den Bereichen Infrastruktur, Automobil und Industrie.

GaN Power Discretes

Galliumnitrid (GaN) FETs für hohe Schaltfrequenz und Anwendungen mit hoher Leistungsdichte

Renesas ist ein Pionier für Power Galliumnitrid High Electron Mobility Transistors (GaN HEMTs) und liefert zuverlässige, hochleistungsfähige Lösungen für eine Vielzahl von Anwendungen von 25 W bis 10 kW. Mit über 20 Millionen ausgelieferten Hoch- und Niedrigleistungsgeräten haben unsere Produkte zusammen mehr als 300 Milliarden Stunden Feldbetrieb angesammelt. Diese Erfolge werden durch eine einzigartige und grundlegend überlegene Architektur angetrieben, die die inhärenten Leistungsvorteile von GaN nutzt.

Power MOSFETs

MOSFETs für niedrigen Einschaltwiderstand, Hochgeschwindigkeitsschaltung und hohe Robustheit

Die Power MOSFETs von Renesas unterstützen die Miniaturisierung und hohe Effizienz von Systemen. Sie eignen sich für Leistungsumwandlungsanwendungen wie Wechselrichter und Wandler sowie für Lastschalterzwecke und erzielen eine hohe Robustheit. Darüber hinaus engagiert sich Renesas für die Erhöhung der Produktionskapazität durch die Einrichtung einer neuen 12-Zoll-Linie und strebt eine stabile Versorgung an.