Firmenblog über Versorgung mit Renesas AT45DB081E-SHN-T DataFlash 8Mbit SPI-Serielle NOR Flash-Speicher-IC

Versorgung von RenesasDie in Anhang I der Richtlinie 2008/57/EG genannten Vorschriften gelten für die in Anhang I der Richtlinie 2008/57/EG aufgeführten Erzeugnisse.DatenFlash 8Mbit SPI-Serielle NOR Flash-Speicher-IC

[Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd. wurde von der chinesischen Behörde für die elektronische Ausrüstung und -technologie ermittelt.]Langfristige Versorgung (Renesas)Die in Anhang I der Richtlinie 2008/57/EG genannten Vorschriften gelten für die in Anhang I der Richtlinie 2008/57/EG aufgeführten Erzeugnisse.8Mbit DataFlash ¥1.7V bis 3.6V Bereich, SPI-Serielle NOR Flash-Speicher-IC. Im Folgenden finden Sie die Produktinformationen für AT45DB081E-SHN-T DataFlash:

Teilnummer:Die in Anhang I der Richtlinie 2008/57/EG genannten Vorschriften gelten für die in Anhang I der Richtlinie 2008/57/EG aufgeführten Erzeugnisse.

Paket: SOIC-8

Typ: DataFlash SPI serielle oder Flash-Speicher-IC

AT45DB081E-SHN-T DataFlash is a member of our System Enhancing class of code and data storage solutions designed with an advanced dual SRAM buffer architecture that makes it the most efficient memory for data logging.

AT45DB081E-SHN-T beinhaltet auch eine Reihe von erweiterten Funktionen, die Systemleistung sparen, Prozessor-Overhead reduzieren, die Softwareentwicklung vereinfachen,und umfassende Optionen für Datensicherheit und -integrität bieten.

Produktattribute vonDie in Anhang I der Richtlinie 2008/57/EG genannten Vorschriften gelten für die in Anhang I der Richtlinie 2008/57/EG aufgeführten Erzeugnisse.

Speichertypen: nicht flüchtig
Speicherformat: FLASH
Technologie: FLASH
Speichergröße: 8Mbit
Speicherorganisation: 264 Bytes x 4096 Seiten
Speicheroberfläche: SPI
Uhrfrequenz: 85 MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 8μs, 4ms
Spannung - Versorgung: 1,7 V ~ 3,6 V
Betriebstemperatur: -40 °C bis 85 °C (TC)
Anbauart: Oberflächenhalter
Packung / Gehäuse: 8-SOIC (0,209", 5,30 mm Breite)
Ausrüstungspaket des Lieferanten: 8-SOIC

Eigenschaften der AT45DB081E-SHN-T

●Einfach 1,7 V - 3,6 V Versorgung
●Serielle Peripherie-Schnittstelle (SPI) kompatibel
- Unterstützt SPI-Modi 0 und 3
- Unterstützt den Betrieb von RapidS"M
● Kontinuierliche Lesefähigkeit durch das gesamte Array
- Bis zu 85 MHz
- Niedrige Leistungsmessung bis 15 MHz
- Uhrzeit bis zum Ausgang (tv) von maximal 6 ns
●Benutzerkonfiguratorische Seitengröße
- 256 Bytes pro Seite
- 264 Bytes pro Seite (Standard)
- Seitengröße kann für 256 Bytes vorkonfiguriert werden
●Zwei vollständig unabhängige SRAM-Datenpuffer (256/264 Bytes)
- Ermöglicht den Empfang von Daten während der Neuprogrammierung der Hauptspeicher-Array
●Flexible Programmiermöglichkeiten
- Byte/Seite Programm (1 bis 256/264 Bytes) direkt in den Hauptspeicher
- Buffer schreiben
- Buffer zum Hauptspeicher-Seitenprogramm
●Flexible Löschmöglichkeiten
- Seite löschen (256/264 Bytes)
- Löschen von Blöcken (2 kB)
- Sektorlöschen (64 kB)
- Chip Löschen (8 Mbits)
● Programm und Löschen Aussetzen/Wieder aufnehmen
●Erweiterte Hardware- und Software-Datenschutzfunktionen
- Schutz des einzelnen Sektors
- Einzelne Sektorverriegelung, damit jeder Sektor dauerhaft nur für Leser verfügbar ist
●128-Byte, einmalig programmierbares (OTP) Sicherheitsregister
- 64 Bytes Fabrik programmiert mit einer eindeutigen Kennung
- 64 Bytes benutzerprogrammierbar
●Hardware- und softwaregesteuerte Wiederaufsetzungsmöglichkeiten
● JEDEC-Standard Hersteller und Geräte-ID gelesen
●Niedrige Energieabgabe
- 400 nA Ultra-Deep Power-Down Strom (typisch)
- 4,5 μA tiefer Leistungsabfallstrom (typisch)
- 25 μA Standby-Strom (typisch)
- 11 mA Aktiver Lesestrom (typisch bei 20 MHz)
● Langlebigkeit: mindestens 100.000 Programm-/ Löschzyklen pro Seite
●Speicherung der Daten: 20 Jahre
●Erfüllt die Anforderungen des gesamten industriellen Temperaturbereichs

AT45DB081E-SHN-T ist ein Flash-Speicher mit einem Sequenzzugang von mindestens 1,7 V mit serieller Schnittstelle, der sich ideal für eine Vielzahl von Anwendungen für digitale Sprache, Bild, Programmcode und Datenspeicherung eignet.

AT45DB081E-SHN-T unterstützt auch die RapidS-Serienschnittstelle für Anwendungen, die einen sehr hohen Betriebsgeschwindigkeit erfordern.650,752 Bits Speicher sind als 4.096 Seiten von 256 Bytes oder 264 Bytes organisiert.

Zusätzlich zum Hauptspeicher enthält der AT45DB081E-SHN-T auch zwei SRAM-Puffer von jeweils 256/264 Bytes.Die Verknüpfung beider Puffer kann die Fähigkeit eines Systems, einen kontinuierlichen Datenstrom zu schreiben, erheblich erhöhenAußerdem können die SRAM-Puffers als zusätzlicher System-Scratchpad-Speicher verwendet werden,und E2PROM-Emulation (Bit- oder Byte-Veränderbarkeit) kann leicht mit einer in sich geschlossenen dreistufigen Lese-Änderungs-Schreiboperation verarbeitet werden.

Im Gegensatz zu herkömmlichen Flash-Speichern, auf die mit mehreren Adresszeilen und einer parallelen Schnittstelle zufällig zugegriffen wird,Die DataFlash@ nutzt eine serielle Schnittstelle, um auf ihre Daten zuzugreifen.Der einfache sequentielle Zugriff reduziert die Anzahl der aktiven Pins drastisch, erleichtert ein vereinfachtes Hardwarelayout, erhöht die Systemzuverlässigkeit, minimiert Schaltgeräusche und reduziert die Paketgröße.Die AT45DB081E-SHN-T ist für den Einsatz in vielen kommerziellen und industriellen Anwendungen optimiert, wo, geringe Pinzahl, geringe Spannung und geringe Leistung sind unerlässlich.

Hauptmerkmale des AT45DB081E-SHN-T

Mit einem steuerbaren SRAM-Puffer für maximale Flexibilität
Standard-Block-Architektur mit zusätzlichem 256-Byte-Seitenlöschen für energieeffizientes Datenprotokoll
Byte-write bietet Serial EEPROM-Funktionalität in einem Serial NOR Flash-Gerät
Ultra-Deep-Power-Down funktioniert bei > 400nA
Erweiterter Vcc-Betrieb ermöglicht es dem Systemspeicher, über den gesamten Spannungsbereich zu arbeiten
Umfassende Sicherheit und einzigartige ID-Funktionen schützen das Gerät vor Manipulationen von außen

Blokendiagramm von AT45DB081E-SHN-T

Mingjiada Elektronikhat Daten Flash geliefertDie in Anhang I der Richtlinie 2008/57/EG genannten Vorschriften gelten für die in Anhang I der Richtlinie 2008/57/EG aufgeführten Erzeugnisse.Für weitere Informationen über den Speicher AT45DB081E-SHN-T besuchen Sie bitte die offizielle Website von Mingjiada Electronics (Die Kommission hat die Kommission aufgefordert, die folgenden Informationen zu übermitteln:)