Firmenblog über Lieferung/Recycling PUOLOP PTQ45P02 Hochleistungs-MOSFET-Transistor mit 20V 45A P-Kanal-Leistung

Lieferung/Recycling PUOLOPPTQ45P02Hocheffizienter 20V 45A-MOSFET-Transistor mit P-Kanal-Leistung

Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd. wurde von der chinesischen Behörde für die elektronische Ausrüstung und -technologie ermittelt.hat sich durch sein umfangreiches Produktportfolio, seine globale Perspektive und seine professionellen Dienstleistungen als führend im Bereich des Recyclings und Vertriebs elektronischer Komponenten etabliert.

Das Unternehmen liefert und recycelt diePTQ45P02: ein hocheffizientes P-Kanal-Power-MOSFET, das für das Strommanagement in tragbaren Geräten entwickelt wurde.

Die...PTQ45P02ist ein fortschrittlicher MOSFET-Transistor, der entwickelt wurde, um diese Herausforderungen zu bewältigen.8V niedrige Logikwerte, ist es zu einem Kernbestandteil von High-End-Last-Switches, Batteriemanagementsystemen und ähnlichen Anwendungen geworden.

I. Kernmerkmale derPTQ45P02:

Der PTQ45P02 ist ein fortschrittliches P-Kanal-Power-MOSFET, das speziell für anspruchsvolle Power-Switching-Anwendungen entwickelt wurde.P-Kanal-MOSFETs werden häufig als High-Side-Schalter in Stromkreisen eingesetzt (die Stromquelle mit der Last verbinden), eine Konfiguration, die die Treiberkreisläufe vereinfacht und deutliche Vorteile in Systemen bietet, die durch Niederspannungslogik gesteuert werden.

Die...PTQ45P02Der Wettbewerbsvorteil liegt in den wichtigsten elektrischen Parametern:

Hohe Strom- und Spannungswerte: Es unterstützt eine 20V-Abflussspannung (Vdss) und einen kontinuierlichen Abflussstrom (Id) von bis zu 45A.Diese Spezifikation ermöglicht es ihm, in Anwendungen mit hoher Leistungsdichte, wie z. B. mobilen Stromversorgungen, Eindringströme problemlos zu bewältigen, RC-Flugzeuge und Hochstrommotoren.

Außergewöhnliche Schaltwirkung: Die Schaltschwellenspannung (Vgs(th)) beträgt nur 400mV, was eine zuverlässige Schaltung mit extrem niedrigen Steuerungsspannungen (bis zu 1,8 V Logikniveaus) ermöglicht.Diese Funktion ermöglicht eine direkte Schnittstelle mit modernen Mikroprozessoren, DSPs oder Niederspannungs-ASICs ohne zusätzliche Ebeneverschiebungsschaltungen, was Platz spart und die Systemkomplexität reduziert.

Optimierte dynamische Leistung: Das Gerät verfügt über eine Eingangskapazität (Ciss) von 3,5 nF und eine umgekehrte Übertragungskapazität (Crss) von 445 pF.Diese niedrigen Kapazitätswerte erfordern weniger Ladung für das Gate-Driving während der Hochgeschwindigkeitsschaltung, wodurch Schaltverluste erheblich reduziert und die Gesamtsystemeffizienz erhöht werden.

II.PTQ45P02Spezifikationen:

Transistortyp MOSFET

Steuerkanal Typ P-Kanal

Pd - Höchstleistungsabbau 35 W

Vds - Höchstspannung der Abflussquelle 20 V

Vgs - Höchstspannung der Torquelle 12 V

Id - Höchstdurchfluss 45 A

Tj - Höchsttemperatur der Kreuzung 150 °C

Vgs(th) - Höchstschwellen-Gatterspannung 1 V

Qg - Gesamttrag 55 nC

tr - Aufstiegszeit 42 nS

Coss - Leistungskapazität 577 pF

III.PTQ45P02Technische Merkmale:

Außergewöhnliche Kompatibilität mit 1,8V-Logik-Level-Antrieb

Dies stellt den wichtigsten Vorteil des PTQ45P02 dar. Traditionelle MOSFETs erfordern in der Regel höhere Torspannungen (z. B. 4,5 V oder 10 V) für die volle Leitfähigkeit.Der PTQ45P02 ermöglicht eine effiziente Umschaltung bei nur 1.8V. Dies ermöglicht eine nahtlose Integration mit herkömmlichen Niedrigleistungs-Mikroprozessoren, SoCs und digitalen Logikchips ohne zusätzliche Ebeneverschiebungsschaltkreise.Kosten reduziert, und minimiert die Anzahl der Komponenten und mögliche Ausfallpunkte.

Optimierte Verpackungen und effizientes Strommanagement

Das auf der Oberfläche montierte Paket PDFN3333 bietet eine hervorragende thermische Leistung, die eine schnelle Wärmeableitung vom Chip auf die Leiterplatte ermöglicht und die Systemzuverlässigkeit erhöht.Kombiniert mit seinen geringem WiderstandsvermögenDies führt zu einer außergewöhnlich geringen Leistungsauslastung während des Schaltbetriebs und ist somit ideal für effizienzkritische tragbare Geräte.

IV.PTQ45P02Anwendungsszenarien

Die Leistungsmerkmale des PTQ45P02 ermöglichen eine hervorragende Leistung in mehreren Spitzenfeldern:

High-End-Last-Switching und Power-Management: Dies ist die klassischste Anwendung.PTQ45P02Die P-Kanal-Eigenschaften erlauben die Platzierung zwischen dem positiven Endgerät der Stromversorgung und der Last.Die direkte Steuerung der Stromversorgung einzelner Module erfolgt über Niederspannungs-GPIO-Signale., die eine präzise Energieverwaltung ermöglicht.

Batterie-Schutz- und Schaltkreise: In batteriebetriebenen Geräten wie Powerbanks und ElektrowerkzeugenDieses MOSFET ist die ideale Wahl für den Aufbau von Entladungssteuerungsschaltern in Batteriemanagementsystemen (BMS)Die geringen Leitverluste verringern die Energieabgabe und verlängern so die Betriebsdauer des Geräts.

Motorantrieb und ESC für RC-Modelle: Für Bürstenlose Motoren in RC-Flugzeugen und kleinen Roboternelektronische Drehzahlregler (ESCs) erfordern Leistungsschalter, die eine schnelle Reaktion und ein effizientes Schalten ermöglichen. DiePTQ45P02Die hohe Stromkapazität und die schnellen Schaltmerkmale ermöglichen eine präzisere und effizientere Motorsteuerung.

VRM-Motherboards und DC-DC-Wandler: Innerhalb von Computer-Motherboards oder Servern verwenden bestimmte nicht-Kernspannungserzeugungsschaltungen auch P-Kanal-MOSFETs als obere Schalter,mit N-Kanal-Unterschaltern gepaart, um synchrone Berichtigungsarchitekturen zu bilden. DiePTQ45P02in solchen Konstruktionen eine effiziente Leistungsumwandlung ermöglicht.