Firmenblog über Supply/Recycle AOS AON6407 30V 85A P-Kanal MOSFET mit niedrigem Einschaltwiderstand

Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd. wurde von der chinesischen Behörde für die elektronische Ausrüstung und -technologie ermittelt.Lieferungen von brandneuen, Original Alpha & Omega Halbleitern (AOS)AON6407P-Kanal-MOSFETs und bietet hochwertige Rückkaufdienste für gebrauchte Einheiten.Dieses Produkt kombiniert die fortschrittliche Graben-MOSFET-Technologie mit einem DFN-Paket mit niedrigem Widerstand, um einen extrem niedrigen Widerstand zu erzielen, so dass es für Hochstromanwendungen wie Lastwechsel und Batterie-Schutz geeignet ist.

AON6407Spezifikationen des Produkts:

Typ des Produkts: P-Kanal-Strom-MOSFET

Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor (AOS/Bandai USA)

Technologieplattform: Erweiterte Trench-MOSFET-Technologie

Nennspannung (VDS): -30V

Kontinuierlicher Abflussstrom (ID): -32A (Ta=25°C) / -85A (Tc=25°C)

Impulsausflussstrom: -200A

Einheitliche Antriebsvorrichtung (RDS)

< 6,0mΩ @ VGS=-6V, ID=-20A

Ausgangsspannung (VGS): ±25V

Schwellspannung (VGS ((th)): -1,6V ~ -2,6V (typisch: -2,1V)

Leistungsausfall (Ptot): 7,3 W (Ta=25°C) / 83 W (Tc=25°C)

Eintrittskapazität (Ciss): 3505pF @ VDS=-15V

Ausgangskapazität (Coss): 900 pF

Koppelungskapazität (Crss): 650 pF

Gesamtgatanladung (Qg): 75 nC bis 105 nC @ VGS = -10 V

Schaltzeit: Einschaltverzögerung 14 ns / Ausschaltverzögerung 94 ns

Rückgewinnungszeit der Karosseriediode (Trr): 35 ns

Lawineneinfluss (EAS): 101 mJ

Betriebstemperaturbereich: -55 °C bis +150 °C (TJ)

Verpackungstyp: DFN5×6-8L (8-Pin, 5×6 mm)

Anbauart: Oberflächenbefestigung (SMD)

AON6407Eigenschaften des Produkts:

Ultra-niedriger Einschaltwiderstand: RDS ((einschaltbar) < 4,5 mΩ bei VGS = -10 V und < 6,0 mΩ bei VGS = -6 V, was die Leistungsauslösung im Einsatzzustand signifikant reduziert

Hohe Stromkapazität: Kontinuierlicher Abflussstrom bis 85 A (Temperatur 25°C) und Pulsstrom bis 200 A, um den Anforderungen von Hochstromanwendungen gerecht zu werden

Kompaktes Paket: DFN5×6-8L Oberflächenverbindung spart PCB-Fläche und eignet sich für Hochdichte-Designs

Schnelle Schaltcharakteristiken: Einschaltverzögerung von nur 14 ns und Ausschaltverzögerung von 94 ns, unterstützt Hochfrequenzschaltanwendungen

Ausgezeichnete thermische Leistung: Wärmewiderstand von 1,1°C/W bei Verbindung zu Gehäuse, 83W Leistungsausfall

Hohe Zuverlässigkeit: Industrielle Zertifizierung mit einem breiten Betriebstemperaturbereich von -55 °C bis +150 °C

AON6407Anwendungsbereiche:

Lastwechsel

Schaltkreise für den Schutz von Batterien

mit einer Leistung von mehr als 1000 W

mit einer Leistung von nicht mehr als 1000 W

Motorantriebssteuerung

Energieverwaltungssysteme

Elektronik für den Automobilbereich (Batterieverwaltungseinheiten, Leistungsregelung)

Als professioneller Anbieter von elektronischen Bauteilen bietet Mingjiada Electronics eine langfristige, stabile Versorgung mit echten AOS AON6407 P-Kanal-MOSFETs und bietet Rückkaufdienste mit hohem Wert.Wir begrüßen Anfragen bezüglich Beschaffungs- oder Rückkaufpartnerschaften!