Firmenblog über Lieferung von Siliziumkarbidmodulen, IGBT-Modulen, MOSFET-Modulen, intelligenten Leistungsmodulen, Si SiC-Hybridmodulen

Lieferung von Siliziumkarbidmodulen, IGBT-Modulen, MOSFET-Modulen, intelligenten Leistungsmodulen, Si SiC-Hybridmodulen

Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd. wurde von der chinesischen Behörde für die elektronische Ausrüstung und -technologie ermittelt.¢Langfristige Lieferung von [Onsemi]-Leistungsmodulen, einschließlich Siliziumkarbid-Modulen (SiC), IGBT-Modulen, MOSFET-Modulen, intelligenten Leistungsmodulen (IPM), Si/SiC-Hybridmodulen und anderen Produkten,zur Ermöglichung hocheffizienter elektrischer Leistungssysteme.

Mingjiada Elektronikhat seit langem Strommodule [ON] geliefert, und die detaillierten Produktinformationen sind nachstehend aufgeführt:
I. Module aus Siliziumcarbid (SiC)
M1-Serie (z. B. M1S1200XM12E): 1200V/200A-All-SiC-Module für Bordladegeräte (OBC) und Hochgeschwindigkeitsladestellen.
NVHL020N120SC1: 1200V/20A SiC MOSFET-Modul für Solarumrichter und High-End-Stromversorgungen.

II. IGBT-Module
FGD3040G2_F085: 600V/30A, kompaktes Paket für Haushaltsgeräte und leichte Industrieanlagen.
NVG75A120L3: 1200V/75A, Konstruktion mit geringem Leitungsausfall, geeignet für elektrische Antriebssysteme für neue Energiefahrzeuge.
NXH100T120L3Q2: 1200V/100A, mit Trench Field Stop-Technologie, geeignet für industrielle Frequenzumrichter und Photovoltaik-Wechselrichter.

III. MOSFET-Module
NVMFS5C670NL: 60V/170A, ultra-niedrige Rds ((on), für Server-Stromversorgungen und Gleichstrom-Gleichstrom-Wandler.
NTBG040N090SC1: 900V/40A SiC-MOSFET-Modul für energieeffiziente Ladesäulen und Energiespeicher.

IV. Intelligentes Energiemodul (IPM)
Die Semi-IPMs integrieren Antriebsströme und Schutzfunktionen, um das Design zu vereinfachen und die Systemstabilität zu verbessern.
Repräsentative Modelle
STK551U-Serie: 600V/10A, eingebauter Überstrom-/Überhitzungsschutz, geeignet für den Antrieb eines Klimaanlage-Kompressors.
NFAL5065L3B: 500V/65A, für die elektromagnetische Kompatibilität (EMC) optimiert, für die industrielle Servomotorsteuerung.

V. Si/SiC-Hybridmodule
NXH40T120L3Q2SG: 1200V/40A, integrierte Si IGBT und SiC-Diode, geeignet für Windenergiewandler.
NXH80S120L3Q2: 1200V/80A, Hybrid-Topologie-Entwurf für ein Zugsystem für den Schienenverkehr.

Für detailliertere Produktspezifikationen oder Preisanfragen besuchen Sie bitte die offizielle Website von Mingjiada Electronics (Die Kommission hat die Kommission aufgefordert, die folgenden Informationen zu übermitteln:)