Firmenblog über Anschluss an Strommodule: IGBT-Module, MOSFET-Module, intelligente Strommodule, SiC-Module

Anschluss an Strommodule: IGBT-Module, MOSFET-Module, intelligente Strommodule, SiC-Module

Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd. wurde von der chinesischen Behörde für die elektronische Ausrüstung und -technologie ermittelt.ist ein professioneller Anbieter von elektronischen Komponenten, der sich dem Ziel verschrieben hat, "Kunden zu dienen, Kunden zu fördern",Durch die kontinuierliche Optimierung des Supply Chain Managements und die Erweiterung der Produktlinien, hat sich zu einem weltweit führenden Unternehmen im Bereich des Vertriebs elektronischer Komponenten entwickelt.

Hauptprodukte5G-Chips, neue Energie-ICs, IoT-ICs, Bluetooth-ICs, Telematik-ICs, Automobil-ICs, Kommunikations-ICs, KI-ICs, Speicher-ICs, Sensor-ICs, Mikrocontroller-ICs, Transceiver-ICs, Ethernet-ICs,Wifi-Chips, drahtlose Kommunikationsmodule, Steckverbinder und andere elektronische Komponenten

Versorgungsvorteil

Das Unternehmen verfügt über mehr als 2 Millionen Arten von Vorteilmodellen für Lagerbestände, die militärische, industrielle,Kommunikation und alle Arten von Kalt- und Heiß-Hochtechnologie-Komponenten, kann schnell auf die dringenden Bedürfnisse der Kunden reagieren, den FuE- und Produktionszyklus des Kunden erheblich verkürzen.

Strenge Qualitätssicherung: Alle gelieferten Bauteile stammen von Originalherstellern oder von autorisierten Kanälen und bieten eine vollständige Nachverfolgbarkeit der Chargen und Garantieleistungen.Das Unternehmen setzt ISO9001 streng um:2014 Qualitätsmanagementsystem, um die Zuverlässigkeit und Konsistenz jedes Produkts zu gewährleisten.

Effizientes Logistiknetzwerk: Mit Niederlassungen und Logistikpartnern auf der ganzen Welt sind wir in der Lage, eine schnelle Lieferung von 1-3 Tagen zu erreichen und ein flexibles Beschaffungsmodell mit nur einem Stück zu unterstützen.Diese effiziente Lieferkettenfähigkeit eignet sich besonders für Anforderungen an kleine Partien in der FuE-Phase und für die dringende Auftragsverarbeitung.

IGBT-Module: die perfekte Kombination aus hoher Leistungsdichte und Zuverlässigkeit

Isolierte Gate Bipolar Transistor (IGBT) -Module dominieren als Kerngeräte moderner Leistungselektroniksysteme den Bereich der mittleren bis hohen Leistungsanwendungen.Die IGBT-Module von ON sind für ihren geringen Verlust bekannt, hohe Schaltfrequenz und hohe Robustheit, und werden weit verbreitet in Schlüsselgeräten wie Elektromotorenantrieben, Photovoltaik-Wechselrichtern, ununterbrochenen Stromversorgungen (UPS) verwendet,mit einer Leistung von mehr als 50 W undDiese Module verwenden eine fortschrittliche Trench Field Stop-Technologie, um ein optimales Gleichgewicht zwischen Leitungs- und Schaltverlusten zu erzielen und die Gesamtsystemeffizienz erheblich zu verbessern.

Die technischen Vorteile des ON IGBT-Moduls spiegeln sich hauptsächlich in drei Aspekten wider: Erstens hat es eine raffinierte Schützengatterstruktur,die den Spannungsabfall im eingeschalteten Zustand (VCE(sat)) und den Leistungsverlust im eingeschalteten Zustand deutlich reduziertZweitens ermöglicht das optimierte Design der Feldendschicht dem Modul eine schnellere Schaltgeschwindigkeit und einen geringeren Schaltverlust, was für Hochfrequenz-Anwendungsszenarien geeignet ist.und schließlich:, das Modul integriert einen internen Temperatursensor und eine Stromerkennungsfunktion, was die Umsetzung der Gesamtleistung des Systems erleichtert.Die IGBT-Module sind in Spannungsstufen von 600V bis 1700V und in Stromkapazitäten von 30A bis zu Hunderten von Ampere erhältlich, um die Anforderungen von Anwendungen mit unterschiedlichen Leistungsstufen zu erfüllen.

MOSFET-Module: Ideal für Hochgeschwindigkeitsschaltungen und hocheffiziente Umwandlungen

MOSFET-Module (Metal-Oxid-Halbleitungs-Feld-Effekt-Transistor) weisen in Hochfrequenz-Schaltanwendungen einzigartige Vorteile auf.Elektronik für den Automobilbereich, und industrielle Steuerungssysteme aufgrund ihrer hervorragenden Schaltleistung und ihrer geringen Widerstandsmerkmale.Moduläres Paket bietet eine höhere Leistungsdichte, eine bessere thermische Leistung und eine vereinfachte Systemkonstruktion, die sich besonders für Anwendungsszenarien mit mittlerer bis hoher Leistung eignet.

Die technischen Eigenschaften des ON MOSFET-Moduls spiegeln sich hauptsächlich in vier Aspekten wider:Das MOSFET-Modul mit Super Junction-Technologie erreicht bei Hochspannungsanwendungen einen sehr niedrigen Ansprechwiderstand (RDS(on)), was die Leitungsausfälle erheblich reduziert; zweitens ermöglicht das optimierte Tordesign eine schnellere Umschaltung und reduziert den Energieverlust während des Umschaltvorgangs; und drittens:Das Modul integriert mehrere MOSFET-Chips im Inneren, die verschiedene Topologien wie Vollbrücke, Halbbrücke und sechs Gruppen unterstützen kann; schließlich sorgt die fortschrittliche Verpackungstechnologie für eine gute Wärmeleitung,so dass das Modul in hohem Temperaturumfeld stabil arbeitet.Die Spannungsstärke des MOSFET-Moduls beträgt 40 V bis 900 V, was den unterschiedlichen Bedürfnissen von einem Niederspannungs­Gleichspannungs­Gleichspannungs­Wandler zu einem Hochspannungs­Stromversorgungssystem entspricht.

Intelligente Leistungsmodule (IPM): Die perfekte Verkörperung von Integration und hoher Zuverlässigkeit

Intelligente Leistungsmodule (IPM) stellen die höchste Ebene der Leistungselektronikintegration dar.und Schutzfunktionen in einem einzigen Paket, die das Systemdesign drastisch vereinfacht und die Zuverlässigkeit verbessert.Diese Module bieten eine breite Palette von Leistungsbereichen von 50W bis 10kW., und unterstützt eine Vielzahl von Topologien wie Dreiphasenumrichter, PFC (Power Factor Correction) und Eingangsbrückenrichter.

Die wichtigsten Vorteile des ON IPM spiegeln sich hauptsächlich in vier Aspekten wider: Erstens reduziert das stark integrierte Design die Anzahl der externen Komponenten und die PCB-Fläche, senkt die Systemkomplexität und die Kosten;Zweitens optimiert der eingebaute Treiberkreis die Schaltcharakteristiken der Antriebsvorrichtungen und reduziert gleichzeitig elektromagnetische Störungen (EMI).die umfassenden Schutzfunktionen (einschließlich Überstrom)Die IPM-Produktlinie umfasst Anwendungen mit niedriger und mittlerer Spannung bis zu 600 V.mit Stromkapazitäten von wenigen Ampere bis zu zehn Ampere, um den Bedarf verschiedener Leistungsstufen zu decken.

Siliconcarbide (SiC) Modul: Technologie-Benchmark für Stromgeräte der nächsten Generation

Die Leistungsmodule aus Siliziumcarbid (SiC) stellen die neueste Entwicklungsrichtung der Leistungshalbleitertechnologie dar.Die SiC-Module von ON verwenden das Halbleitermaterial Siliziumcarbid (SiC) der dritten Generation als Basisgerät, der erhebliche Vorteile wie hohe Temperaturverträglichkeit, hohe Frequenzmerkmale und geringer Leitverlust aufweist,und treibt die Modernisierung von Technologiebereichen wie Elektrofahrzeugen voran.Im Vergleich zu traditionellen Silizium-basiertenSiC-Module können die Effizienz des Systems um 3-5% erhöhen und den Energieverbrauch um mehr als 30% senken, während die Größe und das Gewicht der Anlagen erheblich reduziert werden, was sie zu einer idealen Lösung für die Herausforderungen der Energieeffizienz und der Leistungsdichte macht.

Die technischen Vorteile von ON SiC-Modulen spiegeln sich hauptsächlich in fünf Aspekten wider:Die hohe elektrische Feldstärke des SiC-Materials bei kritischem Abbau ermöglicht es dem Gerät, bei höheren Spannungen zu arbeiten und gleichzeitig die Dicke der Driftregion zu reduzieren., wodurch der Einsatzwiderstand verringert wird; zweitens ermöglicht die breitbandbreite verbotene Eigenschaft von SiC (3,26 eV) dem Gerät den Betrieb bei höheren Temperaturen (über 200 °C),die die Komplexität des Wärmeabflusssystems verringertDrittens haben SiC-Geräte praktisch keinen Rückwärtsstrom, was die Schaltverluste drastisch reduziert und einen höheren Frequenzbetrieb ermöglicht.die hervorragende Wärmeleitfähigkeit (etwa dreimal so hoch wie bei Silizium) verbessert die Leistungsdichte und ermöglicht ein kompakteres System■ und schließlich reduziert der verbesserte Gesamtsystemwirkungsgrad den Energieverbrauch und den Wärmeabbau, wodurch ein virtuöser Kreislauf entsteht.SiC-Module umfassen zwei Arten von Modulen,Reine SiC-Module und Si/SiC-HybridmoduleDie Spannungsniveaus sind hauptsächlich 1200V und 1700V, um den Anforderungen von Hochspannungsanwendungen gerecht zu werden.