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Firmenblog über Versorgung NXP PMDXB600UNE Doppel-N-Kanal-Grench-MOSFET-Transistoren

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Bescheinigung

China ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. zertifizierungen

Kunden-Berichte

Versendet sehr schnell, und sehr hilfreich, neu und ursprünglich, würde in hohem Grade sich empfehlen.

—— Nishikawa aus Japan

Berufs- und schneller Service, annehmbare Preise für Waren. ausgezeichnete Kommunikation, Produkt wie erwartet. Ich empfehle in hohem Grade diesen Lieferanten.

—— Luis aus den Vereinigten Staaten

Hohe Qualität und zuverlässige Leistung: "Die elektronischen Komponenten, die wir von [ShenZhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.] erhalten haben, sind von hoher Qualität und haben eine zuverlässige Leistung in unseren Geräten gezeigt".

—— Richardg aus Deutschland

Wettbewerbsfähige Preisgestaltung: Die von der E-Commerce-Firma angebotenen Preise sind sehr wettbewerbsfähig, was sie zu einer ausgezeichneten Wahl für unsere Beschaffungsbedürfnisse macht.

—— Tim aus Malaysia

Der Kundenservice ist hervorragend, immer hilfsbereit und sorgt dafür, dass unsere Bedürfnisse schnell erfüllt werden.

—— Vincent aus Russland

Tolle Preise, schnelle Lieferung und erstklassiger Kundenservice.

—— Nishikawa aus Japan

Zuverlässige Komponenten, schneller Versand und hervorragender Support.

—— Sam aus den Vereinigten Staaten

Ich empfehle Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd. für jedes Elektronikprojekt!

—— Lina aus Deutschland

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Versorgung NXP PMDXB600UNE Doppel-N-Kanal-Grench-MOSFET-Transistoren

Versorgung NXP PMDXB600UNE Doppel-N-Kanal-Grench-MOSFET-Transistoren

Beschreibung des Produkts

PMDXB600UNE ist ein Dual-N-Channel-Enhancement-Modus-Feld-Effekt-Transistor in einem bleichlosen, ultra kleinen SOT1216 Surface-Mounted Device-Plastikpaket mit Trench-MOSFET-Technologie.

Eigenschaften

Trench-MOSFET-Technologie

Bleifreies SMD-Plastikverpackung für ultra-kleine und ultra-dünne SMD-Plastikverpackungen: 1,1 × 1,0 × 0,37 mm

Ausgesprochene Abflussbühne für eine ausgezeichnete Wärmeleitung

Schutz gegen elektrostatische Entladungen (ESD) > 1 kV HBM

Abflusswiderstand im Betriebszustand RDSon = 470 mΩ

Anwendungen

Relais-Treiber

Fahrer einer Hochgeschwindigkeitslinie

Schalter für die niedrigseitige Last

Schaltkreise

neueste Unternehmensnachrichten über Versorgung NXP PMDXB600UNE Doppel-N-Kanal-Grench-MOSFET-Transistoren 0

Kneipen-Zeit : 2023-09-15 11:15:19 >> Nachrichtenliste

Kontaktdaten

ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Ansprechpartner: Mr. Sales Manager

Telefon: 86-13410018555

Faxen: 86-0755-83957753

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