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Firmenblog über GRAD MOSFETs-Transistoren TO-252-3 des Versorgungs-N-Kanal-IPD35N10S3L26ATMA1 100V Automobil

Bescheinigung
China ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. zertifizierungen
China ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. zertifizierungen
Kunden-Berichte
Versendet sehr schnell, und sehr hilfreich, neu und ursprünglich, würde in hohem Grade sich empfehlen.

—— Nishikawa aus Japan

Berufs- und schneller Service, annehmbare Preise für Waren. ausgezeichnete Kommunikation, Produkt wie erwartet. Ich empfehle in hohem Grade diesen Lieferanten.

—— Luis aus den Vereinigten Staaten

Hohe Qualität und zuverlässige Leistung: "Die elektronischen Komponenten, die wir von [ShenZhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.] erhalten haben, sind von hoher Qualität und haben eine zuverlässige Leistung in unseren Geräten gezeigt".

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Der Kundenservice ist hervorragend, immer hilfsbereit und sorgt dafür, dass unsere Bedürfnisse schnell erfüllt werden.

—— Vincent aus Russland

Tolle Preise, schnelle Lieferung und erstklassiger Kundenservice.

—— Nishikawa aus Japan

Zuverlässige Komponenten, schneller Versand und hervorragender Support.

—— Sam aus den Vereinigten Staaten

Ich empfehle Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd. für jedes Elektronikprojekt!

—— Lina aus Deutschland

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GRAD MOSFETs-Transistoren TO-252-3 des Versorgungs-N-Kanal-IPD35N10S3L26ATMA1 100V Automobil
Neueste Unternehmensnachrichten über GRAD MOSFETs-Transistoren TO-252-3 des Versorgungs-N-Kanal-IPD35N10S3L26ATMA1 100V Automobil

GRAD MOSFETs-Transistoren TO-252-3 des Versorgungs-N-Kanal-IPD35N10S3L26ATMA1 100V Automobil

 

Spezifikationen

Transistor-Polarität: N-Kanal

Zahl von Kanälen: 1 Kanal

Vds - Abfluss-Quelldurchbruchsspannung: 100 V

Identifikation - ununterbrochener Abfluss-Strom: 35 A

Auf- Widerstand RDS Abfluss-Quell: 20 mOhms

Vgs - Tor-Quellspannung: - 20 V, + 20 V

Vgs-Th - Tor-Quellschwellen-Spannung: 1,2 V

Qg - Tor-Gebühr: 39 nC

Minimale Betriebstemperatur: - 55 C

Normalbetriebshöchsttemperatur: + 175 C

PD - Verlustleistung: 71 W

Kanal-Modus: Verbesserung

 

Produkt-Beschreibung

IPD35N10S3L26ATMA1 ist OptiMOS®-Tleistungstransistor, optimierte Gesamttorgebühr für kleinere Fahrerendstufe.

 

Eigenschaften

N-Kanal - erhöhter Modus

Lawine 100% prüfte

Betriebstemperatur 175°C

Maximaler Strom bis zu 180A

Rücklauftemperatur der Spitze MSL1 bis zu 260°C

Leistungsabfälle der niedrigen Schaltleistung und Leitungsfür hohe thermische Leistungsfähigkeit

Kneipen-Zeit : 2023-07-18 12:00:15 >> Nachrichtenliste
Kontaktdaten
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Ansprechpartner: Mr. Sales Manager

Telefon: 86-13410018555

Faxen: 86-0755-83957753

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