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Firmenblog über MOSFET-Versorgung IGLD60R190D1AUMA1_IGLD60R070D1AUMA3 600V erweiterter Leistungstransistor

Bescheinigung
China ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. zertifizierungen
China ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. zertifizierungen
Kunden-Berichte
Versendet sehr schnell, und sehr hilfreich, neu und ursprünglich, würde in hohem Grade sich empfehlen.

—— Nishikawa aus Japan

Berufs- und schneller Service, annehmbare Preise für Waren. ausgezeichnete Kommunikation, Produkt wie erwartet. Ich empfehle in hohem Grade diesen Lieferanten.

—— Luis aus den Vereinigten Staaten

Hohe Qualität und zuverlässige Leistung: "Die elektronischen Komponenten, die wir von [ShenZhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.] erhalten haben, sind von hoher Qualität und haben eine zuverlässige Leistung in unseren Geräten gezeigt".

—— Richardg aus Deutschland

Wettbewerbsfähige Preisgestaltung: Die von der E-Commerce-Firma angebotenen Preise sind sehr wettbewerbsfähig, was sie zu einer ausgezeichneten Wahl für unsere Beschaffungsbedürfnisse macht.

—— Tim aus Malaysia

Der Kundenservice ist hervorragend, immer hilfsbereit und sorgt dafür, dass unsere Bedürfnisse schnell erfüllt werden.

—— Vincent aus Russland

Tolle Preise, schnelle Lieferung und erstklassiger Kundenservice.

—— Nishikawa aus Japan

Zuverlässige Komponenten, schneller Versand und hervorragender Support.

—— Sam aus den Vereinigten Staaten

Ich empfehle Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd. für jedes Elektronikprojekt!

—— Lina aus Deutschland

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MOSFET-Versorgung IGLD60R190D1AUMA1_IGLD60R070D1AUMA3 600V erweiterter Leistungstransistor
Neueste Unternehmensnachrichten über MOSFET-Versorgung IGLD60R190D1AUMA1_IGLD60R070D1AUMA3 600V erweiterter Leistungstransistor

Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd. Lieferung von MOSFET IGLD60R190D1AUMA1_IGLD60R070D1AUMA3 600V CoolGaNTM Erweiterter Leistungstransistor

 

Beschreibung des Produkts

1、IGLD60R190D1AUMA1 Oberflächenbefestigung N-Kanal 600 V 10A(Tc) 62.5W(Tc) PG-LSON-8-1

Serie: CoolGaNTM FET Typ: N-Kanal

FET-Typ: N-Kanal

Technologie: GaNFET (Galliumnitrid)

Auslaufspannung (Vdss): 600 V

Strom bei 25°C - Dauerdurchfluss (Id): 10A (Tc)

Vgs ((th) bei unterschiedlichen Id (max): 1,6V @ 960μA

Vgs ((th) (max): 1,6V @ 960μA bei verschiedenen Id's

Eintrittskapazität (Ciss) (max) bei unterschiedlichen Vds: 157 pF @ 400 V

Leistungsausfall (maximal): 62,5 W (Tc)

Betriebstemperatur: -55 °C bis 150 °C (TJ)

Anbauart: Oberflächenhalter

Einheit des Lieferanten: PG-LSON-8-1

Verpackung/Hülle: 8-LDFN exponiertes Pad

Basisproduktnummer: IGLD60

 

2, IGLD60R070D1AUMA3 Oberflächenhalter N-Kanal 600 V 15A (Tc) 114W (Tc) PG-LSON-8-1

Serie CoolGaNTM

FET: Typ N-Kanal

Technologie: GaNFET (Galliumnitrid)

Auslaufspannung (Vdss): 600 V

Strom bei 25°C - Dauerdurchfluss (Id): 15A (Tc)

Vgs(th) bei unterschiedlichen Id (max): 1,6V @ 2,6mA

Vgs ((max): -10V

Eintrittskapazität (Ciss) bei unterschiedlichen Vds (max.): 380 pF @ 400 V

Leistungsausfall (maximal): 114 W (Tc)

Betriebstemperatur: -55 °C bis 150 °C (TJ)

Anbauart: Oberflächenhalter

Einheit des Lieferanten: PG-LSON-8-1

Verpackung/Hülle: 8-LDFN exponiertes Pad

 

Einleitung

Die CoolGaNTM600V Leistungserhöhungstransistoren bieten schnelle Schaltgeschwindigkeiten und minimale Schaltverluste in einer einfachen Halbbrücke-Topologie für maximale Effizienz.

 

Die CoolGaNTM 600V-Familie erfüllt umfassende GaN-spezifische Zulassungen, die weit über die bestehenden Normen hinausgehen.Ladegeräte, drahtloses Laden und andere Anwendungen, die höchste Effizienz oder Leistungsdichte erfordern.

 

Für weitere Informationen wenden Sie sich bitte telefonisch an Herrn Chen:

Tel: +86 13410018555

E-Mail: sales@hkmjd.com

Hauptgeschäft:Siehe auch: http://www.hkmjd.com/

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Kontaktdaten
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Ansprechpartner: Mr. Sales Manager

Telefon: 86-13410018555

Faxen: 86-0755-83957753

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