Versorgung MOSFET GaN IC LMG3422R050RQZR Halbbrückentreiber Allzweck VQFN54
Beschreibung
Der GaN-FET LMG3422R050RQZR mit integriertem Treiber und Schutz ermöglicht Entwicklern das Erreichen neuer Leistungsdichte- und Effizienzniveaus in Leistungselektroniksystemen. Zu den erweiterten Leistungsverwaltungsfunktionen gehören digitale Temperaturberichte und Fehlererkennung.Die Temperatur des GaN-FET wird über einen PWM-Ausgang mit variablem Tastverhältnis gemeldet, was die Verwaltung der Gerätelast vereinfacht.Zu den gemeldeten Fehlern gehören Übertemperatur, Überstrom und UVLO-Überwachung.
Spezifikationen
Produktstatus |
Aktiv |
Ausgabekonfiguration |
Halbbrücke |
Anwendungen |
Allgemeiner Zweck |
Schnittstelle |
PWM |
Lasttyp |
Induktiv, kapazitiv, ohmsch |
Technologie |
MOSFET (Metalloxid) |
Strom – Ausgang/Kanal |
1,2A |
Strom – Spitzenleistung |
1,2A |
Spannungsversorgung |
7,5 V ~ 18 V |
Spannung – Last |
7,5 V ~ 18 V |
Betriebstemperatur |
-40°C ~ 150°C (TJ) |
Anwendungen
Industrienetzteile mit hoher Dichte
Solarwechselrichter und industrielle Motorantriebe
Unterbrechungsfreie Stromversorgungen
Händlernetzwerk und Server-Netzteil
Gleichrichter für die Telekommunikation im Handel
FAQ
F. Sind Ihre Produkte original?
A: Ja, alle Produkte sind Originale, der Import neuer Originale ist unser Ziel.
F: Welche Zertifikate haben Sie?
A: Wir sind ein nach ISO 9001:2015 zertifiziertes Unternehmen und Mitglied von ERAI.
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