Versorgungs-Mikrochip IGBT-Modulreihe:IGBT-Grench 3,IGBT-Grench 4,IGBT-Grench 5,IGBT-Grench 7
Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.als führender Händler von elektronischen Komponenten in China hält sich an den Grundsatz der "Dienstleistung für Kunden und Nutzung der Kunden", Bereitstellung hochwertiger und vielfältiger elektronischer Komponenten für seine Kunden.
Zu den wichtigsten Produkten gehören:5G-Chips, neue Energie-ICs, IoT-ICs, Bluetooth-ICs, Fahrzeugnetzwerk-ICs, Automobil-ICs, Kommunikations-ICs, KI-ICs usw. Darüber hinaus liefert das Unternehmen Speicher-ICs,Sensor-ICs, Mikrocontroller-ICs, Transceiver-ICs, Ethernet-ICs, WiFi-Chips, drahtlose Kommunikationsmodule, Steckverbinder und andere elektronische Komponenten.
Versorgungsvorteile
1- Echtheit garantiert.
Alle Produkte stammen aus offiziellen Kanälen und sind mit vollständigen Qualitätsnachverfolgbarkeitsberichten und der Originalzertifizierung des Herstellers versehen, um sicherzustellen, dass die Kunden zu 100% authentische Produkte erhalten.
2- Ausreichend Inventar.
Das Unternehmen verfügt über mehr als 2 Millionen Bestandsmodelle, die ausreichende Lagerbestände für die Bedürfnisse der Kunden von der FuE-Pilotproduktion bis zur Serienproduktion gewährleisten.
3. Wettbewerbsfähige Preise
Wir nutzen die Vorteile großer Beschaffungen, bieten Preise unter den Marktpreisen an und setzen auf der Grundlage des Einkaufsvolumens aufgeschlüsselte Preisstrategien um.Langfristige Partner können auch von Preissperrdiensten profitieren, um die Beschaffungskosten wirksam zu kontrollieren.
4. Schnelllieferdienstleistungen
24-Stunden-Versand: Schnelle Bearbeitung von Standardbestellungen
4-stündige Notfallreaktion: Spezieller Beschleunigungsdienst
Lieferung am nächsten Tag: Schnelle Lieferung in Schlüsselregionen
5. Flexible Beschaffungsmodelle
Beschaffung in Kleinserien: Mindestbestellung von 1 Stück zur Deckung der F&E-Anforderungen
Massenbestellungen: Unterstützung von VMI (Vendor-Managed Inventory) und anderen kollaborativen Modellen
Langfristige Vereinbarungen: Bereitstellung stabiler Versorgungsgarantien
IGBT-Grench-3-Modul
IGBT Trench 3 Module stellt die ausgereiften Ergebnisse der frühen Trench Gate Technologie dar.
Aus technischer Architekturperspektive nimmt das IGBT Trench 3-Modul ein grundlegendes Schützengatterdesign an.Erreichung überlegener Leitungsmerkmale im Vergleich zu IGBTs mit ebenen Toren durch eine vertikale TorstrukturZu den typischen Parametern gehören: Leitungsspannung (Vce (sat)) zwischen 1,8 und 2,2 V, Schaltfrequenz bis zu 20 kHz und maximale Betriebstemperatur von 150 °C.Diese Leistungskennzahlen fallen zwar nach heutigen Maßstäben nicht hervor., bleiben sie für die meisten industriellen Anwendungen mit variabler Frequenz voll ausreichend.
IGBT-Grab 4 und Grab 5-Module
Die IGBT-Trench-4- und Trench-5-Module stellen eine bedeutende Entwicklung der Trench-Gate-Technologie dar.mit bemerkenswerten Verbesserungen der Leistungsparameter und des Anwendungsbereichs im Vergleich zum Trench 3-Modul.
Das IGBT Trench 4-Modul führt die Field Stop-Technologie ein, eine innovative Struktur, die die Chipdicke erheblich reduziert und zu mehreren Leistungsverbesserungen führt:Die Anschlussspannung (Vce(sat)) wird auf 1 reduziert..5·1.8 V-Bereich, etwa 15% niedriger als bei Trench 3-Produkten; die Schaltfrequenz wurde auf 30-40 kHz erhöht, wodurch die Möglichkeiten für Hochfrequenzanwendungen erweitert werden;bei gleichzeitiger Aufrechterhaltung einer hervorragenden Kurzschlussfähigkeit, um die Systemzuverlässigkeit sicherzustellen.
Als weiterer Meilenstein in der technologischen Entwicklung optimiert das IGBT Trench 5-Modul die Trägersteuerungstechnologie auf Basis von Trench 4 weiter.Erreichung des optimalen Gleichgewichts zwischen Leitverlust und SchaltverlustZu den wichtigsten technischen Merkmalen zählen: Einführung einer feinen Gräbenstruktur zur Erhöhung der Zelldichte; Optimierung der Pufferschichtgestaltung zur Verbesserung der Schaltcharakteristiken;und mit Hilfe fortgeschrittener Lebensdauerkontrollverfahren zur präzisen Regulierung der MinderheitsträgerkonzentrationDiese technologischen Fortschritte haben den Gesamtverlust des Trench-5-Moduls im Vergleich zum Trench-4-Modul um zusätzliche 10-15% reduziert und eine Effizienz von über 98% erreicht.Dies macht es zu einer idealen Wahl für hocheffiziente Anwendungen.
IGBT-Grenz 7 Modul
Das IGBT Trench 7-Modul repräsentiert den aktuellen Stand der Technik in der Trench-Gate-Technologie und integriert mehrere modernste Konzepte und Fertigungsprozesse.
Aus technischer Sicht spiegeln sich die Innovationen des IGBT-Grench7-Moduls in erster Linie in drei Aspekten wider: Erstens reduziert die Einführung des Mikrogrench-Designs die Zellgröße weiter,die Gräbendichte deutlich erhöht und den Leitwiderstand deutlich verringertZweitens optimiert die Einführung der fortschrittlichen Technologie der Trägerspeicherschicht die Trägerverteilung im eingeschalteten Zustand, wodurch geringere Leitverluste erzielt werden.Verbesserte Torstruktur und Passivierungsverfahren reduzieren Schaltverluste um 15% im Vergleich zu früheren Generationen und erhöhen gleichzeitig die HochtemperaturstabilitätDiese technologischen Fortschritte haben die Gesamtleistung des Trench 7-Moduls auf neue Höhen gehoben: Die Anlaufspannung kann bis zu 1,2 V bis 1,5 V betragen, die Schaltfrequenz übersteigt leicht 50 kHz,und die maximale Betriebstemperatur wurde auf 175°C erhöht.
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