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Firmenblog über Versorgungsspeicher IC S25FL128SAGMFI000 128Mb 3V 133MHz Serielle NOR Blitzspeicher

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China ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. zertifizierungen
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Kunden-Berichte
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Versorgungsspeicher IC S25FL128SAGMFI000 128Mb 3V 133MHz Serielle NOR Blitzspeicher
Neueste Unternehmensnachrichten über Versorgungsspeicher IC S25FL128SAGMFI000 128Mb 3V 133MHz Serielle NOR Blitzspeicher

Mingjiada Electronics Import und Lieferung Speicher IC S25FL128SAGMFI000 128Mb 3V 133MHz Serien-NOR Flash-Speicher mit hoher Qualität und wettbewerbsfähigen Preis, willkommen, uns anzurufen!

 

Geräteübersicht

Das S25FL128SAGMFI000 NOR Flash-Gerät ist ein nichtflüchtiger VIO-Volt-Speicher von 2,7 bis 3,6 V / 1,65 bis 3,6 V, der auf der 65 nm MIRRORBITTM-Technologie basiert.128-Mb S25FL128S FL-S NOR ist auf Eclipse-Architektur mit Seiten-Programmierung Puffer entwickelt, so dass Benutzer bis zu 128 Wörter in einer einzigen Operation programmieren können.Der 128-Mb-S25FL128S FL-S NOR ist mit einer Eclipse-Architektur mit einem Seitenprogrammierpuffer ausgelegt, mit dem der Benutzer bis zu 128 Wörter (256 Bytes) in einer einzigen Operation programmieren kann, wodurch die Programmierung und Löschung schneller als die SPI-Programmierung oder Löschung von Algorithmen der vorherigen Generation ist.Das Gerät verbindet sich über die serielle Peripherieoberfläche (SPI) mit dem Hostsystem und unterstützt traditionelle serielle Eingänge und Ausgänge der SPI-Einheit (Single I/O oder SIO), optionale zwei-Bit- (Dual I/O oder DIO) und vier-Bit- (Quad I/O oder QIO) serielle Befehle.

 

Als Teil der FL-S-Familie unterstützt der S25FL128S FL-S NOR Double Data Rate (DDR) Lesebefehle für SIO, DIO und QIO, die Adressen übertragen und Daten an beiden Rändern der Uhr lesen.Verwendung der FL-S-Anlage bei den höheren von den Befehlen QIO oder DDR-QIO unterstützten Taktraten, ist die Befehlslesungsübertragungsgeschwindigkeit vergleichbar oder schneller als der herkömmliche asynchrone NOR-Blitz mit paralleler Schnittstelle, wobei die Anzahl der Signale erheblich reduziert wird.Der S25FL128S FL-S NOR bietet nicht nur die hohe Dichte, aber auch die Flexibilität und Geschwindigkeit, die für eine Vielzahl von eingebetteten Anwendungen erforderlich sind.

 

Produktmerkmale

3.0-Volt-CMOS-Kern mit Multifunktions-E/E

Serielle Peripherieoberfläche (SPI) mit mehreren Eingangs-/Ausgangssysteme

SPI-Taktpolarität und Phasenmodi 0 und 3

Option für eine doppelte Datenrate (DDR)

24- oder 32-Bit-Erweiterte Adressoptionen

Serienbefehlssatz und -abdruck mit den SPI-Familien S25FL-A, S25FL-K und S25FL-P kompatibel

Multi-I/O-Befehlssatz und -Abdruck kompatibel mit der SPI-Serie S25FL-P

Befehle lesen

Normal, Schnell, Doppelkanal, Vierkanal, Schnell DDR, Zweikanal DDR, Vierkanal DDR

Autostart - beim Einschalten oder Zurücksetzen werden normale oder Quad-Reading-Befehle automatisch an einer vorgewählten Adresse ausgeführt

Daten der gemeinsamen Flash-Schnittstelle (CFI) für Konfigurationsinformationen

Programmieren (1,5 Mbit/s)

256- oder 512-Byte-Seiten-Programmierpufferoption

Vier-Eingabe-Seiten-Programmierung (QPP) für langsame Taktsysteme

Automatische ECC - Erstellung von internen Hardwarefehlerkorrekturcodes und Korrektur von Einheitsfehlern

Löschen (0,5 bis 0,65 Mbit/s)

Option für gemischte Sektorgröße: 32 physikalische 4-Byte-Sektoren oben oder unten im Adressraum, alle verbleibenden Sektoren sind 64 Bytes, kompatibel mit S25FL-Geräten der vorherigen Generation

Einheitliche Sektoroption - Löschen Sie immer 256 Kilobyte-Blöcke für die Kompatibilität der Software mit höheren Dichten und zukünftigen Geräten

 

Interessenten können sich bitte an Herrn Chen wenden:

Tel: +86 13410018555

E-Mail: sales@hkmjd.com

Website des Unternehmens:Die Kommission hat die Kommission aufgefordert,

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ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Ansprechpartner: Mr. Sales Manager

Telefon: 86-13410018555

Faxen: 86-0755-83957753

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