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Firmenblog über Speicher-IC (4 GB) IS43LD32128B-18BLI, IS43LD32128B-18BPLI Dynamischer Random Access-Speicher

Bescheinigung
China ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. zertifizierungen
China ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. zertifizierungen
Kunden-Berichte
Versendet sehr schnell, und sehr hilfreich, neu und ursprünglich, würde in hohem Grade sich empfehlen.

—— Nishikawa aus Japan

Berufs- und schneller Service, annehmbare Preise für Waren. ausgezeichnete Kommunikation, Produkt wie erwartet. Ich empfehle in hohem Grade diesen Lieferanten.

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Ich empfehle Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd. für jedes Elektronikprojekt!

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Speicher-IC (4 GB) IS43LD32128B-18BLI, IS43LD32128B-18BPLI Dynamischer Random Access-Speicher
Neueste Unternehmensnachrichten über Speicher-IC (4 GB) IS43LD32128B-18BLI, IS43LD32128B-18BPLI Dynamischer Random Access-Speicher

Lieferung und Erwerb von Mingjiada Corporation Speicher-IC IS43LD32128B-18BLI, IS43LD32128B-18BPLI Dynamisches Zufallsspeicher 4G, 1.2/1.8V, LPDDR2, 128Mx32, 533MHz

 

Angebot und Nachfrage Modell: IS43LD32128B-18BLI, IS43LD32128B-18BPLI

Los: Neues

Packung: 134-TFBGA, 168-VFBGA

 

Langfristig hohe Bargeldpreise Recycling persönliche und Fabrik Inventar von elektronischen Komponenten, recycling nur formelle Kanalquellen, wie Agenten, Händler, Terminalfabriken.

 

Beschreibung des Produkts

IS43LD32128B-18BLI, IS43LD32128B-18BPLI sind 4Gbit CMOS LPDDR2 DRAMs. Das Gerät besteht aus acht 32-Bit 16-Megabyte-Wortgruppen.Dieses Produkt verwendet eine Dual-Datenrate-Architektur, um hohe Geschwindigkeiten zu erreichenDie Dual-Datenrate-Architektur ist im Wesentlichen eine 4N-Prefetch-Architektur mit einer Schnittstelle zur Übertragung von zwei Datenwörtern pro Taktzyklus auf die I/O-Pins.Es bietet eine vollständig synchronisierte Bedienung mit den aufsteigenden und absteigenden Kanten der UhrDer Datenpfad ist intern gepipelin und 4n-Bit vorgefragt, um eine sehr hohe Bandbreite zu erreichen.

 

Produktattribute

Speichertype: Flüchtig

Speicherformat: DRAM

Technologie: SDRAM - mobile LPDDR2-S4

Speicherkapazität: 4 GB

Speicherorganisation: 128M x 32

Speicheroberfläche: HSUL_12

Uhrfrequenz: 533 MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns

Zugangszeit: 5,5 ns

Spannung - Versorgung: 1,14 V ~ 1,3 V, 1,7 V ~ 1,95 V

Betriebstemperatur: -40 °C bis 85 °C (TC)

Anbauart: Oberflächenhalter

 

Für alle überschüssigen Lagerbestände, die entsorgt werden sollen, wenden Sie sich bitte telefonisch an Herrn Chen:

Tel: +86 13410018555

E-Mail: sales@hkmjd.com

Startseite URL:Die Kommission hat die Kommission aufgefordert,

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Kontaktdaten
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Ansprechpartner: Mr. Sales Manager

Telefon: 86-13410018555

Faxen: 86-0755-83957753

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