Firmenblog über [Lieferung] Infineon Siliziumkarbid MOSFET_IMZA120R014M1H_CoolSiC™ 1200 V, 14 mΩ SiC Trench MOSFET

Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd. bietet sofortige Verfügbarkeit des CoolSiC™ 1200 V, 14 mΩ SiC Trench-MOSFET von Infineon, dem IMZA120R014M1H, in einem TO247-4-Gehäuse.

IMZA120R014M1H Produktbeschreibung
Der IMZA120R014M1H ist ein CoolSiC™ 1200 V SiC MOSFET von Infineon Technologies, der fortschrittliche Trench-Halbleitertechnologie verwendet und ein optimales Gleichgewicht zwischen Leistung und Zuverlässigkeit bietet. Dieser IMZA120R014M1H SiC MOSFET, der in einem TO247-4-Gehäuse untergebracht ist, berücksichtigt Designaspekte, um parasitäre Source-Induktivitätseffekte zu minimieren und so schnellere Schaltgeschwindigkeiten und eine höhere Systemeffizienz zu ermöglichen.

Im Vergleich zu herkömmlichen Silizium-basierten Schaltelementen wie IGBTs und MOSFETs bietet der IMZA120R014M1H CoolSiC™ MOSFET eine Reihe von erheblichen Vorteilen: Er besitzt die niedrigsten Gate-Ladungs- und Bauelementkapazitätswerte unter den 1200 V Schaltelementen, verfügt über eine Body-Diode mit Null-Rückwärtsverlust, weist nahezu temperaturunabhängige Schaltverluste auf und bietet Einschaltcharakteristiken ohne Knie-Spannung. Diese Eigenschaften machen den IMZA120R014M1H sehr gut geeignet für Hard-Switching- und Resonanz-Switching-Topologien.

Der IMZA120R014M1H integriert die XT-Diffusionsbondtechnologie für überlegene thermische Leistung, während seine robuste, verlustarme Body-Diode besonders gut für anspruchsvolle Hard-Switching-Anwendungen geeignet ist.

Spezifikationen
Die wichtigsten technischen Parameter für den IMZA120R014M1H sind wie folgt:
FET-Typ: N-Kanal
Technologie: SiC FET (Siliziumkarbid)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 1200 V
Dauer-Drain-Strom (Id): 127 A (Tc)
Ansteuerspannung: 15 V, 18 V (Maximum Rds On, Minimum Rds On)
Einschaltwiderstand (Maximum): 18,4 mΩ @ 54,3 A, 18 V
Gate-Schwellenspannung (Vgs(th)): 5,2 V @ 23,4 mA
Gate-Ladung (Qg): 145 nC @ 18 V
Gate-Spannung (Vgs): +20 V, -5 V
Eingangskapazität (Ciss): 4580 pF @ 25 V
Verlustleistung (Max): 455 W (Tc)
Betriebstemperatur: -55°C bis 175°C (TJ)
Montageart: Durchsteckmontage
Gehäuse/Gehäuse: PG-TO247-4-8

Diese herausragenden Parameter zeigen, dass der IMZA120R014M1H eine außergewöhnliche Leistung und Stabilität in verschiedenen Hochspannungs- und Hochleistungsanwendungen liefert.

Merkmale des IMZA120R014M1H
VDSS = 1200 V bei Tvj = 25°C
IDDC = 127 A bei TC = 25°C
RDS(on) = 14 mΩ bei VGS = 18 V, Tvj = 25°C
Extrem geringe Schaltverluste
Kurzschlussfestigkeit: 3 µs
Referenz-Gate-Schwellenspannung, VGS(th) = 4,2 V
Beständig gegen parasitäre Leitung, ermöglicht Abschaltung bei 0 V Gate-Spannung
Robuste Body-Diode, geeignet für Hard-Switching
Infineon XT-Verbindungstechnologie liefert branchenführende thermische Leistung

Typische Anwendungen
Der IMZA120R014M1H CoolSiC™ MOSFET ist ideal für verschiedene Hochleistungs-Leistungselektronikanwendungen geeignet, einschließlich, aber nicht beschränkt auf:
Ladestationen für Elektrofahrzeuge: Effiziente, schnelle Leistungsumwandlung
Industrielle USV/Online-USV: Gewährleistung einer kontinuierlichen und stabilen Stromversorgung
Solaroptimierer und Universal-Treiber: Verbesserung der Effizienz von Solarenergieerzeugungssystemen
Leistungsfaktorkorrektur (PFC)-Schaltungen: Verbesserung der Netzqualität
Bidirektionale Topologien und DC-DC-Wandler: Ermöglichen bidirektionalen Energiefluss und DC-Spannungswandlung
DC-AC-Wechselrichter: Wandlung von Gleichstrom in Wechselstrom

Der IMZA120R014M1H zeichnet sich in diesen Anwendungen vor allem durch seine hervorragenden Schalteigenschaften und geringen Leitungsverluste aus. Er verbessert die Systemeffizienz und Leistungsdichte erheblich und reduziert gleichzeitig die Systemkomplexität und die Kühlungsanforderungen.

Kontaktinformationen
Sollten Sie an dem Infineon IMZA120R014M1H CoolSiC™ 1200 V SiC Trench-MOSFET interessiert sein, zögern Sie bitte nicht, sich an Mingjiada Electronics zu wenden.

Kontakt: Herr Chen
Telefon: +86 13410018555
E-Mail: sales@hkmjd.com
Website: www.integrated-ic.com