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Firmenblog über Versorgung [Infineon] IGT60R190D1SATMA1 N-Kanal-MOSFET-Transistoren, Versorgungsdioden, Thyristoren, Transistoren, Leistungsbetriebsmodule

Bescheinigung
China ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. zertifizierungen
China ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. zertifizierungen
Kunden-Berichte
Versendet sehr schnell, und sehr hilfreich, neu und ursprünglich, würde in hohem Grade sich empfehlen.

—— Nishikawa aus Japan

Berufs- und schneller Service, annehmbare Preise für Waren. ausgezeichnete Kommunikation, Produkt wie erwartet. Ich empfehle in hohem Grade diesen Lieferanten.

—— Luis aus den Vereinigten Staaten

Hohe Qualität und zuverlässige Leistung: "Die elektronischen Komponenten, die wir von [ShenZhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.] erhalten haben, sind von hoher Qualität und haben eine zuverlässige Leistung in unseren Geräten gezeigt".

—— Richardg aus Deutschland

Wettbewerbsfähige Preisgestaltung: Die von der E-Commerce-Firma angebotenen Preise sind sehr wettbewerbsfähig, was sie zu einer ausgezeichneten Wahl für unsere Beschaffungsbedürfnisse macht.

—— Tim aus Malaysia

Der Kundenservice ist hervorragend, immer hilfsbereit und sorgt dafür, dass unsere Bedürfnisse schnell erfüllt werden.

—— Vincent aus Russland

Tolle Preise, schnelle Lieferung und erstklassiger Kundenservice.

—— Nishikawa aus Japan

Zuverlässige Komponenten, schneller Versand und hervorragender Support.

—— Sam aus den Vereinigten Staaten

Ich empfehle Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd. für jedes Elektronikprojekt!

—— Lina aus Deutschland

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Versorgung [Infineon] IGT60R190D1SATMA1 N-Kanal-MOSFET-Transistoren, Versorgungsdioden, Thyristoren, Transistoren, Leistungsbetriebsmodule
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Versorgung [Infineon] IGT60R190D1SATMA1 N-Kanal-MOSFET-Transistoren, Versorgungsdioden, Thyristoren, Transistoren, Leistungsbetriebsmodule

 

MOSFET-Transistoren zur Versorgung

IGT60R190D1SATMA1 - 600V CoolGaNTM-Erweiterungsmodus-Leistungstransistor

FET-Typ
N-Kanal
Technologie
GaNFET (Galliumnitrid)
Abflussspannung zur Quelle (Vdss)
600 V
Strom - kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
12.5A (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id
1.6V @ 960μA
Vgs (maximal)
-10 V
Eintrittskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
157 pF @ 400 V
Leistungsausfall (maximal)
55.5W (Tc)
Betriebstemperatur
-55 °C bis 150 °C (TJ)
Typ der Montage
Oberflächenbefestigung
Lieferanten-Gerätepaket
PG-HSOF-8-3
Packung / Gehäuse
8-PowerSFN
Basisproduktnummer
IGT60R190

 

Eigenschaften
Verstärkungsmodus-Transistor
Ultra schnelle Umschaltung
Keine Rückforderungsgebühr
mit einer Leistung von mehr als 1000 W
Niedrige Torladung, niedrige Ausgangsladung
Überlegene Kommutationsrobustheit

 

Vorteile
Verbessert die Effizienz des Systems
Verbessert die Leistungsdichte
Ermöglicht eine höhere Betriebsfrequenz
Einsparungen bei Systemkostenreduzierung
Reduziert EMI

 

Häufig gestellte Fragen
Q. Sind Ihre Produkte originell?
A: Ja, alle Produkte sind Original, neues Original Import ist unser Ziel.
F: Welche Zertifikate haben Sie?
A: Wir sind ein ISO 9001:2015 zertifiziertes Unternehmen und Mitglied der ERAI.
F: Können Sie kleine Bestellmengen oder Proben unterstützen?Ist die Probe kostenlos?
A: Ja, wir unterstützen die Bestellung von Proben und kleine Bestellung. Die Kosten für Proben sind je nach Bestellung oder Projekt unterschiedlich.
F: Wie kann ich meine Bestellung versenden? Ist sie sicher?
A: Wir benutzen Express zum Versand, wie DHL,Fedex,UPS,TNT,EMS. Wir können auch Ihren vorgeschlagenen Spediteur verwenden.Die Produkte werden in guter Verpackung sein und die Sicherheit gewährleisten und wir sind für Produktschäden an Ihrer Bestellung verantwortlich.
F: Was ist mit der Vorlaufzeit?
A:Wir können Bestandteile innerhalb von 5 Werktagen versenden.Wenn keine Bestände vorhanden sind, bestätigen wir die Lieferzeit für Sie basierend auf Ihrer Bestellmenge.

Kneipen-Zeit : 2024-03-02 11:16:33 >> Nachrichtenliste
Kontaktdaten
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Ansprechpartner: Mr. Sales Manager

Telefon: 86-13410018555

Faxen: 86-0755-83957753

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