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Firmenblog über Versorgung [Infineon] IGBT-Transistor IKW40N65H5: 650V, 40A Hochgeschwindigkeits-Hard-Switching-TrenchStop® IGBT5-Transistor

Bescheinigung
China ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. zertifizierungen
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Versorgung [Infineon] IGBT-Transistor IKW40N65H5: 650V, 40A Hochgeschwindigkeits-Hard-Switching-TrenchStop® IGBT5-Transistor
Neueste Unternehmensnachrichten über Versorgung [Infineon] IGBT-Transistor IKW40N65H5: 650V, 40A Hochgeschwindigkeits-Hard-Switching-TrenchStop® IGBT5-Transistor

Versorgung [Infineon] IGBT-TransistorIKW40N65H5: 650V, 40A Hochgeschwindigkeits-Hard-Switching-TrenchStop® IGBT5 Transistor

 

Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd. wurde von der chinesischen Behörde für die elektronische Ausrüstung und -technologie ermittelt.¢ Versorgung [Infineon]IKW40N65H5: 650 V IGBT-Transistor mit Anti-Paralleldiode im TO-247 Paket.

 

Teilnummer:IKW40N65H5
Paket: TO-247-3
Typ: IGBT-Transistor

 

Produktübersicht vonIKW40N65H5

IKW40N65H5ist ein High Speed 650V, 40A Hard-Switching TRENCHSTOPTM IGBT5-Transistor, der mit einer schnellen und weichen RAPID-1-Anti-Paralleldiode in einem TO-247-Paket verpackt ist und als "best-in-class" IGBT definiert wird.

 

IKW40N65H5ist ein N-Kanal-IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) mit Infineons TrenchStop®-Technologie, entwickelt für Hochleistungs-Schaltanwendungen.

 

IKW40N65H5¢Seine hohen Spannungs-, hohen Strom- und geringen Verlusteigenschaften machen es zu einem hervorragenden Antrieb in Bereichen wie Industrieantrieb, erneuerbare Energien und Haushaltsgeräte.

 

IKW40N65H5“Spezifikationsparameter

Parameter IKW40N65H5
Eabgeschaltet(Hard schaltet) 0.12 mJ
Eauf 0.39 mJ
Ich...C@ 25°maximal 74 A
Ich...C@ 100°maximal 46 A
Ich...Cpuls maximal 120 A
Ich...F maximal 36 A
Ich...Fpuls maximal 120 A
Ich...RRm 12.5 A
PNachweis maximal 255 W
Paket TO-247-3
QTor 95 n.C.
QRR 450 n. Chr.
RG 15 Ω
SchaltfrequenzMin. maximal 30 kHz 100 kHz
Schaltfrequenz TrenCHSTOPTM5 30-100 kHz
Technologie IGBT TRENCHSTOPTM 5
VCE (Sat) 1.65 V
VCE-Nummern maximal 650 V
VF 1.45 V
tAusgeschaltet 165 ns
t(Auf) 22 ns
tf 13 ns
tr 12 ns

 

Schlüsselmerkmale vonIKW40N65H5
Nennspannung: 650V
Nennstrom: 40A
Niedriger Leitungsausfall: Reduzierter Leitungsausfall mit der TrenchStop®-Technologie
Schnelle Schaltung: Hohe Schaltfrequenz für eine höhere Effizienz
Hohe Zuverlässigkeit: Robustes Design für raue Umgebungen

 

Elektrische Eigenschaften vonIKW40N65H5
Spannung zwischen Kollektor und Emitter: 650 V
Sammlerstrom: 40A
Maximaler Stromverbrauch: 300 W
Spannungsabfall im Betriebszustand: 1,7 V (typisch)

 

AnwendungsbereicheIKW40N65H5
Industrieantriebe: Motorsteuerung, Wechselrichter
Erneuerbare Energien: Solarumrichter, Windenergie
Schweißgeräte: Hochleistungs-Schweißstromversorgungen
Haushaltsgeräte: Inverter-Klimaanlagen, Waschmaschinen

 

IKW40N65H5ist ein IGBT-Transistor mit TrenchStop®-Technologie für hocheffiziente Schaltanwendungen in einer Vielzahl von Anwendungen wie Industrieantriebe, Solarumrichter und Schweißgeräte.

 

IKW40N65H5ist ein leistungsstarker IGBT-Transistor, der die TrenchStop®-Technologie und ein TO-247-Paket für hocheffiziente, zuverlässige Schaltanwendungen kombiniert.

 

IKW40N65H5- mit seinen Eigenschaften von geringem Verlust, schnellerem Schalten und hoher Leistungsdichte - bietet eine breite Palette von Anwendungen in Bereichen wie Industrie, erneuerbare Energien und Haushaltsgeräte.

 

Produktattribute vonIKW40N65H5

Serie: TrenchStop®
Spannung - Abbau des Sammleremitters (maximal): 650 V
Strom - Kollektor (Ic) (maximal): 74 A
Strom - Kollektorpulse (Icm): 120 A
Vce ((on) (Max) @ Vge, Ic: 2,1 V @ 15 V, 40 A
Leistung - Max: 255 W
Schaltenergie: 390 μJ (an), 120 μJ (aus)
Eingabetyp: Standard
Schleusenladung: 95 nC
Td (an/aus) @ 25°C: 22ns/165ns
Prüfbedingungen: 400 V, 20 A, 15 Ohm, 15 V
Rückgewinnungszeit (trr): 62 ns
Betriebstemperatur: -40 °C bis 175 °C (TJ)
Anbauart: Durch Loch
Paket / Fall: TO-247-3
Einheit des Lieferanten: PG-TO247-3

 

IKW40N65H5Zusammenfassung der Merkmale

650 V Durchbruchsspannung
Verglichen mit der besten HighSpeed 3-Familie der Klasse
Faktor 2,5, niedriger Qg
Faktor 2 Verringerung der Verluste bei Wechseln
200 mV Verringerung der VCEsat
Mit Rapid Si-Diode-Technologie verpackt
Niedrige COES/EOSS
Leichte positive Temperaturkoeffizient VCEsat
Temperaturstabilität von Vf

 

Typischer Anwendungskreislauf vonIKW40N65H5
DieIKW40N65H5wird häufig in Halbbrücken- oder Vollbrücken-Topologien verwendet, zum Beispiel:
- Halbbrücke-Wechselrichter: in Antrieben von Motoren oder Solarwechselrichter verwendet.
- Vollbrückenrichter: für Hochfrequenz-Schaltnetzteile.

 

Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd. wurde von der chinesischen Behörde für die elektronische Ausrüstung und -technologie ermittelt.“Langfristige Versorgung [Infineon]IKW40N65H5IGBT Transistor, unser Unternehmen hat solide und zuverlässige Versorgungskanäle, um die Stabilität und Zuverlässigkeit der Produktversorgung zu gewährleisten.

 

Mit seinen Eigenschaften hoher Spannung, hoher Strom und geringer VerlusteIKW40N65H5ist ideal für Hochleistungs-Schaltanwendungen in einer breiten Palette von

Anwendungsbereich für Industrie- und Unterhaltungselektronik.

 

Weitere Informationen finden Sie auf der Website von Minjata Electronics (Die Kommission hat die Kommission aufgefordert, die folgenden Informationen zu übermitteln:)

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Telefon: 86-13410018555

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