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Firmenblog über Versorgung mit Infineon Gate-Treiber-ICs, Versorgung mit IRS2186STRPBF 600V EiceDRIVER High Side und Low Side Gate-Treiber-IC

Bescheinigung
China ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. zertifizierungen
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Kunden-Berichte
Versendet sehr schnell, und sehr hilfreich, neu und ursprünglich, würde in hohem Grade sich empfehlen.

—— Nishikawa aus Japan

Berufs- und schneller Service, annehmbare Preise für Waren. ausgezeichnete Kommunikation, Produkt wie erwartet. Ich empfehle in hohem Grade diesen Lieferanten.

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—— Nishikawa aus Japan

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Versorgung mit Infineon Gate-Treiber-ICs, Versorgung mit IRS2186STRPBF 600V EiceDRIVER High Side und Low Side Gate-Treiber-IC
Neueste Unternehmensnachrichten über Versorgung mit Infineon Gate-Treiber-ICs, Versorgung mit IRS2186STRPBF 600V EiceDRIVER High Side und Low Side Gate-Treiber-IC

Infineon-Gate-Treiber-ICs, LieferungIRS2186STRPBF600V EiceDRIVER Hochseite und Niedrigseite Gate Driver IC

 

Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd. wurde von der chinesischen Behörde für die elektronische Ausrüstung und -technologie ermittelt.¢Langfristige Versorgung von Infineon (IRS2186STRPBF) High-Side- und Low-Side-Gate-Driver IC, Im Folgenden finden Sie Produktdetails für IRS2186STRPBF:

 

IRS2186STRPBFGrundlegende Informationen:
Teilnummer:IRS2186STRPBF
Paket: SOIC-8
Typ: High-Side und Low-Side Gate Driver IC
Produktdetails: IRS2186STRPBF ′′EiceDRIVERTM 600V High- und Low-Side Gate Driver IC mit typischer 4A-Quelle und 4A-Sinkströmen in 8 Lead-SOIC-Paketen für IGBTs und MOSFETs.

 

Übersicht über die IRS2186STRPBF
IRS2186STRPBF sind Hochspannungs- und Hochgeschwindigkeits-MOSFET- und IGBT-Treiber mit unabhängigen hochseitigen und niedrigseitigen referenzierten Ausgangskanälen.

IRS2186STRPBF® Eigentümliche HVIC- und schließimmun CMOS-Technologien ermöglichen eine robuste monolithische Konstruktion.

IRS2186STRPBF ◄ Die Ausgangs-Treiber verfügen über eine Pufferstufe mit hohem Impulsstrom, die für eine minimale Treiber-Kreuzleitung ausgelegt ist.Der schwimmende Kanal kann verwendet werden, um ein N-Kanal-Power-MOSFET oder IGBT in der High-Side-Konfiguration zu betreiben, die bis zu 600V arbeitet.

 

Produktattribute von IRS2186STRPBF

Antriebskonfiguration: Hochseite oder Niedrigseite
Kanaltyp: Unabhängig
Anzahl der Fahrer: 2
Schnittstelle: IGBT, MOSFET (N-Kanal)
Spannung - Versorgung: 10V ~ 20V
Logische Spannung - VIL, VIH: 0,8V, 2,5V
Strom - Spitzenleistung (Quelle, Sink): 4A, 4A
Eingabetyp: Nicht umkehrbar
Hochseitige Spannung - Max (Bootstrap): 600 V
Aufstiegszeit (Typ): 22n, 18n
Betriebstemperatur: -40 °C bis 150 °C (TJ)
Anbauart: Oberflächenhalter
Packung / Gehäuse: 8-SOIC (0,154", 3,90 mm Breite)
Ausrüstungspaket des Lieferanten: 8-SOIC

 

IRS2186STRPBF ◄ Funktionsblockdiagramm

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IRS2186STRPBF~Zusammenfassung der Merkmale
Schwebender Kanal für Bootstrap-Betrieb
Vollfunktionsfähigkeit bei +600 V
Toleranz gegenüber negativer transienter Spannung, dV/dt immun
Versorgungsbereich des Torantriebs von 10 V bis 20 V
Unterspannungssperre für beide Kanäle
3.3 V und 5 V Eingangslogik kompatibel
Entsprechende Verbreitungsverzögerung für beide Kanäle
Logik- und Leistungsgrundung +/- 5 V Offset
Niedrigere Di/dt-Tor-Treiber für eine bessere Lärmsicherheit
Ausgangsquelle/Sinkstromfähigkeit 4A/4A

 

Anträge der IRS2186STRPBF
Staubsauger ohne Kabel
Haushaltsgeräte
Industrieautomation
Leichte elektrische Fahrzeuge (LEV)
Stromübertragung und -verteilung

 

IRS2186STRPBF  Typisches Verbindungsdiagramm

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[Mingjiada Elektronik]Langfristige Versorgung (IRS2186STRPBF) High-Side And Low-Side Gate Driver IC, Für weitere Produktinformationen über den Gate Driver IRS2186STRPBF wenden Sie sich bitte an Mingjiada Electronics.
URL der Firma:Die Kommission hat die Kommission aufgefordert, die folgenden Informationen zu übermitteln:

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Kontaktdaten
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Ansprechpartner: Mr. Sales Manager

Telefon: 86-13410018555

Faxen: 86-0755-83957753

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