Firmenblog über Liefern Sie Infineon GaN-Produkt: GaN Bidirektionaler Schalter, GaN-Controller, GaN Smart, GaN-Transistor

Liefern von Infineon GaN-Produkten: GaN Bidirektionaler Schalter, GaN-Controller, GaN Smart, GaN-Transistor

Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.,als führender Lieferant elektronischer Komponenten in China nutzt sein robustes Lieferkettennetzwerk und seine professionellen Branchenservicefähigkeiten, um Kunden stabile und zuverlässige Originalprodukte anzubieten.

Hauptprodukte umfassen:5G-Chips, neue Energie-ICs, IoT-ICs, Bluetooth-ICs, Fahrzeugvernetzungs-ICs, Automobil-ICs, Kommunikations-ICs, künstliche Intelligenz-ICs, Speicher-ICs, Sensor-ICs, Mikrocontroller-ICs, Transceiver-ICs, Ethernet-ICs, WiFi-Chips, drahtlose Kommunikationsmodule, Steckverbinder und andere elektronische Komponenten.

Das Unternehmen hat folgende Kernvorteile in der Versorgung:

Direktbelieferung von Originalherstellern und Qualitätssicherung: Alle Produkte werden über autorisierte Kanäle bezogen, um 100 % Originalprodukte zu gewährleisten, mit vollständigen Chargennummern des Originalherstellers.

Skalierbare Beschaffung und Kostenoptimierung: Durch die enge Zusammenarbeit mit mehreren bekannten Marken und den Vorteil der groß angelegten Beschaffung kann das Unternehmen die Gesamtkosten für elektronische Komponenten erheblich senken und den Kunden äußerst wettbewerbsfähige Preise anbieten.

Flexible und schnelle Lieferfähigkeiten: Das zentrale Lager in Shenzhen und das Freilager in Hongkong arbeiten Hand in Hand und unterstützen den Expressversand innerhalb von 48 Stunden, wobei dringende Bestellungen innerhalb von 24 Stunden im Inland versendet werden können.

Galliumnitrid (GaN)

CoolGaN™ – Diskrete Bauelemente und integrierte Lösungen, die höchste Effizienz und Leistungsdichte für Unterhaltungselektronik, Industrie und Automobilanwendungen liefern.

Infineon GaN Bidirektionale Schalter Produkte und Anwendungen

Die bidirektionalen Schalter (BDS) der CoolGaN™-Serie von Infineon stellen eine bedeutende Innovationsrichtung für die GaN-Technologie in Stromwandleranwendungen dar. Die 40-V-Bidirektionalschalter von Infineon werden mit fortschrittlicher GaN-on-Si-Prozesstechnologie hergestellt, wobei zwei Hochleistungs-GaN-HEMTs (High Electron Mobility Transistors) integriert werden, um eine bidirektionale Stromregelung in einem einzigen Gehäuse zu ermöglichen, was das Schaltungsdesign erheblich vereinfacht und die Systemzuverlässigkeit erhöht. Diese Bauelemente zeichnen sich durch einen extrem niedrigen Einschaltwiderstand (typische Werte von 1,1 mΩ bis 2,3 mΩ) und ultraschnelle Schaltgeschwindigkeiten aus, die Betriebsfrequenzen von bis zu 2 MHz unterstützen – das 5- bis 10-fache der Leistung herkömmlicher Silizium-basierter MOSFETs – wodurch sie sich besonders für Anwendungen eignen, die einen Hochfrequenzbetrieb mit hohem Wirkungsgrad erfordern.

Der technologische Kernvorteil von GaN-Bidirektionalschaltern liegt in der Abwesenheit von Body-Dioden-Rückgewinnungseigenschaften. Im Gegensatz zu Silizium-basierten Bauelementen erzeugen GaN-Bauelemente während der Rückwärtsleitung keinen Rückgewinnungsstrom, wodurch die Schaltverluste und EMI-Probleme, die durch die Body-Dioden-Rückgewinnung in herkömmlichen MOSFETs verursacht werden, grundsätzlich eliminiert werden. Die CoolGaN™-Bidirektionalschalter von Infineon verwenden auch eine innovative Gate-Treibertechnologie, um die Bauelementestabilität und -zuverlässigkeit unter Hochfrequenz-Schaltbedingungen zu gewährleisten und gleichzeitig das Treiber-Schaltungsdesign zu vereinfachen. Diese Eigenschaften ermöglichen es GaN-Bidirektionalschaltern, in Anwendungen, die einen bidirektionalen Energiefluss erfordern, wie z. B. synchrone Gleichrichtung, Motorantriebs-H-Brücken und drahtloses Laden, außergewöhnlich gut zu arbeiten.

Infineon GaN Controller und Smart Device Lösungen

Die GaN-Controller-Produktlinie von Infineon umfasst eigenständige Gate-Treiber und hochintegrierte intelligente Leistungsmodule (IPMs), die für die einzigartigen Eigenschaften von GaN-Leistungsbauelementen optimiert sind, um die Vorteile der Hochfrequenz und des hohen Wirkungsgrads der GaN-Technologie voll auszuschöpfen. Insbesondere intelligente Leistungs-ICs wie der NV6133A, die GaN-Schalter und -Treiber integrieren, nutzen die GaNSense™-Technologie, um verlustfreies Stromsensing und umfassende Schutzfunktionen zu ermöglichen, wodurch das Systemdesign erheblich vereinfacht und die Zuverlässigkeit erhöht wird.

Der GaNFast™-Leistungs-IC ist die Flaggschiff-Serie in der GaN-Controller-Produktlinie von Infineon. Der NV6133A-Chip integriert Hochleistungs-GaN-Schalter und -Treiber, unterstützt einen weiten VCC-Bereich von 10 bis 30 V, bietet programmierbares Einschalten dV/dt und bietet eine dV/dt-Immunität von 200 V/ns. Das Bauelement verfügt über eine transienten Spannungsfestigkeit von 800 V und eine Dauerbetriebsspannung von 700 V, mit einem Einschaltwiderstand von nur 330 mΩ und Unterstützung für Betriebsfrequenzen von bis zu 2 MHz. Seine integrierte GaNSense™-Technologie bietet intelligente Funktionen wie Kurzschlussschutz, Übertemperaturschutz und einen autonomen Low-Current-Standby-Modus, wodurch Leistungsverluste durch Abtastwiderstände in herkömmlichen Designs eliminiert und die Systemeffizienz und -zuverlässigkeit weiter verbessert werden.

Infineon GaN-Transistor-Serie

Die GaN-Transistor-Produktlinie von Infineon deckt ein breites Spektrum an Anwendungsanforderungen von mittlerer bis hoher Spannung ab, einschließlich der vollständigen Serie von GaN-Transistoren wie CoolGaN™ G3 (mittlere Spannung), CoolGaN™ G5 (hohe Spannung) und der industriellen IGT-Serie. Diese Bauelemente werden mit fortschrittlichen 8-Zoll-Wafer-Prozessen hergestellt, wodurch die Leistungsdichte, die Schaltfrequenz und die thermische Managementleistung erheblich verbessert werden, wodurch sie sich für modernste Anwendungen von der Unterhaltungselektronik bis zu industriellen Netzteilen eignen.

Die CoolGaN™ G3-Serie ist für Mittelspannungsanwendungen optimiert, mit einem Spannungsbereich von 40 V bis 120 V. Sie verwendet standardisierte RQFN 5x6- und 3,3x3,3-Gehäuse, die mit herkömmlichen Silizium-basierten MOSFET-Pins kompatibel sind, was die Designmigration für Kunden erleichtert. Diese Bauelemente zeichnen sich durch einen extrem niedrigen Einschaltwiderstand (1,1 mΩ bis 2,3 mΩ) und eine ausgezeichnete thermische Zyklenstabilität aus, wodurch sie sich besonders für Hochfrequenz-Schaltanwendungen eignen. In USB-C-Schnellladedesigns erreichen die G3-Serie-GaN-Transistoren einen Wirkungsgrad von über 95 % und reduzieren gleichzeitig die Größe des Netzteils um über 50 %; in Motorantrieben und Telekommunikationsnetzteilen tragen ihre Hochfrequenzeigenschaften dazu bei, die Größe der Filterkomponenten zu reduzieren und die Steuerbandbreite zu erhöhen.

Die CoolGaN™ G5-Serie ist das Flaggschiffprodukt von Infineon für Hochspannungsanwendungen, das bei Spannungen bis zu 650 V arbeitet. Sie verwendet die innovative GIT-Technologie (Gate Injection Transistor) und erzielt eine Effizienzverbesserung von 3 % bis 5 % gegenüber früheren Generationen. Die G5-Serie-GaN-Transistoren zeichnen sich durch extrem geringe Schaltverluste aus, unterstützen Betriebsfrequenzen von Hunderten von kHz bis MHz und bieten gleichzeitig eine ausgezeichnete dv/dt-Immunität und Kurzschlussfestigkeit. In Photovoltaik-Wechselrichteranwendungen erreichen G5-Bauelemente einen Wirkungsgrad von über 99 %, wodurch die Energieausbeute von Stromerzeugungssystemen erheblich gesteigert wird. In Server-Netzteilen und On-Board-Ladegeräten (OBCs) für Elektrofahrzeuge ermöglicht ihre hohe Leistungsdichte kompaktere Systemdesigns.