Firmenblog über Lieferung Infineon AUIRF7749L2TR 10.7th Generation OptiMOS™ Automotive Grade N-Channel MOSFET

Im Folgenden finden Sie die Produktbeschreibung für den Infineon AUIRF7749L2TR 60V N-Kanal Automotive MOSFET, geliefert von Mingjiada:
Der AUIRF7749L2TR ist der OptiMOS™ Automotive-Grade N-Kanal MOSFET der 10. Generation von Infineon, der fortschrittliche HEXFET® Leistungs-MOSFET-Siliziumtechnologie und DirectFET™ Gehäusetechnologie bietet, die speziell für Anwendungen mit hoher Leistungsdichte und hohem Wirkungsgrad entwickelt wurde. Der AUIRF7749L2TR zeichnet sich durch einen extrem niedrigen Einschaltwiderstand (RDS(on)) aus, wodurch er sich für anspruchsvolle Automotive-Umgebungen wie 48V Mild-Hybrid-Systeme (MHEV), Motorantriebe und DC-DC-Wandler eignet.

Der AUIRF7749L2TR hat die gleichen Gehäuseabmessungen wie der D-Pak (TO-252AA), jedoch mit einer Dicke von nur 0,7 mm, unterstützt die zweiseitige Wärmeableitung und optimiert die thermische Managementleistung. Der AUIRF7749L2TR entspricht der AEC-Q101-Zertifizierung und erfüllt die hohen Zuverlässigkeitsanforderungen von Automotive-Stromversorgungssystemen.

Wichtige Parameter
Produktmodell: AUIRF7749L2TR
Spannungsfestigkeit: 60V
Kanaltyp: N-Kanal
Maximaler Einschaltwiderstand (RDS(on)): 1,5 mΩ @ 120A, 10V
Dauer-Drain-Strom (ID): 36A (Ta) / 345A (Tc)
Gate-Ladung (Qg): 275nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss): 10655pF @ 25V
Betriebstemperaturbereich: -55°C bis 175°C (TJ)
Gehäuse: DirectFET L8 (9,15×7,1×0,74 mm)

Die schnellen Schaltleistungen des AUIRF7749L2TR (149 ns Anstiegszeit, 88 ns Abfallzeit) machen ihn für Hochfrequenz-Schaltanwendungen geeignet. Die geringen parasitären Parameter und die hohe Leistungsdichte des AUIRF7749L2TR verbessern die Systemeffizienz zusätzlich.

Hauptmerkmale des AUIRF7749L2TR
Ultra-niedriger Verlust: Der extrem niedrige RDS(on) von 1,5 mΩ des AUIRF7749L2TR reduziert die Verlustleistung erheblich und verbessert die Energieeffizienz.
Hohe Strombelastbarkeit: Der AUIRF7749L2TR unterstützt einen Spitzenstrom von 345 A (Tc), wodurch er sich für das Schalten von Hochlasten eignet.
Optimiertes Wärmemanagement: Der AUIRF7749L2TR verfügt über ein zweiseitiges Kühlungsdesign zur Verbesserung der Wärmeableitungsleistung, wodurch er sich für Hochtemperaturumgebungen eignet.
Automotive-Grade-Zuverlässigkeit: Der AUIRF7749L2TR ist AEC-Q101-zertifiziert und erfüllt die strengen Standards der Automobilelektronik.
Kompaktes Gehäuse: Das DirectFET L8-Gehäuse des AUIRF7749L2TR spart Leiterplattenfläche und eignet sich somit für kompakte Designs.

Typische Anwendungen des AUIRF7749L2TR
48V Mild-Hybrid-Systeme (MHEV): Der AUIRF7749L2TR wird für die effiziente Energierückgewinnung und -verteilung verwendet.
Motorantrieb: Der AUIRF7749L2TR eignet sich für die Motorsteuerung in Elektrofahrzeugen (EV) und Hybrid-Elektrofahrzeugen (HEV).
DC-DC-Wandler: Der hohe Wirkungsgrad des AUIRF7749L2TR optimiert die Leistungsumwandlung.
Hochlast-Energiemanagement: Der AUIRF7749L2TR eignet sich für Automotive-Batteriemanagementsysteme (BMS) und Wechselrichter.

Lieferinformationen
Mingjiada Electronics bietet Originalprodukte des AUIRF7749L2TR mit Lagerbestand für eine schnelle Lieferung. Für Einkäufe oder technische Anfragen wenden Sie sich bitte an Mingjiada Electronics (Telefon: +86 13410018555, E-Mail: sales@hkmjd.com, Website: https://www.integrated-ic.com/).