Hinterlass eine Nachricht
Wir rufen Sie bald zurück!
Ihre Nachricht muss zwischen 20 und 3.000 Zeichen enthalten!
Bitte überprüfen Sie Ihre E-Mail!
Mehr Informationen ermöglichen eine bessere Kommunikation.
Erfolgreich eingereicht!
Wir rufen Sie bald zurück!
Hinterlass eine Nachricht
Wir rufen Sie bald zurück!
Ihre Nachricht muss zwischen 20 und 3.000 Zeichen enthalten!
Bitte überprüfen Sie Ihre E-Mail!
—— Nishikawa aus Japan
—— Luis aus den Vereinigten Staaten
—— Richardg aus Deutschland
—— Tim aus Malaysia
—— Vincent aus Russland
—— Nishikawa aus Japan
—— Sam aus den Vereinigten Staaten
—— Lina aus Deutschland
Lieferung Infineon AIKBE50N65RF5 Automotive SiC Hybrid Diskreter IGBT-Transistor
Beschreibung
AIKBE50N65RF5 has developed a hybrid of 650V TRENCHSTOP™ 5 AUTO fast-switching IGBT and CoolSiC™ Schottky Diode to enable a cost-efficient performance boost for fast switching automotive applications such as On-Board Charger- Ich bin nicht derjenige.
Eigenschaften
650 V Ausfallspannung
IC = 50 A
Beste Effizienz in ihrer Klasse
TrenchstopTM 5 mit schneller Umschaltung
CoolSiCTM Schottky-Diode G5
Niedrige Torentgelder QG
Maximale Knotentemperatur Tvjmax = 175°C
Verbindung zum Kelvin-Emitter
Vorteile
Höchste Zuverlässigkeit bei Umgebungsbedingungen
Erhöhte Systemeffizienz
Beste Leistungs-Kosten-Verhältnis für Hard-Switching-Topologien
Unterstützung von bidirektionalen On-Board-Ladegeräten
Anwendungen
Ein Bordladegerät
Gleichspannungsumrichter