Firmenblog über [Versorgung] FF4000UXTR33T2M1 (Infineon) Siliziumkarbid-MOSFET-Module: 3,3 kV XHPTM 2 CoolSiCTM MOSFET Halbbrückenmodule

[Versorgung]FF4000UXTR33T2M1(Infineon) Siliziumkarbid-MOSFET-Module: 3,3 kV XHPTM 2 CoolSiCTM MOSFET Halbbrückenmodule

FF4000UXTR33T2M1: XHP 2 CoolSiCTM MOSFET Halbbrückenmodule sind für hohe Leistung und Zuverlässigkeit konzipiert.mit einem Spitzenstrom von 1000 A, mit einer Betriebstemperatur von bis zu +175°C.

FF4000UXTR33T2M1Die Module bieten geringe Schaltverluste und eine hohe Stromdichte, was durch eine geringe Induktionstechnik ermöglicht wird.die Module bieten eine hohe Leistungsdichte in einem Paket mit einem Comparative Tracking Index (CTI) von mehr als 600Eine AlSiC-Basisplatte verbessert die thermischen Zyklusfähigkeiten und macht diese Module ideal für anspruchsvolle Anwendungen.

Spezifikation vonFF4000UXTR33T2M1

Merkmale derFF4000UXTR33T2M1
• Elektrische Eigenschaften
- VDSS = 3300 V
- IDN = 500 A / IDRM = 1000 A
- Tvj,op = 175°C
- Niedrige Umschaltverluste
- Hohe Stromdichte
- Niedrig induktive Konstruktion
• Mechanische Eigenschaften
- Hohe Leistungsdichte
- Paket mit CTI > 600
- Hohe Klettern- und Freifahrdistanzen
- AlSiC-Basisplatte für eine erhöhte Wärmekapazität
- AlN-Substrat mit geringer Wärmebeständigkeit

Potenzielle Anwendungen vonFF4000UXTR33T2M1
• Traktionsantriebe
• Hochleistungsumwandler
• Hochfrequenzschaltanwendung

Diagramme vonFF4000UXTR33T2M1

FF4000UXTR33T2M1: XHPTM 2 CoolSiCTM MOSFET Halbbrückenmodul 3.3kV, 4.0mΩ mit.XT-Verbindungstechnologie zur Dekarbonisierung des Transports.

Produktattribute vonFF4000UXTR33T2M1

Serie: XHPTM2
Technologie: Siliziumkarbid (SiC)
Aufbau: 2 N-Kanal (Halbbrücke)
Abflussspannung zur Quelle (Vdss): 3300V (3,3kV)
Strom - kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C: 500A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4,8mOhm @ 500A, 15V
Vgs ((th) (Max) @ Id: 5,55V @ 450mA
Schaltvorrichtung (Qg)
Eintrittskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 101000pF @ 1800V
Betriebstemperatur: -40 °C bis 175 °C (TJ)
Anbauart: Chassis-Anbau
Packung / Gehäuse: Modul

FF4000UXTR33T2M1- Zusammenfassung der Merkmale

MOSFET mit CoolSiCTM 3,3 kV
integrierte Karosseriediode
XHPTM 2 Gehäuse
.XT-Verbindungstechnologie

Vorteile vonFF4000UXTR33T2M1

Energieeffizienz
Hohe Leistungsdichte
Verlängerte Lebensdauer

AnwendungenFF4000UXTR33T2M1
Energiespeichersysteme
Wasserstoff-Elektrolyse
Photovoltaik
Traktion

URL der Firma: Die Kommission hat die Kommission aufgefordert, die folgenden Informationen zu übermitteln:

Häufig gestellte Fragen
Q. Sind Ihre Produkte originell?
A: Ja, alle Produkte sind Original, neues Original Import ist unser Ziel.
F: Welche Zertifikate haben Sie?
A: Wir sind ein ISO 9001:2015 zertifiziertes Unternehmen und Mitglied der ERAI.
F: Können Sie kleine Bestellmengen oder Proben unterstützen?Ist die Probe kostenlos?
A: Ja, wir unterstützen die Bestellung von Proben und kleine Bestellung. Die Kosten für Proben sind je nach Bestellung oder Projekt unterschiedlich.
F: Wie kann ich meine Bestellung versenden? Ist sie sicher?
A: Wir benutzen Express zum Versand, wie DHL,Fedex,UPS,TNT,EMS. Wir können auch Ihren vorgeschlagenen Spediteur verwenden.Die Produkte werden in guter Verpackung sein und die Sicherheit gewährleisten und wir sind für Produktschäden an Ihrer Bestellung verantwortlich.
F: Was ist mit der Vorlaufzeit?
A:Wir können Bestandteile innerhalb von 5 Werktagen versenden.Wenn keine Bestände vorhanden sind, bestätigen wir die Lieferzeit für Sie basierend auf Ihrer Bestellmenge.