Firmenblog über MOSFET IAUT300N08S5N014 N-Kanal für den Automobilbereich - Erweiterter Modus

MOSFET IAUT300N08S5N014 Oberflächenaufbau N-Kanal 80 V 300A(DC) 300W(Tc) PG-HSOF-8-1

Modellnummer: IAUT300N08S5N014

Jahr: Neues

Beschreibung: 80V, N-Ch, max. 1,4 mΩ, Transistor für den Automobilbereich MOSFET, TOLL, OptiMOSTM-5.

Produktattribute

Serie: OptiMOSTM-5

Paket: Band und Rolle (TR) Schnittband (CT)

Status des Produktes: im Verkauf

FET-Typ: N-Kanal

Technologie: MOSFET (Metalloxid)

Auslaufspannung (Vdss): 80 V

Strom bei 25°C - Dauerdurchfluss (Id): 300A (DC)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V

Ansprechwiderstand (max.) bei unterschiedlichen Id, Vgs: 1,4 mOhm @ 100A, 10V

Vgs ((th) bei unterschiedlichen Id (max): 3,8V @ 230μA

Schnittstellen (Qg) bei Vgs (max): 187 nC @ 10 V

Vgs (maximal): ±20V

Eingangskapazität (Ciss) bei unterschiedlichen Vds (max.): 13178 pF @ 40 V

Leistungsausfall (maximal): 300 W (Tc)

Betriebstemperatur: -55 °C bis 175 °C (TJ)

Anbauart: Oberflächenhalter

Einheit des Lieferanten: PG-HSOF-8-1

Paket/Housing: 8-PowerSFN

Zusammenfassung

Die OptiMOSTM 5-Leistungs-MOSFETs von Infineon wurden entwickelt, um die Notwendigkeit einer erhöhten Systemeffizienz zu decken und gleichzeitig die Systemkosten zu senken.Diese Geräte haben einen niedrigeren RDS- und Qualitätsfaktor (RDS- und Qualitätsfaktor) als andere Alternativen. Mit Hilfe neuer Siliziumtechnologie werden sie optimiert, um die Anforderungen an Energieeffizienz und Leistungsdichte zu erfüllen und zu übertreffen.Datencom- und Client-Anwendungen im ComputingSie können auch für die synchrone Berichtigung in Schaltmodus-Stromversorgungen (SMPS) sowie für die Steuerung von Motoren, Mikro-Solar-Wechselrichter und schnelle DC/DC-Wandleranwendungen verwendet werden.

Das Unternehmen recyceln Infineon IAUT300N08S5N014 MOSFETs für den Automobilbereich zu hohen Preisen und recyceln nur regelmäßige Kanalquellen wie Agenten, Händler, Endfabriken usw.

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