STMicroelectronics stellt die N-Kanal-MOSFET-Streifen-F8-Leistung vorDie in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht für die Produktion von Kraftfahrzeugen mit einem Hubraum von mehr als 100 km.N-Kanal-Logikniveau von 40 V für den Automobilbereich, typisch 0,55 mOhm, Strom-MOSFETs mit STripFET F8 in PowerFLAT 5x6 Paket.
BeschreibungVonDie in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht für die Produktion von Kraftfahrzeugen mit einem Hubraum von mehr als 100 km.
Die N-Kanal-Power-MOSFETs verfügen über die STripFET-F8-Technologie mit einer verbesserten Schützengatterstruktur.
Der extrem geringe Betriebswiderstand des Produkts reduziert die interne Kapazität und die Torladung für eine schnellere und effizientere Schaltung.
Anwendungsbeispiele
Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht für die Produktion von Kraftfahrzeugen mit einem Hubraum von mehr als 100 km.N-Kanal erweiterter Modus Logikniveau 40V 0,8mOhm 360A STripFET F8 LeistungsmOSFETs
Hersteller: STMicroelectronics
Produktkategorie: MOSFETs
Familie: StripFET F8
Technologie: Si
Montageart: SMD/SMT
Polarität des Transistors: N-Kanal
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
Vds - Ausfallspannung der Abflussquelle: 40 V
Id - Dauerstrom: 360 A
Rds An - Abflussquellen-An-Widerstand: 800 uOhms
Vgs - Spannung der Torquelle: - 20 V + 20 V
Vgs th - Schwellenspannung der Torquelle: 2 V
Qg-Gate-Lade: 43 nC
Mindestbetriebstemperatur: - 55 °C
Höchstbetriebstemperatur: + 175 °C
Pd-Leistungsverlust: 188 W
Kanalmodus: Erweiterter
Blockdiagramm vonDie in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht für die Produktion von Kraftfahrzeugen mit einem Hubraum von mehr als 100 km.
Pin-KonfigurationVonDie in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht für die Produktion von Kraftfahrzeugen mit einem Hubraum von mehr als 100 km.
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