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Firmenblog über Starpower IGBT-Transistor DG75X07T2L 650V 75A Einphasige Halbbrücke IGBT-Leistungstransistor

Bescheinigung
China ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. zertifizierungen
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Kunden-Berichte
Versendet sehr schnell, und sehr hilfreich, neu und ursprünglich, würde in hohem Grade sich empfehlen.

—— Nishikawa aus Japan

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Starpower IGBT-Transistor DG75X07T2L 650V 75A Einphasige Halbbrücke IGBT-Leistungstransistor
Neueste Unternehmensnachrichten über Starpower IGBT-Transistor DG75X07T2L 650V 75A Einphasige Halbbrücke IGBT-Leistungstransistor

Starpower IGBT-Transistor DG75X07T2L 650V 75A Einphasige Halbbrücke IGBT-Leistungstransistor

 

neueste Unternehmensnachrichten über Starpower IGBT-Transistor DG75X07T2L 650V 75A Einphasige Halbbrücke IGBT-Leistungstransistor  0

 

Beschreibung des Produkts
DG75X07T2L ist eine IGBT Power Discrete, die einen extrem geringen Leitungsverlust sowie einen geringen Schaltverlust bietet.

 

Eigenschaften
Niedrige VCE (sat) Trench-IGBT-Technologie
6 μs Kurzschlussfähigkeit
Niedriger Schaltverlust
Höchstverbindungstemperatur 175oC
Fall mit geringer Induktivität
VCE (sat) mit positivem Temperaturkoeffizient
Schnelle und weiche Rückwärtswiederherstellung
Bleifreies Paket

 

Typische Anwendungen
Inverter für Motorantrieb
Verstärker für Wechselstrom- und Gleichstrom-Servoantriebe
Unterbrechungsfreie Stromversorgung

Kneipen-Zeit : 2024-08-13 14:59:28 >> Nachrichtenliste
Kontaktdaten
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Ansprechpartner: Mr. Sales Manager

Telefon: 86-13410018555

Faxen: 86-0755-83957753

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