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Starpower IGBT-Transistor DG75X07T2L 650V 75A Einphasige Halbbrücke IGBT-Leistungstransistor
Beschreibung des Produkts
DG75X07T2L ist eine IGBT Power Discrete, die einen extrem geringen Leitungsverlust sowie einen geringen Schaltverlust bietet.
Eigenschaften
Niedrige VCE (sat) Trench-IGBT-Technologie
6 μs Kurzschlussfähigkeit
Niedriger Schaltverlust
Höchstverbindungstemperatur 175oC
Fall mit geringer Induktivität
VCE (sat) mit positivem Temperaturkoeffizient
Schnelle und weiche Rückwärtswiederherstellung
Bleifreies Paket
Typische Anwendungen
Inverter für Motorantrieb
Verstärker für Wechselstrom- und Gleichstrom-Servoantriebe
Unterbrechungsfreie Stromversorgung