ST STL26N60DM6 Hochspannungs-N-Kanal 600V 15A MDmesh DM6 Power MOSFET Transistoren
Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd. ist ein weltweit renommierter Distributor für elektronische Bauelemente, der die STL26N60DM6 Hochspannungs-N-Kanal-MOSFET-Transistoren liefert. Durch den Einsatz der fortschrittlichen MDmesh DM6-Technologie bietet er hervorragende Schaltleistung und Energieeffizienz in 600V-Hochspannungsanwendungen.
Der STL26N60DM6 Hochspannungs-N-Kanal 600V, 15A Power MOSFET eignet sich besonders für Anwendungen, die hohe Effizienz und schnelles Schalten erfordern, wie z. B. Ladestationen für Elektrofahrzeuge, Stromrichter für Telekommunikationsgeräte und Solarwechselrichter.
【MDmesh DM6 Technologie Highlights】
Die MDmesh DM6-Serie stellt den neuesten Stand der modernen Hochspannungs-Power-MOSFET-Technologie dar, die tiefgreifend für hocheffiziente Wandler und Brückentopologien optimiert wurde.
Im Vergleich zu früheren Generationen bietet die DM6-Technologie signifikante Verbesserungen beim On-Widerstand pro Flächeneinheit, zusammen mit reduzierter Gate-Ladung und überlegenen Schalteigenschaften.
Der Kernvorteil dieser Technologie liegt in ihrer optimierten Kapazitätskonfiguration und dem spezialisierten Lebensdauerunterdrückungsprozess.
Dies ermöglicht es den DM6-Serien-MOSFETs, mehrere Vorteile zu kombinieren: geringe Gate-Ladung (Qg), geringe Rückwärtslade-Ladung (Qrr) und kurze Rückwärtszeit (trr), wodurch sie sich besonders für Hochfrequenz-Schaltschaltungen eignen.
MDmesh DM6-Bauelemente werden zu 100 % auf Lawinenfestigkeit getestet, um die Zuverlässigkeit unter extremen Betriebsbedingungen zu gewährleisten, und verfügen über einen Zener-Schutz für eine außergewöhnliche dv/dt-Toleranz.
Diese Eigenschaften machen DM6-Serienprodukte wie den STL26N60DM6 ideal für Brückentopologien und ZVS-Phasenschieberwandler.
【STL26N60DM6 Produktübersicht】
Der STL26N60DM6 ist ein N-Kanal-Power-MOSFET, der in einem PowerFlat™ (8x8) HV-Oberflächenmontagegehäuse untergebracht ist.
Er ist für eine Drain-Source-Spannung von 600 V ausgelegt und kann einen Dauer-Drain-Strom von 15 A verarbeiten, wodurch er eine maximale Verlustleistung von 110 W bei 25 °C liefert.
Der STL26N60DM6 weist einen maximalen Einschaltwiderstand von nur 215 Milliohm (bei 7,5 A Strom und 10 V Gate-Spannung) auf.
Dieser niedrige Einschaltwiderstand führt direkt zu höherer Energieeffizienz und reduzierter Wärmeabgabe, was einen stabilen Betrieb in Hochleistungsanwendungen ermöglicht.
Der MOSFET verfügt über eine maximale Gate-Schwellenspannung von 4,75 V (bei 250 μA Testbedingungen) und einen Gate-Betriebsspannungsbereich von ±25 V.
Der STL26N60DM6 weist eine Gate-Ladung (Qg) von 24 nC (bei 10 V Gate-Spannung) und eine maximale Eingangskapazität (Ciss) von 940 pF (bei 100 V Drain-Source-Spannung) auf.
Diese Parameter stellen sicher, dass der STL26N60DM6 ein schnelles Schalten erreicht und gleichzeitig das Design der Treiberschaltung erleichtert.
Der STL26N60DM6 arbeitet über einen weiten Sperrschichttemperaturbereich von -55 °C bis 150 °C, wodurch er an verschiedene anspruchsvolle Umgebungsbedingungen angepasst werden kann.
【Technische Vorteile und Merkmale des STL26N60DM6】
Einer der bemerkenswertesten Vorteile des STL26N60DM6 sind seine schnellen Erholungsmerkmale der Body-Diode.
Im Vergleich zu früheren Generationen erreicht die DM6-Technologie eine signifikante Reduzierung des Einschaltwiderstands pro Flächeneinheit bei gleichzeitiger Aufrechterhaltung extrem geringer Schaltverluste.
Das Bauelement weist auch eine außergewöhnliche dv/dt-Robustheit auf, mit einer maximalen Dioden-Rückgewinnungsspannungssteilheit von 100 V/ns und einer MOSFET-dv/dt-Belastbarkeit, die ebenfalls 100 V/ns erreicht.
Der STL26N60DM6 wird zu 100 % auf Lawinenfestigkeit getestet, um die Zuverlässigkeit unter extremen Betriebsbedingungen zu gewährleisten.
Eine Zener-Schutzstruktur bietet eine zusätzliche Sicherheitsbarriere, während ein zusätzlicher Treibersource-Pin die Schaltleistung optimiert.
Diese Merkmale machen den STL26N60DM6 insgesamt zu einer idealen Wahl für die anspruchsvollsten hocheffizienten Anwendungen, insbesondere für solche, die die Handhabung von hohem dynamischem dv/dt in Anwendungen und Topologien erfordern.
【STL26N60DM6 Anwendungsbereiche】
Der STL26N60DM6 eignet sich für eine Vielzahl von Leistungsschaltanwendungen, insbesondere dort, wo hohe Effizienz und schnelles Schalten entscheidend sind.
In Ladestationen für Elektrofahrzeuge machen die Hochspannungsfähigkeit und die schnellen Schalteigenschaften des STL26N60DM6 ihn zu einer idealen Wahl für den Stromwandlungsabschnitt.
Für Telekommunikationsgeräte oder Rechenzentrum-Stromrichter gewährleisten die hohe Effizienz und Robustheit des STL26N60DM6 einen stabilen Systembetrieb.
In Solarwechselrichteranwendungen tragen die schnellen Erholungseigenschaften der Diode des STL26N60DM6 zu einer verbesserten Energieumwandlungseffizienz bei.
Der STL26N60DM6 eignet sich besonders für Topologien, die eine stabile, zuverlässige Diodenbehandlung von dynamischem dv/dt erfordern, wie z. B. Vollbrücken- und Halbbrückenkonfigurationen sowie Zero-Voltage-Switching (ZVS)-Phasenschieberwandler.
Darüber hinaus kann der STL26N60DM6 in verschiedenen hocheffizienten Schaltnetzteil-Designs eingesetzt werden und bietet Ingenieuren eine Lösung, die strenge Energieeffizienzstandards erfüllt und gleichzeitig die Systemzuverlässigkeit aufrechterhält.
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