Firmenblog über ST Low Side Switch VND3NV04TR OMNIFET II™ Serie Vollständig selbstgeschützter Leistungs-MOSFET

ST Low-Side-SchalterVND3NV04TR OMNIFET II™ Serie Vollständig geschützter Leistungs-MOSFET

ST VND3NV04TR geliefert von Mingjiada Electronics ist ein Leistungs-MOSFET-Bauelement, das fortschrittliche Schutzfunktionen integriert. Es gehört zur OMNIFET II™-Serie von STMicroelectronics und wird mit der VIPower™ M0-3-Prozesstechnologie hergestellt. Dieses VND3NV04TR ist speziell für Anwendungen konzipiert, die Standard-Leistungs-MOSFETs ersetzen und eignet sich für Betriebsszenarien im Bereich von DC bis 50 kHz.

Produktdetails
Grundarchitektur: Der VND3NV04TR ist ein einkanaliger Low-Side-Treiber, der in einem TO-252-3 (DPAK)-Gehäuse mit einer 2-Pin-plus-Tab-Konfiguration untergebracht ist. Dieser vollständig selbstgeschützte Leistungsschalter integriert mehrere Schutzfunktionen und ermöglicht den direkten Ersatz herkömmlicher Leistungs-MOSFETs.
Eingangs-/Ausgangsmerkmale: Der VND3NV04TR verfügt über ein 1:1-Eingangs-/Ausgangsverhältnis mit einer nicht-invertierenden Eingangskonfiguration, die eine einfache Ein/Aus-Steuerschnittstelle verwendet. Dieses Design gewährleistet die Kompatibilität mit der Standard-Leistungs-MOSFET-Verwendung und erleichtert nahtlose Upgrades und Ersetzungen in bestehenden Designs.
Technologieprozess: Als Flaggschiffprodukt der OMNIFET II-Serie verwendet der VND3NV04TR die fortschrittliche VIPower M0-3-Technologie von STMicroelectronics, um eine monolithisch integrierte Smart-Power-Switch-Lösung zu liefern.

Spezifikationen
Elektrische Eigenschaften: Der VND3NV04TR unterstützt eine maximale Lastspannung von 36 V, eine Nenn-Drain-Source-Durchbruchspannung von 40 V, einen Dauer-Drain-Strom von 3,5 A und eine Spitzen-Ausgangsstrombegrenzung von 5 A. Mit einem typischen Einschaltwiderstand von 120 mΩ liefert er eine geringe Verlustleistung.
Schalteigenschaften: Der VND3NV04TR weist eine Einschaltzeit von 1,35 μs und eine Ausschaltzeit von 10 μs auf, wobei sowohl die Anstiegs- als auch die Abfallzeiten 250 ns betragen. Diese Parameter weisen auf die Eignung für Schaltanwendungen im mittleren Frequenzbereich hin.
Thermische Leistung: Der VND3NV04TR liefert eine maximale Verlustleistung von 35 W und arbeitet zuverlässig in einem Sperrschichttemperaturbereich von -40 °C bis 150 °C. Dies ermöglicht den Einsatz in anspruchsvollen Betriebsumgebungen.

Produktmerkmale
Integrierter Schutz: Der VND3NV04TR bietet einen umfassenden integrierten Schutz, einschließlich linearer Strombegrenzung, thermischer Abschaltung, Kurzschlussschutz und integrierter Klemmung. Diese Funktionen ermöglichen es dem VND3NV04TR, anspruchsvollen Betriebsbedingungen standzuhalten und die Systemzuverlässigkeit zu erhöhen.
Diagnostisches Feedback: Der VND3NV04TR verfügt über die Fähigkeit, Fehlerzustände über Eingangspins zu erkennen und bietet eine diagnostische Feedback-Funktionalität. Diese Funktion ermöglicht die Statusüberwachung und verbessert die Wartbarkeit des Systems.
Geringe Standby-Stromaufnahme: Der VND3NV04TR weist eine minimale Stromaufnahme am Eingangspin auf und integriert gleichzeitig einen ESD-Schutz, der den Anforderungen der europäischen Richtlinie 2002/95/EG entspricht. Diese Eigenschaften legen einen besonderen Schwerpunkt auf Energieeffizienz und Zuverlässigkeit.

Anwendungsbereiche
Industrielle Steuerungssysteme: Der VND3NV04TR eignet sich zum Ansteuern von industriellen ohmschen, induktiven und kapazitiven Lasten und ist in Szenarien wie Energiemanagement und Motorsteuerung einsetzbar. In diesen Anwendungen verhindern die Schutzfunktionen des VND3NV04TR Schäden am Gerät, die durch Überstrom oder Überhitzung verursacht werden.
Automobilelektronik: Mit seinem weiten Betriebstemperaturbereich von -40 °C bis 150 °C eignet sich der VND3NV04TR für verschiedene Lastanwendungen in Automobilumgebungen. Seine Robustheit ermöglicht es ihm, den anspruchsvollen Bedingungen der Automobilelektronik standzuhalten.
Ersetzen herkömmlicher MOSFETs: Der VND3NV04TR wurde speziell entwickelt, um Standard-Leistungs-MOSFETs zu ersetzen und bietet insbesondere in DC- bis 50-kHz-Anwendungen eine verbesserte Zuverlässigkeit und Integration. Die Verwendung des VND3NV04TR vereinfacht das Schaltungsdesign und reduziert die Anzahl der erforderlichen externen Komponenten.

Zusammenfassung
Als vollständig geschützter Leistungs-MOSFET innerhalb der OMNIFET II™-Familie integriert der ST VND3NV04TR umfassende Schutzfunktionen mit hervorragenden elektrischen Eigenschaften und liefert eine hochzuverlässige Lösung für industrielle Steuerungs- und Automobilelektronikanwendungen.

Mingjiada Electronics unterhält eine langfristige Versorgung des VND3NV04TR-Bauelements. Für weitere Produktinformationen oder Musteranfragen besuchen Sie bitte die Website von Mingjiada Electronics (https://www.integrated-ic.com/) um Lieferdetails anzuzeigen.