Firmenblog über ¢SK hynix Speicher IC ¢HMAA8GR7CJR4N-XN:Low Power High-Speed registrierte DDR4 SDRAM DIMMs

¢SK hynix Speicher-IC ¢HMAA8GR7CJR4N-XN:Niedrige Leistung Hochgeschwindigkeiten registrierte DDR4 SDRAM DIMMs

HMAA8GR7CJR4N-XNRegistered DDR4 SDRAM DIMMs (Registered Double Data Rate Synchronous DRAM Dual In-Line Memory Modules) sind geringe Leistung, Hochgeschwindigkeits-Betriebs Speichermodule, die DDR4 SDRAM-Geräte verwenden.Diese registrierten SDRAM-DIMM sind für die Verwendung als Hauptspeicher bestimmt, wenn sie in Systemen wie Servern und Arbeitsstationen installiert sind..

SpezifikationenHMAA8GR7CJR4N-XN
Speicherkapazität: 64 GB
Speichertechnologie:DDR4 SDRAM
Produktspannung:1,2V
RAM-Geschwindigkeit:3200 MHz
RAM-Standard:DDR4-3200/PC4-25600
Identifizierung von Fehlern:ECC
Typ des Signals:Registriert
Einheit für die Bereitstellung der erforderlichen Daten:
Rang:Doppelrang x4
Anzahl der Pins:288-Pins
RAM Genre:RDIMM

Merkmal derHMAA8GR7CJR4N-XN
Stromversorgung: VDD = 1,2 V (1,14 V bis 1,26 V)
VDDQ = 1,2 V (1,14 V bis 1,26 V)
VPP- 2,5 V (2,375 V bis 2,75 V)
VDDSPD = 2,25 V bis 2,75 V
16 interne Banken
Datenübertragungsgeschwindigkeiten: PC4-3200, PC4-2933, 2666, PC4-2400, PC4-2133, PC4-1866, PC4- 1600
Bi-Directional Differential Daten Strobe
8 Bit vorbereitet
Ausbruchlänge (BL) Schalter auf der Flucht BL8 oder BC4 (Burst Chop)
Unterstützt die Korrektur und Erkennung von ECC-Fehlern
Ablösung auf dem Tisch (ODT)
Temperatursensor mit integriertem SPD
Per DRAM Adressierbarkeit unterstützt
Intern generierte Vref-DQ-Levels sind verfügbar
Schreiben wird bei allen Geschwindigkeitsstufen unterstützt
DBI (Data Bus Inversion) wird unterstützt
CA-Parität (Command/Address Parity) wird unterstützt