Firmenblog über SK Hynix H5AN8G8NDJR-XNC 8Gb CMOS DDR4 Synchrone DRAM ETT Speicher

Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd. liefert und recyceln 8Gb CMOS DDR4-synchrone DRAM ETT-Speicherchips von SK Hynix H5AN8G8NDJR-XNC.

H5AN8G8NDJR-XNC Produktübersicht

DieH5AN8G8NDJR-XNCist ein von SK Hynix eingeführter 8Gb-Kapazität, x8-Bit-Breite CMOS-Prozess DDR4 synchroner DRAM ETT-Grad-Speicherchip. Es ist ein allgemeiner DDR4-Speicherchip für Industrie- und Verbraucher-Grad-DDR4-Speicher.Hergestellt nach einem ausgereiften CMOS-Verfahren, der ETT-Grad (Effizient getestet) zeigt an, dass der Chip das umfassende Screening des Herstellers für die grundlegenden elektrischen Eigenschaften, das Timing und die Stabilität bestanden hat.Bandbreite und langfristige Betriebssicherheit, ist es ein gängiger Bauteil für Speichermodule in Desktop-Computern, industriellen Steuerungs-Motherboards, Netzwerkgeräten, eingebetteten Terminals und Sicherheitsvideorekordern.

Das hier.H5AN8G8NDJR-XNCDer Speicherchip entspricht dem JEDEC DDR4-Standard, nutzt eine 8-Bit-Prefetch-Architektur und unterstützt Hochgeschwindigkeitsdatenübertragungsraten von bis zu 3200 MT/s bei einer Standardbetriebsspannung von 1,2 V.mit einer Breite von nicht mehr als 20 mm, Low-Profile-FBGA-78 Paket, ermöglicht es, Speicher mit hoher Dichte in begrenztem PCB-Raum zu stapeln, was es sowohl für die Massenproduktion von Speichermodulen als auch für den Renovierungsmarkt geeignet macht.Es bietet eine stabile Vorlaufzeit und ist kompatibel mit allen DDR4-Controllerlösungen auf allen Plattformen.

H5AN8G8NDJR-XNC Kernhardware-Spezifikationen

1. Grundlegende Speicherarchitektur

Teilnummer:H5AN8G8NDJR-XNC

Speicherdichte: 8 GB (1 G × 8 Bit), Kapazität von 8 GB pro Chip

Busbreite: x8 (8-Bit-Datenkanäle)

Prefetch-Architektur: 8-Bit-Prefetch, interne synchrone Lese-/Schreibleitung

Bankkonfiguration: Standard DDR4-Mehrseitenbank-Architektur, unterstützt konfigurierbare Burstlängen von BL4/BL8

Prozesstechnologie: CMOS-Dynamikspeicherprozess

2. Elektrische und Geschwindigkeitsparameter

Standardstromversorgung: Einheitliche VDD/VDDQ bei 1,2 V, Spannungsbereich 1,14 V/1,26 V

Nenngeschwindigkeit: DDR4-3200, äquivalente Datenrate 3200 Mbps, Referenzuhr 1600 MHz

Clock-Architektur: Volldifferenzielle CK/CK#-Uhr-Eingänge mit entsprechenden differenziellen DQS/DQS#-Datenstroboskopen

Integrierte VrefDQ-interne Referenzspannungserzeugung, die die Notwendigkeit externer Spannungsabteilungskreise beseitigt

Zeitkonfiguration: Programmierbare CAS-Latenz CL9·CL20; zusätzliche Latenz AL kann flexibel konfiguriert werden

3Packung und physische Abmessungen

Paketart: FBGA-78 (Dünnprofil-Kugelraster-Array mit 78 Kugeln)

Abmessungen: 11,0 mm × 7,5 mm, maximale Dicke 1,2 mm

Ballpitch: 0,8 mm, SMT-Technologie zur Oberflächenmontage

Verpackungsspezifikationen: Versand in Trays; Standardtray-Menge: 1.600 Stück pro Tray

Umweltverträglichkeit: Bleifrei und halogenfrei; vollständig konform mit den RoHS- und REACH-Normen

4. Umweltverträglichkeit

Handelsüblicher Temperaturbereich: 0 °C bis + 85 °C

Unterstützt automatisches Selbst- und Temperaturanpassung; kein Datenverlust beim Lesen/Schreiben bei hohen oder niedrigen Temperaturen

Niedriger statischer Stromverbrauch im Standby-Modus, geeignet für Geräte, die einen langfristigen, ununterbrochenen Betrieb erfordern

III. DDR4-spezifische Kernmerkmale

Lese-/Schreib-Balancierung und Kalibrierung: eingebaute Schreiblevelisierung, ZQ-Impedanzkalibrierung und TDQS-Endfunktionen auf dem Chip entsprechen automatisch der PCB-Impedanz,Elimination von Hochgeschwindigkeitssignal-Zeitverschiebungen und erhebliche Verringerung der Komplexität der Hardware-Debugging, wobei gleichzeitig eine stabile Signalintegrität bei hohen Frequenzen von 3200 MHz gewährleistet wird.

Datensicherheitsmechanismen umfassen die CRC-Überprüfung und die DM-Funktionen (Data Mask),die Probendaten sowohl auf steigenden als auch auf fallenden Kanten zur Echtzeit-Fehlerprüfung und -korrektur während des Datenschreibens erfassen, wodurch Fehler beim Lesen/Schreiben aus dem Speicher reduziert werden; unterstützt das asynchrone Zurücksetzen, um den Speichercontroller nach einem unerwarteten Stromausfall schnell zurückzusetzen.

Das energieeffiziente, leistungsarme Design beinhaltet dynamische Chip-Termination und mehrstufige Selbsterneuerungsmodi mit mehrstufiger Steuerung des Stromverbrauchs in Standby, Leerlauf,und Lese-/SchreibzuständeIm Vergleich zu DDR3-Chips mit gleicher Kapazität wird der Stromverbrauch um mehr als 20% reduziert, was ihn für leistungsarme eingebettete und Edge-Computing-Geräte geeignet macht.

Eine voll synchrone Pipelined-Architektur stellt sicher, dass Adress- und Steuersignale nur an der aufsteigenden Kante der Uhr eingesperrt werden, während Daten und Auswahlsignale an beiden Kanten abgesammelt werden.Interne mehrstufige Rohrleitungen ermöglichen die parallele Verarbeitung, die eine nachhaltig hohe Bandbreite bietet, um den Anforderungen gleichzeitiger Lese-/Schreibszenarien bei mehreren Aufgaben gerecht zu werden.

IV. Erläuterung der ETT-Chip-Klassen (Kerndifferenzierungsvorteile)

Das Suffix XNC im ModellH5AN8G8NDJR-XNCentspricht ETT-zertifizierten Chips der Qualität "Effective Test", die sich von "UTT" (nicht getestete weiße Chips) und den "Major"-Chips der Qualität "Premium" des Herstellers unterscheiden:

Nach der Fabrikverpackung werden umfassende elektrische Prüfungen durchgeführt, einschließlich Spannungsmarge, Vollzeitspannung, Hoch- und Niedertemperaturzyklus, Lese-/Schreibbeständigkeit und Leckageerkennung,zur Beseitigung fehlerhafter EinheitenDie Konsistenz ist weit überlegen als bei nicht getesteten ¥uTT-Chips.

Die Kosten sind moderat, ohne Prämien im Zusammenhang mit den Originalmodulen des Herstellers, so dass sie für Massenmodule, industrielle Steuerung, Sicherheitssysteme,und der Markt für Gebrauchtspeicher-Erneuerung;

Stabilität erfüllt die Anforderungen an einen ununterbrochenen Betrieb der Ausrüstung 7×24 Stunden mit einer viel niedrigeren Ausfallrate als bei nicht ausgewählten leeren Modulen,Damit ist es die beste Wahl für preiswerte Lagerlösungen mit mittlerem Wert..

V. Typische Anwendungsfälle für H5AN8G8NDJR-XNC

Speichermodule für Unterhaltungselektronik: DDR4-Speichermodule für Desktop-PCs, SODIMM-Speicher für Laptops, All-in-One-PCs und Mini-PCs; kompatibel mit der gesamten Palette der Intel/AMD DDR4-Plattformen;

Industrielle eingebettete Geräte: industrielle Steuerungs-Mutterplatten, Edge-Gateways, industrielle Computer für die Bildverarbeitung und PLC-Bewegungssteuerungen; stabiler Betrieb in einem breiten Temperaturbereich von 0°85°C;

Netzwerk- und Sicherheitsausrüstung: Switches, Router, NVRs (Network Video Recorders) und Speicher-Motherboards für 4K-Kameras; geeignet für kontinuierliche Lese-/Schreibszenarien mit hohem Durchsatz;

AIoT- und Endbenutzergeräte: intelligente digitale Beschilderung, Selbstbedienungsterminals, multimedialen Fahrzeugsystemen und kleine lokale Rechenboxen;

Unterstützung der Verteilung und des Recyclings von Komponenten: Unterstützung des Recyclings elektronischer Komponenten und der Produktion von erneuerten Speichermodulen; reichlich Marktangebot,für Recycling- und Vertriebsmodelle geeignet.

Zusammenfassung der Produktvorteile für H5AN8G8NDJR-XNC

ausgewogene Spezifikationen: 8 Gb x 8-Bit-Busbreite + 3200 Mbps Bandbreite, die den überwiegenden Teil der Anforderungen an den mittleren Speicherbereich mit außergewöhnlicher Vielseitigkeit abdeckt;

Kompakte Verpackung: Die dünne Verpackung des FBGA-78 und das PCB-Layout mit hoher Dichte verringern die Gesamtgröße des Geräts.

Einfache Fehlerbehebung: Eingebundene ZQ-Kalibrierung, Schreibgleichstellung und CRC-Verifizierung reduzieren Hardware-Designzyklen;

ETT-Qualitätssicherung: Umfassende Prüfung durch den ursprünglichen Hersteller, die Stabilität und Kosten ausgleicht und sie für die Massenproduktion geeignet macht;

Vollständige Plattformkompatibilität: Standard-JEDEC DDR4-Protokoll ohne Barrieren für die Kompatibilität mit dem Controller; ausreichend Lagerbestand verfügbar, der sowohl die Massenlieferung als auch den Rückkauf von Lagerbeständen unterstützt.