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Firmenblog über IGBT-Schutz für Kurzschluss STGB19NC60KDT4 Isolierter Gate Bipolar Transistor (IGBT) 20 A - 600 V

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China ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. zertifizierungen
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Kunden-Berichte
Versendet sehr schnell, und sehr hilfreich, neu und ursprünglich, würde in hohem Grade sich empfehlen.

—— Nishikawa aus Japan

Berufs- und schneller Service, annehmbare Preise für Waren. ausgezeichnete Kommunikation, Produkt wie erwartet. Ich empfehle in hohem Grade diesen Lieferanten.

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Hohe Qualität und zuverlässige Leistung: "Die elektronischen Komponenten, die wir von [ShenZhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.] erhalten haben, sind von hoher Qualität und haben eine zuverlässige Leistung in unseren Geräten gezeigt".

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—— Nishikawa aus Japan

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Ich empfehle Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd. für jedes Elektronikprojekt!

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IGBT-Schutz für Kurzschluss STGB19NC60KDT4 Isolierter Gate Bipolar Transistor (IGBT) 20 A - 600 V
Neueste Unternehmensnachrichten über IGBT-Schutz für Kurzschluss STGB19NC60KDT4 Isolierter Gate Bipolar Transistor (IGBT) 20 A - 600 V

Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd. [Versorgung in großen Mengen] IGBT-Schutz gegen KurzschlussDie Bezeichnung "SGB19NC60KDT4"Isolierter Gate Bipolar Transistor (IGBT) 20 A - 600 V 125 W Oberflächenhalter D2PAK

 

Produktübersicht vonDie Bezeichnung "SGB19NC60KDT4"

Das STGB19NC60KDT4-Gerät ist ein IGBT mit hoher Geschwindigkeit, das unter Verwendung der fortschrittlichen PowerMESHTM-Technologie entwickelt wurde und einen ausgezeichneten Kompromiss zwischen Schaltleistung und niedrigem Leitungsverhältnis gewährleistet.

 

Alle Merkmale vonDie Bezeichnung "SGB19NC60KDT4"

  • Niedrige Spannungsabnahme im Betriebszustand (VCE(sat))
  • Niedriges CRES/CIES-Verhältnis (keine Kreuzleitungsanfälligkeit)
  • Kurzschlusszeit 10 μs
  • IGBTs, die zusammen mit ultraschnellen Freiraddioden verpackt sind

 

Anwendungen

  • Hochfrequenz-Wechselrichter
  • Fahrer

 

Abbildung 1: Internes Schema

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