Firmenblog über Shenzhen Mingjiada Electronics | KI-Server-Netzteile MOSFETs auf Lager

Das vollständige Produktsortiment an Power-MOSFETs von Mingjiada für KI-Server

Mit dem explosionsartigen Wachstum der KI-Rechenleistung sind Power-MOSFETs zu den „Engpasskomponenten“ in Stromversorgungsketten geworden.

Da die groß angelegte Bereitstellung von Clustern für das Training und die Inferenz großer Modelle zur Norm wird, ist der Stromverbrauch pro Rack in KI-Servern von der traditionellen 10-kW-Klasse auf die 100-kW-Klasse auf der GB200-Plattform gestiegen, wobei zukünftige Plattformen auf 600 kW bis 1 MW abzielen. Stromversorgung Architekturen entwickeln sich schnell von traditionellen 12-V-Bussystemen zu 48-V/800-V-Hochspannungs-DC-Architekturen. Da die Anzahl der Stromwandlungsstufen zunimmt und die transienten Ströme sich verdoppeln, steigen die Anforderungen an Power-MOSFETs und die an sie gestellten Leistungsanforderungen erheblich. Branchenschätzungen zufolge nutzt ein einzelner KI-Server drei- bis fünfmal so viele Leistungshalbleiter wie ein herkömmlicher Server, und der Wert von Leistungshalbleitern in einem einzelnen KI-Server-Rack wird voraussichtlich von etwa 15.000 US-Dollar auf 115.000 US-Dollar bis 2030 steigen.

Vor diesem Hintergrund nutzt Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd., ein autorisierter unabhängiger Distributor mit fast drei Jahrzehnten Erfahrung in der Lieferkette für elektronische Komponenten, seine beiden Lagerzentren in Shenzhen und Hongkong sowie eine Lieferkapazität von 2 Millionen Lagerhaltungsarten (SKUs), um ein vollständiges Sortiment an Power-MOSFETs von führenden internationalen Marken – darunter Infineon, ON Semiconductor, STMicroelectronics, Vishay, ROHM und Renesas – für KI-Server-Stromversorgungsdesigns anzubieten.

Kern-Power-MOSFET-Produktserien für KI-Server, die von Mingjiada geliefert werden

I. Infineon: Vollständige Kette von PFC bis IBC

Infineon verfügt über das umfassendste Produktportfolio innerhalb der KI-Server-Stromversorgungskette. Mingjiada liefert die folgenden Kernserien ab Lager:

OptiMOS™ 5/6/7 Serie (mittlere bis niedrige Spannung, 25V–250V): Deckt die Kernanforderungen von Mehrphasen-Buck-Wandlern und Zwischenbus-Wandlern (IBCs) ab. Unter diesen wurde der OptiMOS™ 6 80V MOSFET mit einem beidseitig wärmeableitenden Gehäuse von 5×6mm² in die IBC-Ebene von KI-Server-Plattformen führender Prozessorhersteller integriert. Die neueste Generation von OptiMOS™ 7-Produkten ist für IBC-Anwendungen optimiert, mit einem um 25 % reduzierten RDS(on) für die 40V-Variante und um 40 % für die 80V/100V-Varianten im Vergleich zur Vorgängergeneration. Mingjiada hält einen Bestand an beliebten KI-Server-IBC-Modellen wie dem BSC050N10NS5 (100V/5mΩ).

CoolMOS™ C7/C8 Serie (hohe Spannung, 600V–950V): Geeignet für die PFC- und LLC-Stufen von KI-Server-CRPS-Netzteilen. CoolMOS™ 8 nutzt die .XT-Verbindungstechnologie und bietet branchenführende thermische Leistung, was es besonders geeignet für Stromversorgungsdesigns mit hoher Leistungsdichte in traditionellen und KI-Servern macht. Das typische Modell SPW20N60C3 (650V/20,7A) wird häufig in industriellen Netzteilen und Server-PFC-Schaltungen verwendet.

CoolSiC™ 400V Serie (speziell für AC/DC-Stufen): Infineons 400V SiC-MOSFETs, basierend auf der zweiten Generation der CoolSiC™-Technologie, sind speziell für die AC/DC-Stufen von KI-Servern entwickelt und ermöglichen Leistungsdichten von über 100W/in³ und PFC-Stufenwirkungsgrade von 99,5 %.

StrongIRFET™ Serie: Positioniert als kostengünstige Lösung für mittlere und niedrige Spannungsanwendungen, mit einer VBRDSS von bis zu 100V, einem RDS(on) von nur 1,2mΩ und einem maximalen ID von 282A, ist sie für Anwendungen wie Hilfsnetzteile und Lastschalter in KI-Servern geeignet.

II. ON Semiconductor: PowerTrench® T10 + EliteSiC™ Kombinationslösung

Die KI-Server-Stromversorgungslösungen von ON Semiconductor zeichnen sich durch eine „Silizium-basierte + Siliziumkarbid“-Doppellinienkonfiguration aus. Die T10 PowerTrench® Serie der neuesten Generation nutzt ein geschirmtes Gate-Trench-Design, das speziell für Hochstromanwendungen in DC-DC-Stromwandlungsstufen optimiert ist und eine höhere Leistungsdichte und außergewöhnliche thermische Leistung in einem kompakten Gehäuse liefert. In Kombination mit der T10-Serie reduziert der EliteSiC™ 650V M3S MOSFET die Gate-Ladung um 50 % und die Ausgangskapazitätsenergie um 44 % im Vergleich zur Vorgängergeneration, wodurch die Stromverluste in Rechenzentren um etwa 1 % reduziert werden. Darüber hinaus hat ON Semiconductor ein 12-kW-KI-Cloud-Computing-Strommodul auf den Markt gebracht, das einen M3S-MOSFET und eine SiC-JFET-Lösung verwendet und einen Spitzenwirkungsgrad von bis zu 98 % für die gesamte Einheit erzielt.

Mingjiada führt die EliteSiC-Serie von SiC-MOSFETs von On Semiconductor (die den gesamten Spannungsbereich von 650V bis 1700V abdeckt) sowie einzelne N-Kanal-Power-MOSFETs der PowerTrench-Serie wie NVMFS5C404NL und NVMFS5C456NL und unterstützt sowohl Kleinserienmuster als auch Großaufträge.

III. Vishay: TrenchFET® Gen V Lösung mit niedrigem Einschaltwiderstand

Der Vishay SiRS5700DP ist ein 150V TrenchFET® Gen V N-Kanal-Power-MOSFET im PowerPAK® SO-8S (QFN 6×5) Gehäuse, der einen RDS(on) von nur 5,6 mΩ und einen Gütefaktor (RDS(on) × Qg) von nur 336 mΩ·nC, einen RthJC von nur 0,45°C/W und einen kontinuierlichen Drainstrom von bis zu 144 A aufweist. Dieses Gerät wurde speziell entwickelt, um die Effizienzanforderungen von 6-kW-KI-Server-Stromversorgungssystemen zu erfüllen und eignet sich für synchrone Gleichrichtung, DC/DC-Wandler, Hot-Swap-Schalter und OR-ing-Funktionen. Typische Anwendungen sind KI-Server, Edge Computing und Supercomputer. Mingjiada bietet sofortige Verfügbarkeit des SiRS5700DP und des gesamten Sortiments an Vishay TrenchFET-Power-MOSFETs.

IV. ROHM: Speziell entwickelte MOSFETs für 48V Hot-Swap-Anwendungen in KI-Servern

ROHM hat die 100V Power-MOSFETs RY7P250BM und RS7P200BM für 48V Stromversorgungs-Hot-Swap-Schaltungen in KI-Servern auf den Markt gebracht. Der RY7P250BM erreicht eine SOA-Toleranz von bis zu 16 A bei VDS = 48 V und einer Pulsbreite von 10 ms, und bis zu 50 A bei 1 ms, mit einem Einschaltwiderstand von nur 1,86 mΩ. Er bietet ein branchenführendes Gleichgewicht zwischen einem breiteren SOA-Bereich und einem niedrigeren Einschaltwiderstand und wurde von weltweit renommierten Cloud-Plattformen zertifiziert und empfohlen. Der RS7P200BM erreicht einen branchenführenden breiten SOA-Bereich in einem kompakten 5,0 mm × 6,0 mm Gehäuse und erfüllt die Anforderungen von Hochleistungs-Stromversorgungsdesigns. Mingjiada liefert seit langem ROHM N-Kanal-Power-MOSFETs und SiC-MOSFET-Produkte, einschließlich Modellen wie dem RCX450N20 (200 V/45 A).

V. STMicroelectronics (ST): MDmesh™ und STripFET™ Serie

Die Power-MOSFETs von ST decken einen weiten Durchbruchspannungsbereich von –100 V bis 1.700 V ab und erzielen eine geringe Gate-Ladung und einen niedrigen Einschaltwiderstand durch die Hochspannungs-MDmesh™-Serie und die Niederspannungs-STripFET™-Serie. Ein typisches Modell, der STW48N60M6 (600 V/48 A, 0,060 Ω), eignet sich für die PFC-Stufe von KI-Servern und die Hochspannungs-DC/DC-Wandlung. In Bezug auf SiC-MOSFETs zeichnen sich die Produkte von ST mit einem erweiterten Spannungsbereich von 650V–2200V durch eine Ultrahochtemperaturfähigkeit (TJ bis zu 200°C) und extrem niedrige Schaltverluste aus und bieten eine Siliziumkarbid-Alternative für hocheffiziente AC/DC-Stufen in KI-Servern.

Mingjiadas Liefergarantie

Echte Produkte und umfangreicher Lagerbestand: Mingjiada vertreibt Produkte von über 500 Halbleiterherstellern weltweit; alle Power-MOSFETs sind echte, werkseitig versiegelte Produkte, mit Chargenrückverfolgbarkeitsservices. Unsere beiden Lagerzentren in Shenzhen und Hongkong halten einen Bestand von 2 Millionen verschiedenen Teilenummern und unterstützen eine schnelle „Heute bestellen, morgen versenden“-Reaktion.

Flexible Beschaffung und globale Lieferung: Wir unterstützen sowohl Kleinserien-Musterkäufe (ab einer Einheit) als auch Produktionslinienaufträge in Millionenhöhe und erfüllen damit die Anforderungen des gesamten Zyklus vom Prototyping von KI-Server-Stromversorgungen bis zur Massenproduktion. Über unsere Niederlassungen in Hongkong, Japan, Russland und anderswo unterstützen wir den internationalen DHL/UPS-Versand, um eine schnelle globale Lieferung zu gewährleisten.

Kontaktieren Sie Mingjiada: Offizielle Websitewww.integrated-ic.com| Service-Hotline +86 13410018555 (Herr Chen) | E-Mail sales@hkmjd.com