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Firmenblog über Recycling von TI-Leistungsstufen: Galliumnitrid (GaN)-Leistungsstufen, Si-Leistungsstufen

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China ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. zertifizierungen
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Versendet sehr schnell, und sehr hilfreich, neu und ursprünglich, würde in hohem Grade sich empfehlen.

—— Nishikawa aus Japan

Berufs- und schneller Service, annehmbare Preise für Waren. ausgezeichnete Kommunikation, Produkt wie erwartet. Ich empfehle in hohem Grade diesen Lieferanten.

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Hohe Qualität und zuverlässige Leistung: "Die elektronischen Komponenten, die wir von [ShenZhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.] erhalten haben, sind von hoher Qualität und haben eine zuverlässige Leistung in unseren Geräten gezeigt".

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Recycling von TI-Leistungsstufen: Galliumnitrid (GaN)-Leistungsstufen, Si-Leistungsstufen
Neueste Unternehmensnachrichten über Recycling von TI-Leistungsstufen: Galliumnitrid (GaN)-Leistungsstufen, Si-Leistungsstufen

Recycling-TI-Kraftstufen:Galliumnitrid (GaN) -Kraftstufen,Si-Kraftstufen

 

Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.als führender Anbieter von Dienstleistungen für das Recycling elektronischer Bauteile in China,Nutzt seine professionelle Branchenkompetenz und sein globales Recyclingnetzwerk, um sich auf Dienstleistungen zum Recycling elektronischer Komponenten zu spezialisieren, die Unternehmen effiziente und konforme Bestandsoptimierungslösungen bieten.

 

Zu den wichtigsten Recyclingprodukten gehören:integrierte Schaltungen (ICs), 5G-Chips, neue Energie-ICs, IoT-Chips, Bluetooth-Chips, Automobilchips, KI-ICs, Ethernet-ICs, Speicherchips, Sensoren, IGBT-Module und verschiedene andere elektronische Komponenten.

 

Recyclingprozess:

1Sortieren Sie Ihre überschüssigen IC/Module, identifizieren Sie Modell, Marke, Produktionsdatum, Menge usw.

2Die Inventarliste per Fax oder E-Mail an unser Bewertungsteam senden.

3Nach einer Vereinbarung werden beide Parteien über die spezifische Transaktionsmethode für die Lieferung verhandeln.

4Das Unternehmen recyceln nur Produkte, die von offiziellen Kanälen wie Distributoren, Händlern und Endverbraucherfabriken bezogen werden, und akzeptieren keine Produkte von nicht offiziellen Kanälen.

 

T.I. Galliumnitrid (GaN) Leistungsstufe

Als Vertreter der dritten Generation von Halbleitermaterialien,Galliumnitrid (GaN) verändert mit seinen außergewöhnlichen Hochfrequenzmerkmalen und Vorteilen der Energieeffizienz die Landschaft der Leistungselektronik raschDie GaN-Power-Stage-Produktreihe von TI integriert fortschrittliche GaN-FETs mit Treiberkreisläufen und setzt damit neue Standards für eine effiziente Energieumwandlung.

 

Die technischen Vorteile der GaN-Leistungsstufe von TI spiegeln sich in erster Linie in drei Aspekten wider: Erstens im Vergleich zu herkömmlichen Geräten auf Siliziumbasis,Die GaN-Technologie kann die Schaltverluste um bis zu 80% reduzierenZweitens vereinfacht das integrierte Design das Systemlayout und verringert die Auswirkungen parasitärer Parameter. Schließlich verbessert die einzigartige Verpackungstechnologie von TI die Zuverlässigkeit und thermische Leistung der Module.

 

Anwendungen von GaN-Leistungsstufen

Stromversorgung von Rechenzentren: Mit dem explosionsartigen Wachstum der Nachfrage nach Cloud Computing und KI-Rechenleistung ist der Bedarf an effizienten Stromversorgungen in Rechenzentren gestiegen.Mit Hilfe der LMG3410R050 können Stromversorgungslösungen für Rechenzentren einen Titanwirkungsgrad (96%) erreichen, was die Betriebskosten erheblich senkt.

Infrastruktur für das Aufladen von Elektrofahrzeugen: Geräte wie der LMG3522R030 unterstützen schnelle DC-Ladestationen mit höherer Leistungsdichte, wodurch die Größe von 350 kW schnellen Ladestationen um 40% reduziert wird.damit die Einführung von Elektrofahrzeugen beschleunigt wird.

Erneuerbare Energiesysteme: In Solarumrichter und Energiespeichersystemen können GaN-Leistungsstufen die Umwandlungseffizienz auf über 99% verbessern und gleichzeitig das Systemgewicht und -volumen reduzieren.damit die Installations- und Wartungskosten sinken.

 

TI-Silizium-Leistungsstufen

Obwohl Halbleitermaterialien der dritten Generation wie Galliumnitrid (GaN) große Aufmerksamkeit erreichten,Traditionelle Stromversorgungsgeräte auf Siliziumbasis halten aufgrund ihrer ausgereiften Technologie und ihrer Kostennutzen weiterhin eine herausragende Position in industriellen Stromversorgungen und Unterhaltungselektronik ein.Die Silizium-Leistungsstadiummodule von Texas Instruments (TI) sind mit ihrer zuverlässigen Leistung und ihrer breiten Anwendungskompatibilität zu Kernkomponenten in vielen Leistungselektroniksystemen geworden.

 

Anwendungen von Siliziumstrommodulen

Industrieantriebe: Silizium-Leistungsmodule mit ausgezeichneter Stoßbeständigkeit und ausgereifter Zuverlässigkeitskonstruktion,die bevorzugte Wahl für viele industrielle Variable-Frequenz-Antriebe und Servo-Antriebssysteme bleibenInsbesondere bei kostensensitiven Anwendungen mit mittlerer und kleiner Leistung sind die umfassenden Vorteile von Siliziumgeräten offensichtlich.

Energieversorgung für Verbraucher: Fernseher, Klimaanlagen, Computerversorgung und andere Unterhaltungselektronik verwenden die Silizium-Leistungsmodule von TI ausgiebig.Der Nachrüstmarkt für Reparaturen und die Herstellung gebrauchter Ausrüstungen für diese Produkte halten eine stetige Nachfrage nach Originalkomponenten.

Automobil-Hilfssysteme: Während die Hauptantriebsumrichter allmählich auf SiC und GaN umsteigen, werden Siliziumstromgeräte immer noch weit verbreitet in Automobil-Hilfsstromversorgungen verwendet.Beleuchtungsanlagen, und andere Anwendungen, wodurch ein stabiler Ersatzmarkt geschaffen wird.

Kneipen-Zeit : 2025-06-25 11:58:30 >> Nachrichtenliste
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Telefon: 86-13410018555

Faxen: 86-0755-83957753

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