Firmenblog über TI MOSFETs recyceln: N-Kanal-MOSFETs, P-Kanal-MOSFETs, Power Blocks

Recycling von TI MOSFETs: N-Kanal-MOSFETs, P-Kanal-MOSFETs, Power Blocks

Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.ist ein führender Dienstleister für das Recycling elektronischer Komponenten in China, der sich auf das Recycling elektronischer Komponenten spezialisiert hat, darunter: integrierte Schaltkreise, 5G-Chips, integrierte Schaltkreise für neue Energien, IoT-integrierte Schaltkreise, Bluetooth-ICs, Vehicle-to-Everything (V2X)-ICs, Automobil-ICs, Kommunikations-ICs, künstliche Intelligenz-ICs, Speicher-ICs, Sensor-ICs, Mikrocontroller-ICs, Transceiver-ICs, Ethernet-ICs, WiFi-Chips, drahtlose Kommunikationsmodule, Steckverbinder und mehr. Mit professionellem Marktverständnis und einem umfangreichen Vertriebsnetz bieten wir unseren Kunden die wettbewerbsfähigsten Recyclingpreise und sind bestrebt, ihr vertrauenswürdigster Partner in der Recyclingindustrie für elektronische Komponenten zu werden.

Recycling-Prozess:

1. Sortieren Sie Ihren überschüssigen IC/Modul-Bestand und identifizieren Sie Modell, Marke, Produktionsdatum und Menge.

2. Senden Sie die Bestandsliste per Fax oder E-Mail an unser Bewertungsteam.

3. Warten Sie auf das professionelle Beschaffungsangebot des Unternehmens. Nach Erzielung einer Einigung verhandeln beide Parteien die spezifische Transaktionsmethode für die Lieferung.

4. Das Unternehmen recycelt nur Komponenten, die aus offiziellen Kanälen stammen, wie z. B. Händler, Händler und Endverbraucherfabriken, und akzeptiert keine Komponenten aus nicht-offiziellen Kanälen.

NexFET™ MOSFET bietet eine breite Palette von N-Kanal- und P-Kanal-Leistungsmodulen sowie diskrete Leistungslösungen. Unsere hochintegrierten MOSFETs unterstützen höhere Effizienz, längere Batterielebensdauer, höhere Leistungsdichte und höhere Frequenzen für schnelles Schalten. Diese Vorteile bieten Flexibilität für miniaturisierte Designs und ermöglichen es Designingenieuren, die Markteinführungszeit zu verkürzen.

N-Kanal-MOSFET

N-Kanal-MOSFETs sind eine Schlüsselkomponente der T Power Semiconductor-Produktlinie und bieten Vorteile wie geringen Einschaltwiderstand und schnelle Schaltgeschwindigkeit.

TI N-Kanal-MOSFETs umfassen hauptsächlich die folgenden Typen:

Niederspannungs-N-Kanal-MOSFETs (<100V): wie z. B. CSD17313Q2, CSD18532Q5B usw., geeignet für Energiemanagement, LED-Treiber und andere Anwendungen der Unterhaltungselektronik.

Mittel- bis Hochspannungs-N-Kanal-MOSFETs (100V–600V): einschließlich Modelle wie CSD19536Q5A und CSD19535KCS, die üblicherweise in industriellen Motorantrieben, Schaltnetzteilen und anderen Anwendungen eingesetzt werden.

Ultrahochspannungs-N-Kanal-MOSFETs (>600V): hauptsächlich in Hochleistungsanwendungen wie der Erzeugung erneuerbarer Energien und Ladestationen für Elektrofahrzeuge eingesetzt.

Diese N-Kanal-MOSFETs verwenden fortschrittliche Prozesstechnologien, wie z. B. die NexFET™ Power MOSFET-Technologie von TI, die optimierte Gate-Ladung (Qg) und niedrige Einschaltwiderstands-(RDS(on))-Eigenschaften aufweist und die Systemeffizienz erheblich verbessert.

P-Kanal-MOSFETs

P-Kanal-MOSFETs werden im Schaltungsdesign häufig verwendet, um die Energiemanagementarchitekturen zu vereinfachen. Die P-Kanal-Produkte von TI sind bekannt für ihre hohe Leistung und Zuverlässigkeit.

TI P-Kanal-MOSFETs umfassen:

Standard-P-Kanal-MOSFETs: wie z. B. die Modelle CSD25404Q3 und CSD25402Q3, geeignet für Lastschaltung, Power-Path-Management und andere Anwendungen.

Automobil-P-Kanal-MOSFETs: Produkte, die der AEC-Q101-Zertifizierung entsprechen, wie z. B. der CSD25401Q3A, geeignet für elektronische Automobilsysteme.

Kleinsignal-P-Kanal-MOSFETs: Diese verwenden kompakte Gehäuse wie SOT-23 und sind für tragbare Geräte und platzbeschränkte Anwendungen konzipiert.

Die P-Kanal-MOSFETs von TI zeichnen sich durch geringe Gate-Ladung und optimierte Body-Diode-Eigenschaften aus, wodurch Schaltverluste reduziert und die GesamtSystemeffizienz verbessert werden.

Power Blocks

Power Blocks integrieren MOSFETs, Treiberschaltungen und Schutzfunktionen, die für Anwendungen geeignet sind, die eine hohe Leistungsdichte und Effizienz erfordern.

Schlüsselmodelle umfassen:

LMG3410R050: Integriert einen 600V GaN FET mit Treiberschaltungen, unterstützt eine effiziente Leistungsumwandlung, geeignet für Server-Netzteile, Rechenzentren und industrielle Stromversorgungssysteme.

LMG3522R030: 650V GaN-Leistungsmodul mit Überstromschutz und Temperaturüberwachungsfunktionen, weit verbreitet in Ladestationen für Elektrofahrzeuge, Solarwechselrichtern und anderen Hochleistungsanwendungen.

Traditionelle Silizium-basierte Leistungsmodule: einschließlich verschiedener DC-DC-Wandler, POL (Point-of-Load)-Module usw.

Die Power Blocks von TI verwenden fortschrittliche Gehäusetechnologie und Wärmemanagement-Design, um die Leistungsdichte und Systemzuverlässigkeit erheblich zu verbessern.