Firmenblog über Recycle ST Power Transistors:IGBTs,Power Bipolar,Power MOSFETs,PowerGaN,SiC MOSFETs und so weiter

Recycle ST Power Transistors:IGBTs,Power Bipolar,Power MOSFETs,PowerGaN,SiC MOSFETs und so weiter

Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd. wurde von der chinesischen Behörde für die elektronische Ausrüstung und -technologie ermittelt.Wir sind seit vielen Jahren auf das Recycling von elektronischen Bauteilen spezialisiert und sind ein professioneller Anbieter von Inventarmanagement- und Recyclingdienstleistungen in der Industrie.Originalprodukte des Herstellers, veraltete Lagerbestände, nicht mehr hergestellte Produkte und nicht mehr in Betrieb befindliche Chips zu sehr wettbewerbsfähigen Preisen, die Unternehmen dabei unterstützen, ihre Lagerbestände schnell zu löschen, Kapital zurückzugewinnen und Lager- und Verwaltungskosten zu senken.

Hauptvorteile unserer Recyclingdienste

Umfassender Einkauf: Es ist keine Mindestkaufmenge erforderlich; wir können für alles von kleinen Chargen von Proben bis zu vollen Lagerfäden Angebote abgeben;

Effiziente Barzahlung: Vorläufige Online-Bewertung auf der Grundlage von Fotos; bei Massengutsendungen können wir eine Inspektion vor Ort organisieren; die Zahlung erfolgt sofort nach Bestätigung;

Wir akzeptieren unverkäufliche Werksbestände, nicht mehr hergestellte Projektbestände, Vorräte und brandneue, unbenutzte Komponenten.

Standardisierte Materialbehandlung: Die Handhabung von recycelten Materialien entspricht den einschlägigen Vorschriften.Wir haben umfassende Partnerschaften mit Komponenten-Recycling-Kanälen eingegangen, um Unternehmen zu helfen, von ungenutzten Vermögenswerten zu profitieren und Lagerfläche freizusetzen..

Transaktionsprozess

Übermittlung der Bestandsliste: Zusammenstellung detaillierter Bauteilinformationen (Teilnummer, Menge, Charge, Verpackungsart, Zustand, Verpackung) und Übermittlung per WeChat, E-Mail oder Telefon;

Genaues Angebot: Unser Bewertungsteam überprüft die Spezifikationen rasch anhand der Marktbedingungen und gibt ein offizielles Angebot heraus.

Bestätigung der Transaktion: Sobald beide Parteien eine Einigung erzielt haben, wird eine Recyclingvereinbarung unterzeichnet und die Lieferung arrangiert (Abholung von Ihrem Standort oder per Kurier);

Lieferung und Bezahlung: Die Abrechnung erfolgt unmittelbar nach der Vor-Ort-Kontrolle oder dem Empfang der Ware, wodurch eine sofortige Bezahlung gewährleistet wird.

I. ST Leistungs-Bipolar-Kreuzungs-Transistoren (BJT)

Leistungsbipolare Verbindungstransistoren (BJT) sind klassische Stromsteuerungsgeräte und gehörten zu den ersten industrialisierten Leistungstransistoren.ST hat eine Reihe von sehr zuverlässigen und kostengünstigen Transistorprodukten mit bipolarer Verbindung entwickelt, die hauptsächlich für Betriebsbedingungen bei mittlerer und niedriger Spannung, niedriger Frequenz und hohem Steady-State-Strom bestimmt sind.

1. Grundprinzip des Betriebs

Leistungsbipolare Verbindungstransistoren sind bipolare leitfähige Geräte, die sich auf einen Basis-Eingang verlassen, um den Strom kontinuierlich zu steuern,mit einer Leistung von mehr als 100 W und einer Leistung von mehr als 100 W,Als Stromgetriebene, vollständig gesteuerte Geräte werden die elektronenförmigen und die Lochträger an der Leitung teilnehmen.sie benötigen einen kontinuierlichen Basisantrieb, um den Betriebszustand während des Betriebs aufrechtzuerhalten, und verfügen nicht über eine Torspannungssteuerung.

2Schlüsseltechnische Merkmale

Die Leistungs-Bipolartransistoren von ST ̇ decken einen breiten Spannungsbereich ab, von 15 V bis 1.700 V, und umfassen Produkte mit konventionellen und mit hohem Gewinn Darlington-Konfigurationen,mit einer Leistung von mehreren bis mehreren hundert AmpereZu ihren Hauptvorteilen zählen geringe Sättigungsspannung, geringe Steady-State-Leitverluste bei hohen Strömen, starke Stoßbeständigkeit, ausgereifte Herstellungsprozesse, geringe Kosten,und über Jahrzehnte auf dem Markt bewährte Zuverlässigkeit.

Diese Geräte weisen jedoch erhebliche Mängel auf: langsame Schaltgeschwindigkeiten mit Betriebsfrequenzen, die typischerweise unter 50 kHz liegen, machen sie für Hochfrequenzumwandlungsanwendungen ungeeignet;hohe Antriebsverluste, die einen kontinuierlichen Basisstrom erfordern und zu einem hohen Stromverbrauch im Antriebsstromkreis führen; und relativ hohe Schaltverluste,mit dynamischen Reaktionsgeschwindigkeiten, die weit unter denen von MOSFETs und IGBTs liegenSie werden daher allmählich durch neuere Antriebe ersetzt und bleiben nur noch in traditionellen Anwendungen, wo sie unerlässlich bleiben.

3. Kernanwendungsszenarien

Diese werden hauptsächlich in herkömmlichen industriellen Steuerungsanwendungen eingesetzt, die durch niedrige Frequenz, niedrige Drehzahl und hohen Gleichstrom gekennzeichnet sind, einschließlich Niederfrequenzmotorantrieben,Stromversorgungen mit Schaltfrequenz, Relais-Antriebe, industrielle Spannungsregelungsschaltungen, kleinsttechnische Wechselrichter und Audio-Leistungsverstärker.Sie werden hauptsächlich in Verbraucherausrüstungen und in Industrieanlagen von niedrigem Standard eingesetzt, wo die Schaltfrequenz keine Anforderung ist und die Kostenkontrolle eine Priorität ist..

II. ST Power MOSFETs (auf Siliziumbasis)

Siliziumbasierte Power-MOSFETs sind die am weitesten verbreiteten und vielfältigsten ST-Systeme für Mittel- und Niederspannungsanlagen.Als spannungsgesteuerte einpolare Geräte, die ausschließlich auf Mehrheitsträger für die Leitung angewiesen sind, haben sie die Hochfrequenzbeschränkungen bipolarer Transistoren vollständig überwunden und sind die gängigen Geräte für kleine und mittlere Leistung hochfrequente Leistungselektronische Systeme.ST bietet eine vollständige Palette von Leistungsprodukten für MOSFET an, einschließlich Niederspannungs-, Mittel- und Hochspannungs- und Überschnittsanlagen, für allgemeine und hochwertige industrielle Anwendungen.

1. Grundprinzipien

Leistungs-MOSFETs sind spannungsbetriebene, vollständig gesteuerte Geräte, die die Kanalleitung und -abschaltung über eine Schwellenspannung zwischen Gate und Quelle regulieren.Die Leitfähigkeit beruht ausschließlich auf Elektronen als einzigem Ladungsträger, ohne Rückkombination der Minderheitsträger, was zu extrem schnellen Reaktionszeiten führt.Die Geräte verfügen über eine extrem hohe Eingangsimpedanz und benötigen während des Steady-State-Betriebs praktisch keinen Antriebsstrom, was zu stark vereinfachten Antriebsströmen und einem minimalen Stromverbrauch führt.

2Schlüsseltechnische Merkmale

Die Stromversorgungs-MOSFETs auf Siliziumbasis von ST ′ umfassen einen Spannungsbereich von 20 V bis 900 V, einen Strombereich von Milliampere bis mehrere hundert Ampere und Betriebsfrequenzen von 100 kHz bis mehrere MHz,sie für Hochfrequenzumwandlungsanwendungen ideal geeignet machenZu ihren Hauptvorteilen gehören schnelle Schaltgeschwindigkeit, extrem geringe Schaltverluste, einfache Antriebsanforderungen, gute thermische Stabilität, starke Immunität gegen Störungen,und keine Gefahr einer sekundären Zerlegung.

Zu den firmeneigenen Technologien von ST® gehören die Serien SuperJunction CoolMOS und SupremMOS, die durch eine optimierte Chip-Architektur den Einstiegswiderstand (Rds ((on)) signifikant reduzieren,so dass geringere Leitverluste und eine höhere Leistungsdichte erzielt werdenEine Einschränkung liegt in dem bemerkenswerten Nachteil des Vorwärtsspannungsabfalls unter Hochspannungsbedingungen; bei Hochspannungsanwendungen mit hoher Leistung über 600 Vdie Leitungseinbußen sind höher als bei IGBT-Geräten.

3. Kernanwendungsszenarien

Sie werden in kleinen und mittleren Leistungs-Hochfrequenz-Leistungselektronikgeräten weit verbreitet und sind Kernkomponenten von Unterhaltungselektronik und Telekommunikationsgeräten.Zu den typischen Anwendungen gehören Mobilfunkadapter, PC-Schaltnetzteile, Server- und Telekommunikationsnetzteile, Gleichspannungs-Gleichspannungsumrichter, Niederspannungsmotorantriebe, intelligente Heimsteuerungssysteme und Niederspannungsnetzteile für Automobile.

III. ST IGBT (Bipolartransistor mit isoliertem Tor)

Die IGBT ist ein Komposit-Leistungseinrichtung, die die Vorteile von MOSFETs und bipolaren Transistoren kombiniert und die Anforderungen von Hochspannung perfekt ausgleicht,Hochstrom- und Mittel- bis HochfrequenzbetriebEs dient als Kernkomponent in mittleren und hochen Spannung, hohe Leistung Industrie-Power-Elektronik-Systeme.Industrie, der Automobil- und Schienenverkehr und eignet sich für eine Vielzahl von Leistungs- und Frequenzbedingungen.

1. Grundprinzipien

Die IGBT integriert die Gate-Volt-Antriebsstruktur eines MOSFET mit der Hochstromleitungsstruktur eines bipolaren Transistors.Die Eingangsseite verwendet eine MOSFET-Struktur, um einen spannungsbetriebenen Betrieb und einen geringen Antriebsstromverbrauch zu ermöglichenAuf der Ausgangsseite wird eine bipolare Leitungsstruktur verwendet, die den Spannungsabfall der Hochspannung durch Minoritätsträgerinspritzung reduziert.Es kombiniert somit die Hochfrequenz-Eigenschaften von einpolaren Geräten mit den Vorteilen niedriger Leitungsverluste von bipolaren Geräten.

2Schlüsseltechnische Merkmale

ST IGBTs decken einen Spannungsbereich von 600 V bis 6,5 kV und Stromstärken von bis zu mehreren Tausend Ampere ab und eignen sich somit für Anwendungen mit hoher Leistung.Ihre Betriebsfrequenzen liegen typischerweise zwischen mehreren kHz und 50 kHz., so dass sie für mittelfrequente bis hohe Leistungsumwandlungsszenarien geeignet sind. Zu ihren Hauptvorteilen gehören extrem geringe Leitverluste bei hohen Spannungen und Strömen,hohe Stromdichte, hohe Spannungsfähigkeit, einfache Antriebsanforderungen und hervorragende Stabilität.

Zu den Einschränkungen des Geräts gehören Rückstrom während des Abschaltvorgangs, Schaltgeschwindigkeiten, die niedriger sind als bei Leistungs-MOSFETs und Breitbandgeräten,und ein deutlicher Anstieg der Schaltverluste unter Hochfrequenzbedingungen, so dass es für Hochfrequenzanwendungen auf MHz-Ebene ungeeignet ist. ST hat spezielle Serien aufgelegt, die auf verschiedene Szenarien zugeschnitten sind, wie zum Beispiel Hochgeschwindigkeits-IGBTs,IGBT mit geringem Verlust und IGBT für den Automobilbereich, Ausgleichsverlust und Frequenzmerkmale.

3. Kernanwendungsszenarien

Mit Schwerpunkt auf mittleren und hochen Spannungs-Anwendungen in der Leistungselektronik mit hoher Leistung, einschließlich industrieller Variable-Frequenz-Motorantriebe, UPS-Systeme (ununterbrochene Stromversorgung),Schweißmaschinen für Industriezwecke, Induktionsheizungsanlagen, Photovoltaik- und Windkraftumrichter, Steuerungssysteme für Elektrofahrzeuge, Zugumrichter für den Schienenverkehr und hochdruckende industrielle Spannungsstabilisatoren.

IV. ST Leistungs-GaN-Geräte (Galliumnitrid)

GaN-Geräte (Galliumnitrid) sind Halbleitergeräte der dritten Generation mit breiter Bandbreite.Anwendungen zur hocheffizienten und miniaturisierten LeistungsumwandlungDiese Geräte haben die Frequenz- und Effizienzgrenzen von Silizium-basierten Geräten durchbrochen und sind die Kernkomponenten für die Aktualisierung von Hochfrequenz-, Mittel- bis Niedrigleistung-High-End-Stromversorgungen.

1. Grundprinzipien

ST ′s GaN-Leistungsgeräte sind Spannungsgesteuerte Geräte im Verstärkungsmodus.Sie benötigen nicht die PN-Verbindungsleitungsstruktur von Silizium-GerätenSie setzen stattdessen auf ein zweidimensionales Elektronengas (2DEG), um eine hohe Leitung zu erreichen.mit einer Leistung von mehr als 50 W und einer Leistung von mehr als 50 W.

2Schlüsseltechnische Merkmale

Die GaN-Geräte von ST ̇ sind in erster Linie in Spannungsstufen von 100 V und 650 V erhältlich und bieten herausragende Vorteile: Schaltgeschwindigkeiten übersteigen bei weitem die von Silizium-basierten MOSFETs,mit einer Betriebsfrequenz von mehreren zehn MHz, was zu deutlich reduzierten Schaltverlusten führt; der Einsatzwiderstand ist extrem gering und führt zu Einsatzverlusten, die höher sind als bei siliziumbasierten Geräten derselben Spezifikation;die Geräte sind kleiner und bieten eine deutlich höhere Leistungsdichte, die Miniaturisierung und Gewichtsreduzierung von Stromversorgungsgeräten ermöglicht.

Verglichen mit Silizium-basierten Geräten bieten GaN-Geräte eine höhere Widerstandsfähigkeit gegen hohe Temperaturen und Hochspannungsabbau, wobei die Rückgewinnungsverluste nahe Null liegen.Damit wird das Problem der umgekehrten Verluste unter Hochfrequenzbetriebsbedingungen vollständig gelöst.Zu ihren Nachteilen gehören höhere Kosten als bei Silizium-basierten Geräten, strengere Anforderungen an die Präzision der Antriebsströmung und anspruchsvollere Einschränkungen bei PCB-Layout und Prozessdesign.

3. Kernanwendungsszenarien

Diese Geräte richten sich in erster Linie an hochfrequente, hocheffiziente und miniaturisierte Anwendungen für die Hochleistungs-Leistungsumwandlung, einschließlich hochwertiger schneller Ladeversorgungen.Stromversorgung für Hochfrequenz-Server, Stromversorgungen für Telekommunikationsbasisstationen, Bordladegeräte für Fahrzeuge, Hochfrequenz-Gleichstrom-Gleichstrom-Wandler, leichte neue Energieversorgungen,und Kleinstromgeräte für den Luft- und Raumfahrtsektor.

V. ST SiC MOSFET (Siliciumkarbid)

SiC (Siliciumcarbid) MOSFETs sind derzeit die führenden Breitbandgeräte im Hochspannungs- und Hochleistungsbereich.ST hat eine umfassende Palette von kommerziellen SiC-MOSFETs entwickelt, die alle mittleren und hohen Spannungsstufen abdeckenDank ihrer hohen Spannungsfähigkeit, geringen Verlusten und hoher TemperaturbeständigkeitSie ersetzen allmählich traditionelle Silizium-basierte IGBTs, um die Kernkomponenten in High-End-, Hochleistungsgeräte für neue Energieanwendungen.

1. Grundprinzip des Betriebs

ST SiC MOSFETs sind aus 4H-SiC monokristallinem Siliziumkarbidmaterial hergestellt und sind einpolare Spannungsgesteuerteinrichtungen.Sie verlassen sich ausschließlich auf Elektronenträger für die Leitung und sind frei von der Minderheit Träger Rückseiteffekt, wodurch der mit Siliziumbasierten IGBTs verbundene Schaltverlustengpässer vollständig behoben wird.Die Abbaufeldfestigkeit und die Wärmeleitfähigkeit sind weit überlegen als die von Silizium, die eine außergewöhnliche Eignung für Hochspannungs- und Hochfrequenzanwendungen bietet.

2Schlüsseltechnische Merkmale

Die kommerziellen SiC-MOSFETs von ST® decken einen Spannungsbereich von 650 V bis 3.300 V ab, wobei die Prototypen bis zu 6.500 V erreichen, was sie für Anwendungen mit hoher Spannung und hoher Leistung geeignet macht.Zu ihren Kernmerkmalen gehört eine hohe Feldfestigkeit, hochtemperaturbeständig und mit ausgezeichneter Wärmeleitfähigkeit, die einen stabilen Betrieb unter hohen Temperaturen und rauen Bedingungen ermöglichen; sie verfügen über extrem schnelle Schaltgeschwindigkeiten,mit Schaltverlusten von weniger als einem Drittel der IGBT auf Siliziumbasis■ sie weisen unter Hochspannungs- und Hochstrombedingungen extrem geringe Leitverluste auf, wobei die Gesamtenergieeffizienz die der Silizium-Geräte weit übersteigt.

Im Vergleich zu GaN-Geräten bieten SiC-Geräte eine höhere Spannung, eine überlegene Hochtemperaturbeständigkeit und eine größere Leistungskapazität, was sie ideal für Hochspannungsanwendungen mit hoher Leistung macht.Ihre Nachteile umfassen die höchsten Gerätekosten, strenge Anforderungen an Verpackungs- und Antriebsprozesse und eine relativ hohe Barriere für die Systementwicklung.

3. Kernanwendungsszenarien

Die Konzentration auf High-End-, Hochspannungs-, Hochleistungs-, Hocheffizienz- und Hochverlässlichkeitsanwendungen sind Kernkomponenten der neuen Energiewirtschaft.Anwendungsbereiche sind Hauptantriebsinverter für neue Energiefahrzeuge, eingebaute Hochspannungs-Gleichspannungswandler, Superladestationen, großflächige Photovoltaik- und Windkraftumrichter, PCS-Systeme zur Speicherung von Energie, hochspannende industrielle Frequenzvariablen,Zugsysteme für den Schienenverkehr, und hochwertige militärische Ausrüstung.