Firmenblog über Recycle ST GaN Power IC: Integrierte Smart GaN, GaN-Treiber, Hochspannungs-GaN-Wandler

Recycling von ST GaN Power IC: Integrierte Smart GaN, GaN-Treiber, Hochspannungs-GaN-Wandler

Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.Als führendes Unternehmen in der Recyclingbranche für elektronische Bauteile bietet es Kunden umfassende Recyclinglösungen für elektronische Bauteile, um ihnen zu helfen, Lagerbestände zu reduzieren, Lagerraum zu minimieren, Lagerkosten zu senken und Betriebskosten zu verwalten.

Recycelte Produkte umfassen:Integrierte Schaltkreise (ICs), 5G-Chips, New-Energy-ICs, IoT-Chips, Bluetooth-Chips, Automobil-Chips, KI-ICs, Ethernet-ICs, Speicherchips, Sensoren, IGBT-Module und andere verschiedene elektronische Bauteile.

Spezifischer Recyclingprozess:

1. Sie können Ihr IC/Modul-Inventar kategorisieren und es mit Modellnummern, Marken, Produktionsdaten, Mengen und anderen relevanten Informationen versehen.

2. Bitte senden Sie die Inventarliste per Fax oder E-Mail an unser Bewertungsteam.

3. Sobald Sie das Kaufangebot von unseren Fachleuten erhalten haben, können Sie über spezifische Transaktionsmethoden und Lieferdetails verhandeln und sich einigen.

4. Wir recyceln nur von offiziellen Kanälen (wie Agenten, Händlern und Fabriken) und akzeptieren keine inoffiziellen Quellen.

Integrierte Smart GaNs

Galliumnitrid (GaN) revolutioniert die Welt der Leistungselektronik, indem es hohe Geschwindigkeit, erhöhte Effizienz und höhere Leistungsdichte ermöglicht, die mit Silizium-MOSFETs bisher nicht möglich waren. Durch die Integration von GaN-Transistoren und Gate-Treibern bieten unsere fortschrittlichen MasterGaN-Systeme-in-Package eine hohe Effizienz aufgrund ihres optimierten Gate-Treibers, hoher Leistungsdichte und erhöhter Schaltfrequenz aufgrund minimaler parasitischer Effekte.

GaN-Treiber

Die GaN-Treiber sind Halbbrücken-Gate-Treiber für Enhancement-Mode-GaN-FETs oder N-Kanal-Leistungs-MOSFETs.

Hochspannungs-GaN-Wandler

Die Hochspannungs-Leistungswandler werden durch die Einführung der GaN-HEMT-Technologie (High-Electron-Mobility-Transistor) bereichert. Die Verwendung eines GaN-Transistors führt zu höherer Leistungsdichte, höherem Wirkungsgrad, höherer Schaltfrequenz mit folglich kleinerer und leichterer Leiterplatte, was das Design von SMPS vereinfacht und die Gesamtleistung verbessert.