Firmenblog über Recycling von SiC-Produkten:Dioden aus Siliziumcarbide,MOSFETs aus Siliziumcarbide,JFETs aus Siliziumcarbide

Recycling von SiC-Produkten:Dioden aus Siliziumcarbide,MOSFETs aus Siliziumcarbide,JFETs aus Siliziumcarbide

Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.als branchenführender Dienstleister für das Recycling elektronischer Bauteile konzentriert sich auf die Bereitstellung professioneller Recyclingdienste für elektronische Bauteilprodukte für weltweite Kunden, einschließlich IC-ICs,5G-Chips, neue Energie-ICs, IoT-Chips, Bluetooth-Chips, Automotive-Chips, KI-ICs, Ethernet-ICs, Speicherchips, Sensoren und IGBT-Module.

Recyclingprozess:
Wenn Sie vorrätige elektronische Komponenten zur Entsorgung haben, können Sie das IC/Modul-Inventar per E-Mail zum Verkauf senden.Unsere Firma wird Fachleute zu Ihnen nach Hause schicken, um Ihnen vorläufige Tests und Klassifizierungen Ihrer elektronischen Komponenten zu ermöglichen., und je nach Art, Menge, Qualität und anderen Faktoren, um den entsprechenden Recyclingpreis zu ermitteln.Wir können spezifische Transaktionsmethoden für die Lieferung verhandeln.

1. Siliziumkarbiddiode (SiC-Diode)
Repräsentatives Modell: FFSHx065/120-Serie (650V/1200V), FFSHx170 (1700V)
- Technische Merkmale:
- Null Rückgewinnungslast (Qrr≈0nC), Schaltverlust 80% niedriger als bei Silizium-FRDs.
- Toleranz bei Knotentemperaturen bis zu 175°C. Unterstützt Hochfrequenz (> 100 kHz) Hard-Switching-Topologien.
- Anwendungsszenario:
- Elektrofahrzeuge OBC: Entsprechende Full-Bridge LLC-Architektur, Effizienz bis zu 97,5% (gegenüber 95% für Si-basierte).
- PV-Optimierer: 3 mal schnelleres MPPT-Tracking bei 1500V-System.

2. Siliziumkarbid-MOSFET (SiC-MOSFET)
Vorzeigeprodukte: NVH4L015N170M1 (1700V/15mΩ), NVH4L040N120M1 (1200V/40mΩ)
- Innovativer Durchbruch:
- Einführung der Dual-Trench-Gate-Technologie mit einem spezifischen Einsatzwiderstand (Rsp) von nur 2,5 mΩ-cm2 (Industriedurchschnitt 3,8 mΩ-cm2).
- Ein integrierter Temperatursensor für die Präzisionsüberwachung der Knoten­temperatur von ±1°C, die die Lebensdauer um 30% verlängert.
- Strategische Märkte:
- Supercharger-Pile: Unterstützt 350 kW schnelles Laden auf einer 800-Volt-Plattform mit einer Leistungsdichte von 50 kW/L.
- Datenzentrumsanbieter: Titan-Energieeffizienz-Zertifizierung (96%+) mit PUE auf 1 optimiert.1.

3. Siliziumkarbid JFET (SiC JFET)
Besondere Vorteile:
- Normalerweise geschlossenes Design: Lösung traditioneller JFET-Antriebskompatibilitätsprobleme durch Kaskadierung (Cascode) von SiC-JFETs mit siliziumbasierten MOSFETs.
- Strahlungsbeständigkeit: Grenzwert für das Einschalten einzelner Partikel (LET) > 100 MeV-cm2/mg für Satellitennetzwerke.
Typische Lösung: JWSx065-Serie (650V/5A) für Industrieantriebe mit dv/dt Toleranz bis zu 100V/ns.