Recycle ON Power Module Evaluation Board: IGBT-Modul, MOSFET-Modul, IPM, SiC-Modul
Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.ist ein weltweit renommierter Recycler von elektronischen Bauteilen. Durch professionelle Recycling-Dienstleistungen helfen wir Kunden, den Wert ungenutzter elektronischer Komponenten zu realisieren. Mit starker wirtschaftlicher Stärke und einem perfekten Service-System haben wir das langfristige Vertrauen und die Zusammenarbeit vieler Fabrikkunden und Händler gewonnen.
Recycling-Produkte umfassen:5G-Chips, New-Energy-ICs, IoT-ICs, Bluetooth-ICs, Telematik-ICs, Automotive-ICs, Automotive-Grade-ICs, Kommunikations-ICs, Künstliche-Intelligenz-ICs, Speicher-ICs, Sensor-ICs, Mikrocontroller-ICs, Transceiver-ICs, Ethernet-ICs, WiFi-Chips, drahtlose Kommunikationsmodule, Steckverbinder und andere elektronische Bauteile.
Recycling-Prozess:
1、Bestandsklassifizierung und Einreichung der Liste
Kunden klassifizieren zunächst den Lagerbestand, um Modell, Marke, Produktionsdatum, Menge, Verpackungsform und Verpackungszustand zu bestimmen. Kunden können die detaillierte Bestandsliste per E-Mail oder Fax an unser Bewertungsteam senden.
2、Professionelle Bewertung und Angebot
Nach Erhalt der Bestandsliste führt das Unternehmen innerhalb von 24 Stunden eine erste Bewertung durch und gibt ein Angebot ab.
3、Vertragsunterzeichnung und Logistikvereinbarung
Nachdem sich beide Parteien auf den Preis geeinigt haben, wird ein formeller Recycling-Vertrag unterzeichnet, um die Einzelheiten der Transaktion zu klären.
4、Warenprüfung und schnelle Zahlung
Nachdem die Waren im Lager eingetroffen sind, erfolgt die endgültige Qualitätsprüfung der Produkte. Nach bestandener Prüfung verpflichtet sich das Unternehmen, die Zahlung innerhalb von 3 Werktagen zu leisten, um sicherzustellen, dass der Kunde schnell wieder über Kapital verfügt. Die Zahlungsmethoden sind flexibel und können je nach Kundenwunsch in Form von Überweisung, Bargeld und anderen Formen vereinbart werden.
I. IGBT-Modul-Evaluationsboards: Fokus auf isoliertem Antrieb und Systemintegration
IGBTs (Insulated Gate Bipolar Transistors) bilden das Rückgrat von Anwendungen im mittleren Frequenz- und Hochleistungsbereich. Die Evaluierung von IGBTs umfasst nicht nur das Bauelement selbst, sondern auch dessen Gate-Ansteuerung und die isolierte Stromversorgung.
Beispiel für ein Core-Evaluationsboard: SECO-LVDCDC3064-IGBT-GEVB
Dieses Evaluationsboard erfüllt präzise die Kernanforderung für die IGBT-Ansteuerung: die Bereitstellung einer stabilen, isolierten Gate-Ansteuerungs-Stromversorgung.
Design-Kern: Integriert einen On-Board-NCV3064-Controller von ON Semiconductor in Automobilqualität (industriequalitatives Äquivalent: NCP3064) zur Konstruktion eines eingangsseitig isolierten DC-DC-Wandlers.
Wichtige Ausgänge: Liefert stabile -7,5 V/15 V-Spannungsschienen, wobei die negative Schiene einen zuverlässigen IGBT-Ausschaltvorgang gewährleistet und unbeabsichtigtes Leiten verhindert. Eine zusätzliche 7,5 V-Hilfsstromschiene ist ebenfalls vorhanden.
Hochleistungsspezifikationen: Unterstützt einen weiten Eingangsspannungsbereich von 6 V bis 18 V, arbeitet mit einer Schaltfrequenz von bis zu 150 kHz und erreicht eine dielektrische Isolation von bis zu 4000 VAC, wodurch eine sichere und zuverlässige Isolation zwischen Hochspannungs- und Niederspannungsseiten gewährleistet wird.
Anwendungswert: Als „Plug-and-Play-Lösung“ ist die Pinbelegung mit kommerziellen IGBT-DC/DC-Netzteilen kompatibel, sodass Ingenieure sie schnell in Wechselrichter- oder Motorantriebsplatinen integrieren können. Dies ermöglicht die Konzentration auf die System-Level-Fehlerbehebung anstatt die Entwicklung einer Treiber-Stromversorgung von Grund auf. Seine hohe Isolation und die AEC-Q-Konformität machen es besonders geeignet für anspruchsvolle Anwendungen wie Automobilantriebe und Industrie-Wechselrichter.
Darüber hinaus erfordern die innovativen Hybridtechnologie-IGBTs von ON Semiconductor (wie der AFGHL50T65SQDC, der einen Field-Stop-IGBT mit einer SiC-Schottky-Diode in einem einzigen Gehäuse integriert) eine spezielle Antriebsevaluierung, um ein optimales Gleichgewicht zwischen Schaltleistung und Verlusten zu erzielen.
II. MOSFET-Modul-Evaluationsboards: Optimiertes Layout und Testkomfort
Leistungs-MOSFET-Module sind entscheidend für Hochfrequenz- und Hocheffizienzanwendungen. Ihre Evaluationsboards priorisieren die Minimierung parasitärer Parameter, die Bereitstellung umfassender Testschnittstellen und die Unterstützung fortschrittlicher Leistungsverifizierungsmethoden.
Beispiel für ein Core-Evaluationsboard: EVBUM2878G-EVB
Diese Platine wurde speziell zur Evaluierung von 1200V M3S Full-Bridge (4-PACK) MOSFET-Modulen im F2-Gehäuse entwickelt.
Design-Kern: Verwendet eine vierlagige FR4-Leiterplatte mit 70 μm Kupferdicke, kombiniert mit einem Low-Inductance-Layout, um parasitäre Induktivität und Widerstand im Leistungsloop zu minimieren – entscheidend für Hochfrequenz-Schaltanwendungen.
Hauptmerkmale: Integriert vier isolierte Einzelkanal-Gate-Treiber (2,5 kV Spannungsfestigkeit), um eine unabhängige, zuverlässige Ansteuerung jedes Brückenarms zu gewährleisten. Die Platine unterstützt den Dual-Pulse-Test (DPT) und Open-Loop-Leistungstests, Standardmethoden zur Bewertung der dynamischen Schalteigenschaften von Leistungsbauelementen wie Schaltverluste und Überspannung.
Benutzerfreundliches Design: Eingangs-/Ausgangssignal-Steckdosen erleichtern den Anschluss an externe Controller (Bereitstellung von PWM-Signalen) und das Fehlersignalmanagement. Mehrere Testpunkte sind für bequeme Oszilloskop-Messungen kritischer Wellenformen integriert.
Anwendungsfokus: Zielt in erster Linie auf Sektoren ab, die eine hohe Leistungsdichte und Effizienz erfordern, wie z. B. unterbrechungsfreie Stromversorgungen, Energiespeichersysteme, Ladestationen für Elektrofahrzeuge und Solarwechselrichter.
III. Evaluationsboard für intelligente Leistungsmodule: Vereinfachung des Designs, Verbesserung der Zuverlässigkeit
Das IPM (Intelligent Power Module) integriert in einem einzigen Gehäuse in hohem Maße IGBTs oder MOSFETs, Treiberschaltungen und Schutzschaltungen (z. B. Überstrom, Unterspannung, Übertemperatur). Das Evaluationsboard ermöglicht es Benutzern, schnell alle intelligenten Modulfunktionen zu validieren und komplette Anwendungssysteme zu erstellen.
Kern-Evaluierungskomponenten und -Technologie: Opto-isolierte IPM FOD848x
Obwohl detaillierte Informationen zu den IPM-Evaluationsboards von ON Semiconductor in den Suchergebnissen begrenzt sind, zeigen die zentralen opto-isolierten IPM-Komponenten der FOD848x-Serie den Kern der IPM-Evaluierung.
Funktionskern: Dieses Gerät fungiert als „Brücke“, die den digitalen Controller mit dem Leistungsmodul verbindet und die sichere und zuverlässige Übertragung von Steuersignalen gewährleistet.
Hauptleistung: Mit einer außergewöhnlich hohen Gleichtakt-Transientenfestigkeit (CMTI) mit einer Mindestbewertung von 20 kV/µs unterdrückt es effektiv hochfrequente Störungen, die durch Schaltvorgänge auf der Leistungsseite erzeugt werden, und verhindert Fehlfunktionen auf der Logikseite. Es bietet eine elektrische Isolation von bis zu 5000 VAC und gewährleistet so die Systemsicherheit.
Wert des Evaluationsboards: Ein umfassendes IPM-Evaluationsboard (z. B. ähnlich dem Design EVAL-M1-IM818-A anderer Hersteller) baut auf solchen Isolatoren auf und integriert Schaltungen für das IPM-Modul, die Strommessung, die Busspannungsabtastung und die EMV-Filterung. Es bietet Benutzern ein nahezu vollständiges ein- oder dreiphasiges Leistungsumrichter-Frontend. Entwickler müssen lediglich eine MCU-Steuerplatine und einen Motor anschließen, um schnell mit der Überprüfung fortschrittlicher Algorithmen wie der sensorlosen feldorientierten Steuerung zu beginnen.
IV. SiC-Modul-Evaluationsboards: Spitzentechnologie-Plattformen für Hochspannungs- und Hochgeschwindigkeitsherausforderungen
Siliziumkarbid (SiC)-Bauelemente revolutionieren Photovoltaik, Elektrofahrzeuge und High-End-Netzteile aufgrund ihrer Hochspannungs-, Hochtemperatur- und Hochfrequenzeigenschaften. Ihre Evaluationsboards stellen die anspruchsvollsten Designherausforderungen und Komplexitäten dar und erfordern das Management höherer dV/dt, strengere Gate-Anforderungen und robuste Schutzfunktionen.
Beispiel für ein Core-Evaluationsboard: EVBUM2880G-EVB
Diese fortschrittliche Plattform evaluiert die 1200V M3S EliteSiC Half-Bridge (2-PACK) MOSFET-Module von ON Semiconductor.
Designziel: Bereitstellung einer robusten, flexiblen Testplattform zur Bewertung der extremen Leistung und Funktionalität von SiC-Modulen.
Kernfähigkeiten: Umfassende Unterstützung für Dual-Pulse-Tests und Open-Loop-Leistungstests. Der On-Board-Gate-Treiber muss die positiven und negativen Gate-Spannungen liefern, die für SiC-MOSFETs erforderlich sind (z. B. +15 V/-3 V bis -5 V), mit extrem geringer Ausbreitungsverzögerung und außergewöhnlicher CMTI-Leistung, um die Hochgeschwindigkeitsvorteile von SiC zu nutzen.
Systemschnittstelle: Verbindet sich mit externen Controllern für den PWM-Eingangsempfang und die Verarbeitung von Fehlersignalen, die vom Modul zurückgegeben werden, und erleichtert so die Integration in komplexere digitale Steuerungssysteme.
Kompatibilität und Anwendungen: Kompatibel mit mehreren Strom-Nennmodulvarianten (z. B. NXH010P120M3F1PTG), die nahezu alle Anwendungen der nächsten Generation mit hoher Effizienz und hoher Leistungsdichte abdecken, einschließlich Elektrofahrzeugantrieben, Traktionswechselrichtern, Solarwechselrichtern und High-End-Industrie-Netzteilen.
Spezielle Treiber-Evaluationsplatine: NCP51705 Mini SMD Evaluationsplatine
Über die Modul-Level-Evaluierung hinaus bietet ON Semiconductor Treiber-Level-Lösungen wie die NCP51705 Mini SMD Evaluationsplatine. Diese Platine integriert den NCP51705-Treiber, der für die Ansteuerung von SiC-MOSFETs optimiert ist, zusammen mit allen Peripherieschaltungen und einem digitalen Isolator, mit reservierten Pads für das TO-247-Gehäuse. Sie ist topologiesagnostisch und dient als universelles Low-Side- oder High-Side-Treiber-Evaluierungsmodul, um Ingenieure bei der schnellen Validierung der Treiber-Schaltungsleistung auf kundenspezifischen Leistungsstufen zu unterstützen.
Ansprechpartner: Mr. Sales Manager
Telefon: 86-13410018555
Faxen: 86-0755-83957753