Firmenblog über Recycling von Hochspannungs-Strommodulen mit Mikrochip: Si-MOSFET-Modul, Si-Dioden-Modul, Strommodul

Recycling von Hochspannungs-Strommodulen mit Mikrochip: Si-MOSFET-Modul, Si-Dioden-Modul, Strommodul

Als führender Dienstleister für das Recycling elektronischer Komponenten in China,Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd. wurde von der chinesischen Behörde für die elektronische Ausrüstung und -technologie ermittelt.ist bestrebt, Kunden dabei zu unterstützen, das Lagerbestand zu verarbeiten, die Lagerhaltung zu reduzieren und die Lager- und Verwaltungskosten zu senken.

Zu den wichtigsten Produkten des Unternehmens gehörenICs, Chips, aus dem Hafen zurückgegebene elektronische Materialien, vom Zoll beschlagnahmte und versteigerte elektronische Materialien, Fabrikelektronikbestände usw., einschließlich Mikrocontroller, Speicher-CPU,Alle elektronischen Materialien einschließlich Dioden, Optocoupler, Filter, Relais, Potentiometer, Kommunikations-ICs, Bluetooth-Chips, GPS-Antennen, Brückenstapel, LED-Lichtleitungen, Hauptsteuerchips, Mikrocontroller, Steckverbinder, Module,Sensoren, optische Module, optoelektronische Empfänger und Sender, Hall-Elemente, Kommunikations-Motherboards, Fahrzeugchips, Mobiltelefonchips, Tablet-Computerchips, Apple-Telefon-IC/Uhr-IC,Sicherheitsüberwachung IC, Audioverstärker-IC, LCD-Treiberchip, Motor-Treiberchip usw.

Kernprodukt für Hochspannungs-Leistungsmodule
Das Silizium-MOSFET-Leistungsmodul verwendet die Metalloxid-Halbleiterfeldwirkungstransistor (MOSFET) -Technologie, die Vorteile wie schnelle Schaltgeschwindigkeit, geringe Antriebsleistung,und gute HochfrequenzmerkmaleEs wird häufig bei der Umschaltung von Stromversorgungen, Motorantrieben, Wechselrichtern und anderen Anlässen verwendet.

Silikondioden-Leistungsmodule umfassen Typen wie gewöhnliche Gleichrichterdioden, schnelle Wiederherstellungsdioden (FRD), ultraschnelle Wiederherstellungsdioden (UFRD) und Schottky-Dioden (SBD).Diese Module spielen eine Schlüsselrolle in Schaltkreisen wie der LeistungsumwandlungVor allem für Hochspannungs- und Hochstrommodule mit Siliziumdioden, wie solche mit Spezifikationen über 1200 V/100 A,sie werden in industriellen Stromversorgungen und neuen Energiefeldern weit verbreitet.

Das Leistungsmodul integriert IGBT, Treiberkreis, Schutzkreis usw. in ein und dasselbe Paket, das die Eigenschaften hoher Integration, hoher Zuverlässigkeit und Benutzerfreundlichkeit aufweist.Hauptsächlich in der Unterhaltungselektronik verwendet, industrielle Steuerung und Automobilelektronik mit einem Leistungsbereich von 50W bis 10KW, einschließlich verschiedener Topologiestrukturen wie Dreiphasen-Wechselrichtermodule, PFC-Modulemit einer Leistung von mehr als 50 W und.