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Firmenblog über MACOM GaN-Produkt recyceln: GaN MMICs, GaN-Leistungsverstärker

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China ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. zertifizierungen
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Versendet sehr schnell, und sehr hilfreich, neu und ursprünglich, würde in hohem Grade sich empfehlen.

—— Nishikawa aus Japan

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MACOM GaN-Produkt recyceln: GaN MMICs, GaN-Leistungsverstärker
Neueste Unternehmensnachrichten über MACOM GaN-Produkt recyceln: GaN MMICs, GaN-Leistungsverstärker

Recycling von MACOM GaN Produkten: GaN MMICs, GaN Leistungsverstärker

 

Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.,als Chinas führender Dienstleister für das Recycling elektronischer Komponenten nutzt seine umfassende Branchenerfahrung und sein globales Recycling-Netzwerk, um professionelle Recycling-Dienstleistungen anzubieten und Kunden dabei zu helfen, ihre Bestandsvermögen zu optimieren und den Cashflow zu verbessern.

 

Recycelte Produkte umfassen:5G-Chips, ICs für neue Energien, IoT-ICs, Bluetooth-ICs, Fahrzeugvernetzungs-ICs, Automobil-ICs, Kommunikations-ICs, ICs für künstliche Intelligenz usw. Darüber hinaus liefert das Unternehmen Speicher-ICs, Sensor-ICs, Mikrocontroller-ICs, Transceiver-ICs, Ethernet-ICs, WiFi-Chips, drahtlose Kommunikationsmodule, Steckverbinder und andere elektronische Komponenten.

 

Recycling-Prozess:

1. Beratung: Wenn Sie elektronische Komponenten im Bestand haben, die entsorgt werden müssen, können Sie eine E-Mail mit einer Liste der ICs/Module senden, die Sie verkaufen möchten.

2. Vor-Ort-Recycling: Unser Unternehmen entsendet Fachpersonal, um Ihre elektronischen Komponenten vor Ort abzuholen und eine Vorprüfung und Klassifizierung der Komponenten durchzuführen.

3. Angebot: Das Unternehmen erstellt ein entsprechendes Recycling-Angebot basierend auf Faktoren wie Art, Menge und Qualität der recycelten Komponenten.

4. Abrechnung: Wenn sich beide Parteien geeinigt haben, können spezifische Transaktionsmethoden für die Lieferung ausgehandelt werden.

 

MACOM Galliumnitrid-MMIC-Produkte

Das GaN-MMIC-Produktportfolio von MACOM repräsentiert den neuesten Stand der Technik in Bezug auf die Branchenleistung. Durch die Verwendung von GaN-on-SiC (Siliziumkarbid-basiertes GaN) und GaN-on-Si (Silizium-basiertes GaN) Prozesstechnologien unterstützt MACOM Systemarchitekturen der nächsten Generation für Anwendungen, die von Phased-Array-Radaren bis hin zu Satellitenkommunikation und Präzisionsmessgeräten reichen.

 

Die GaN-MMIC-Produkte von MACOM umfassen hauptsächlich die folgenden Kategorien:

 

GaN-Verteilverstärker

Ultra-Breitband-Leistung: Deckt DC bis 40 GHz oder höhere Frequenzbänder ab, mit ausgezeichneter Verstärkungslinearität (typischer Wert innerhalb von ±1 dB), was die Breitbandanforderungen von Anwendungen wie elektronischer Kriegsführung, Breitbandkommunikation sowie Test- und Messgeräten erfüllt.

Hohe Leistungsdichte: Durch die Nutzung der hohen Durchbruchspannungseigenschaften von GaN-Material liefert es die 3-5-fache Ausgangsleistung im Vergleich zu herkömmlichen GaAs-Bauelementen auf derselben Chipfläche, wobei die typische Leistungsdichte 4-6 W/mm erreicht

Ausgezeichnete Linearität: OIP3 übersteigt typischerweise 35 dBm, geeignet für die originalgetreue Verstärkung komplex modulierter Signale

Temperaturstabilität: Eingebaute Temperaturmess- und Kompensationsschaltungen gewährleisten eine stabile Leistung über einen weiten Temperaturbereich von -40 °C bis +85 °C

Kompakte Verpackung: Verwendet hauptsächlich QFN- oder Keramik-Oberflächenmontageverpackungen mit kompakter Größe für eine einfache Systemintegration

 

Galliumnitrid-Front-End-Modul

Hochintegriertes Design: Ein einzelnes Modul integriert Sende-/Empfangsfunktionen (LNA, PA, Switch usw.), wodurch Leiterplattenfläche und Verbindungsverluste reduziert werden

Ausgezeichnete Leistungseffizienz: Gesamtwirkungsgrad bis zu 30-45 %, wodurch der Stromverbrauch und die thermischen Anforderungen des Systems reduziert werden

Breitbandabdeckung: Unterstützt mehrere Frequenzbandkonfigurationen von UHF bis Ka-Band

Hohe lineare Leistung: Optimiertes Schaltungsdesign gewährleistet die Linearität des Moduls unter komplex modulierten Signalen mit ausgezeichneten ACLR- und EVM-Metriken

Vereinfachtes Systemdesign: Eingebaute Anpassungsnetzwerke und Vorspannungsschaltungen reduzieren die Anzahl der externen Komponenten

 

Diese High-End-GaN-MMIC-Produkte werden häufig in 5G-Kommunikationsbasisstationen (insbesondere groß angelegte MIMO-Aktivantennensysteme im Millimeterwellenband), militärischen Radarsystemen (TR-Module für X-Band- und Ku-Band-Phased-Array-Radare), Satellitenkommunikationsterminals (tragbare und fahrzeugmontierte Geräte) und elektronischen Gegenmaßnahmengeräten in kritischen Anwendungen eingesetzt.

 

MACOM GaN Leistungsverstärker

GaN-Leistungsverstärker sind die technologisch fortschrittlichste und anwendungsbezogen wertvollste Produktkategorie in MACOMs MMIC-Produktlinie. Diese Produkte nutzen die hohen Durchbruchfeldstärke und die hohe Elektronen-Sättigungsgeschwindigkeit von GaN-Material voll aus, um eine hohe Leistung und Effizienz im Mikrowellenfrequenzband zu erzielen, die herkömmliche Halbleitermaterialien nur schwer erreichen können.

 

Haupttypen von MACOM GaN Leistungsverstärkern:

 

Technische Leistungsmerkmale

Hohe Ausgangsleistung: Erreicht Hunderte von Watt gepulster Leistung im C-Band und Zehner von Watt Dauerstrichleistung im X-Band, mit einer Leistungsdichte, die deutlich höher ist als bei GaAs- und Si-LDMOS-Bauelementen

Hocheffizienter Betrieb: Verwendet fortschrittliche Technologien wie Harmonische Abstimmung und Envelope Tracking, wodurch ein Leistungsaddierter Wirkungsgrad (PAE) von 50-60 % erreicht wird, was den Energieverbrauch des Systems erheblich reduziert

Breitbandfähigkeit: Sofortige Bandbreite kann 10-15 % der Mittenfrequenz erreichen, unterstützt Breitbandsignalverstärkung und reduziert die Notwendigkeit des Frequenzbandwechsels

Hohe Zuverlässigkeit: Die mittlere Betriebsdauer bis zum Ausfall (MTTF) übersteigt 1 Million Stunden und erfüllt die strengen Anforderungen von Luft- und Raumfahrt- sowie Verteidigungsanwendungen

Temperaturstabilität: Betriebstemperaturbereich der Sperrschicht bis zu 225 °C, mit minimaler Leistungsminderung bei hohen Temperaturen, geeignet für Anwendungen mit hoher Leistungsdichte

 

Typische Anwendungsbereiche

Radarsysteme: Endstufenleistungsverstärkung für militärische Feuerleitradare, Wetterradare und Flugüberwachungsradare, wodurch die Erfassungsreichweite und Auflösung verbessert werden

5G-Makro-Basisstationen: Hochleistungs-Remote-Radio-Units (RRUs) in den 3,5-GHz- und 4,9-GHz-Bändern, wobei GaN-PAs eine hohe Effizienz bieten, um den Energieverbrauch und die Betriebskosten der Basisstation zu senken

Satellitenkommunikation: Hochleistungsverstärker (HPAs) für Bodenstationen, die eine Satellitenkommunikation mit hohem Durchsatz in den Q/V-Bändern unterstützen

Elektronische Kriegsführungssysteme: Kernkomponenten für Hochleistungs-Störsender, die eine effektive Unterdrückung von feindlichen Kommunikations- und Radarsystemen ermöglichen

Industrielle Erwärmung: Stromquellen für Mikrowellenenergieanwendungen, die unter anderem in der Materialverarbeitung und der Lebensmittelverarbeitung eingesetzt werden

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Ansprechpartner: Mr. Sales Manager

Telefon: 86-13410018555

Faxen: 86-0755-83957753

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