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Mingjiada’s LDMOS-Leistungstransistor-Produktpalette: Vollständige Abdeckung und Analyse typischer Anwendungen

Unternehmensprofil

Gegründet 1996, ist Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd. ein weltweit anerkannter autorisierter unabhängiger Distributor von elektronischen Komponenten. Mit Hauptsitz im Electronic Business Centre des Futian-Distrikts in Shenzhen unterhält das Unternehmen Niederlassungen in Hongkong, Japan, Russland und Taiwan und hat die internationale Zertifizierung des Qualitätsmanagementsystems ISO 9001:2014 sowie die Zertifizierung des Umweltmanagementsystems ISO 14001:2014 erhalten. Mingjiada Electronics hat Partnerschaften mit über 500 renommierten globalen Marken aufgebaut und ist seit langem auf die Bereiche drahtlose Kommunikation und Leistungshalbleiter spezialisiert. Sein Geschäftsportfolio umfasst drahtlose SoCs, Galliumnitrid (GaN)-Transistoren, RF-LDMOS-Leistungstransistoren und verschiedene Evaluierungsboards für Mikrocontroller (MCU).

Im Bereich der LDMOS-Leistungstransistorversorgung bietet Mingjiada Electronics eine langfristige, stabile Versorgung mit RF-LDMOS-Leistungstransistoren von führenden internationalen Marken wie NXP (NXP Semiconductors/Freescale), ST (STMicroelectronics) und Ampleon. Diese Produkte werden häufig in Mobilfunkbasisstationen, Rundfunktransmittern, industriellen, wissenschaftlichen und medizinischen (ISM) Anwendungen, Radarsystemen und im Luft- und Raumfahrtsektor eingesetzt.

I. NXP/Freescale Airfast® Serie LDMOS RF-Leistungstransistoren

Die Airfast®-Serie von NXP ist eine wichtige LDMOS-Produktlinie, die von Mingjiada Electronics geliefert wird und die Anforderungen von Breitband-HF-Anwendungen im Bereich von niedrigen bis hohen Frequenzen abdeckt.

1. AFT23H160-25SR3

Der AFT23H160-25SR3 ist ein 32W asymmetrischer Doherty LDMOS RF-Leistungstransistor, der speziell für Mobilfunkbasisstationen im Frequenzbereich von 2300 bis 2400 MHz entwickelt wurde. In einem NI-880X-4L4S-8-Gehäuse untergebracht, verfügt dieses Gerät über eine fortschrittliche, leistungsstarke Doherty-Architektur im Gehäuse. Sein weiter negativer Gate-Source-Spannungsbereich verbessert die Leistung im Class-C-Betrieb und ist speziell für digitale Vorverzerrungskorrektursysteme optimiert.

2. A2T27S020GNR1

Der A2T27S020GNR1 ist ein 2,5 W RF-Leistungstransistor vom Typ LDMOS, der einen breiten Frequenzbereich von 400 bis 2700 MHz abdeckt, mit einer typischen Verstärkung von bis zu 21 dB, untergebracht in einem TO-270G-2-Gehäuse. Die hervorragende lineare Leistung und thermische Stabilität des Geräts machen es zu einer idealen Wahl für 4G/5G-Basisstations-Leistungsverstärker, drahtlose Zugangspunkte, Mikrowellen-Link-Geräte und Satellitenkommunikationssysteme.

3. AFT26H200W03SR6

Der AFT26H200W03SR6 ist ein 45W asymmetrischer Doherty RF-Leistungstransistor vom Typ LDMOS, der für zellulare Basisstationen im Frequenzbereich von 2496 bis 2690 MHz entwickelt wurde und eine sehr breite sofortige Bandbreitenfähigkeit bietet.

II. ST (STMicroelectronics) RF LDMOS-Leistungstransistoren

STMicroelectronics bietet ein umfassendes Portfolio an RF-LDMOS-Transistoren mit Betriebsspannungen von 7 V bis 50 V, die auf Anwendungen im Frequenzbereich von 1 MHz bis 4 GHz abzielen und sich durch hohe Spitzenleistungsfähigkeit (>1 kW) und hohe Stabilität auszeichnen. Mingjiada Electronics vertreibt das gesamte Sortiment an RF-DMOS- und LDMOS-Transistorprodukten von ST.

1. RF5L051K5CB4

Der RF5L051K5CB4 ist ein leistungsstarker RF-Leistungstransistor vom Typ LDMOS, der von STMicroelectronics auf den Markt gebracht wurde. Er liefert eine Ausgangsleistung von bis zu 1.500 W, arbeitet bei 50 V und deckt einen Frequenzbereich von HF bis 500 MHz ab. Bei 108 MHz erreicht er eine typische Verstärkung von 22 dB und einen Wirkungsgrad von bis zu 80 Prozent und ist in einem D4E-Gehäuse untergebracht. Das Gerät verfügt über einen ESD-Schutz (konform mit ANSI/ESDA/JEDEC-Standards), bietet eine ausgezeichnete thermische Stabilität und Stoßfestigkeit und hat einen typischen thermischen Widerstand von Gehäuse zu Gehäuse von nur 0,09 °C/W.

Dieses Gerät wird häufig in UKW-Radiosendern, VHF-Fernsehsendern, terrestrischen Kommunikationsgeräten (Bänder 30–88 MHz und 136–174 MHz), Kurzwellen-HF-Transceivern, Plasmaerzeugern, Teilchenbeschleunigern, industriellen Heiz- und ISM-Anwendungen sowie in hochzuverlässigen RF-Verstärkermodulen für die Luft- und Raumfahrt eingesetzt.

III. Ampleon LDMOS RF-Leistungstransistoren

Ampleon, ehemals die RF-Power-Geschäftseinheit von NXP, ist seit über 50 Jahren führend im RF-Power-Sektor. Mingjiada Electronics unterhält einen Langzeitbestand an verschiedenen Ampleon LDMOS RF-Leistungstransistoren, die für Basisstationen und industrielle Anwendungen entwickelt wurden und alle als echte Originalprodukte garantiert sind.

1. BLC10G22XS-301AVT

Der BLC10G22XS-301AVT ist ein 300W LDMOS-Leistungstransistor mit asymmetrischer Doherty-Bauweise, der speziell für Basisstationen im Frequenzband von 2110 MHz bis 2170 MHz entwickelt wurde. Dieses Gerät bietet außergewöhnliche Robustheit, hohen Wirkungsgrad und geringen thermischen Widerstand mit geringerer Ausgangskapazität für verbesserte Leistung in Doherty-Anwendungen und verfügt über integrierten ESD-Schutz.

2. BLF8G22LS-270GV

Der BLF8G22LS-270GV ist ein 270W LDMOS-Leistungstransistor mit verbesserten Video-Bandbreiten-Eigenschaften (typisch 80 MHz), geeignet für Basisstationen-HF-Leistungsverstärker und Multi-Carrier-Anwendungen im Frequenzband von 2110 MHz bis 2170 MHz. Dieses Gerät bietet ebenfalls hohen Wirkungsgrad, geringen thermischen Widerstand und ausgezeichnete Vorverzerrungsfähigkeit.

IV. Wichtige Anwendungsbereiche

Die von Mingjiada Electronics gelieferten LDMOS-Leistungstransistoren decken die folgenden Kernanwendungsbereiche ab:

Mobilfunkbasisstationen: Geeignet für HF-Leistungsverstärker in 4G LTE- und 5G NR-Basisstationen, einschließlich Makro-Basisstationen, Mikro-Basisstationen und Multi-Carrier-Anwendungen, die die Anforderungen moderner mobiler Breitbandkommunikation an hohe Leistung, hohen Wirkungsgrad und ausgezeichnete Linearität erfüllen.

Rundfunkübertragungssysteme: Abdeckung von UKW-Radiosendern und VHF-Fernsehsendern, Bereitstellung hochzuverlässiger RF-Leistungsverstärkerlösungen für die Rundfunkindustrie.

Industriell, wissenschaftlich und medizinisch (ISM): Einschließlich Plasmaerzeuger, Teilchenbeschleuniger, CO₂-Laser, MRT-Systeme, HF-Heiz- und Auftaugeräte sowie industrielle Schweiß- und Trocknungssysteme.

Radar und Luft- und Raumfahrt: LDMOS-Technologie wird häufig in Avionik, zivilen und militärischen Radarsystemen, Repeatern und Transceivern für Hochgeschwindigkeits-Drahtlosnetzwerke (Wi-Fi- und WiMAX-Standards) eingesetzt.

Satelliten- und terrestrische Kommunikation: Dies umfasst Kurzwellen- (HF) Transceiver, terrestrische Kommunikationsgeräte (Bänder 30–88 MHz und 136–174 MHz) sowie Signalübertragung und -verstärkung in Satellitenkommunikationssystemen.

V. Mingjiada’s Liefervorteile

Mingjiada Electronics verfügt über folgende Kernvorteile bei der Lieferung von LDMOS-Leistungstransistoren: Erstens, breite Markenabdeckung, Lieferung des gesamten Produktsortiments führender globaler LDMOS-Hersteller wie NXP, ST und Ampleon; zweitens, Garantie für echte, fabrikneue Produkte, da das Unternehmen die internationale Qualitätsnorm ISO 9001:2014 erhalten hat, die sicherstellt, dass alle Produkte fabrikneu und echt sind; Drittens, ausreichende Lagerverfügbarkeit: Wir unterhalten Langzeitlagerbestände aller gängigen Modelle zur Unterstützung einer schnellen Lieferung.

Für weitere Informationen zu LDMOS-Transistormodellen oder zur Anforderung eines Angebots kontaktieren Sie bitte Mingjiada Electronics:

Mobil: +86 13410018555 (Herr Chen)

E-Mail: sales@hkmjd.com

Website: www.integrated-ic.com

Adresse: Räume 1239–1241, New Asia Guoli Building, Zhenzhong Road, Futian District, Shenzhen