Firmenblog über Ein Teil des MOSFET-Transistors wird mit einem MOSFET-System versehen, das mit einem MOSFET-Transistor versehen ist.

ON UJ3C120080K3S 1200V N-Kanal-Siliziumkarbid-Leistungs-MOSFET-Transistor

Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd., als weltweit renommierter unabhängiger Distributor für elektronische Bauelemente bietet sofortige Verfügbarkeit des UJ3C120080K3S 1200V N-Kanal-Siliziumkarbid-Leistungs-MOSFET-Transistors von ON Semiconductor. Mit einer einzigartigen Common-Source-Common-Gate-Konfiguration und außergewöhnlicher Schaltleistung bietet er eine ideale Lösung für moderne Leistungsumwandlungssysteme.

【Hauptmerkmale und technische Innovationen des UJ3C120080K3S】

Der UJ3C120080K3S ist ein Hochleistungs-MOSFET, der fortschrittliche Siliziumkarbid-Technologie verwendet und mehrere bemerkenswerte technische Eigenschaften aufweist. Dieses in einem TO-247-3-Gehäuse untergebrachte Bauelement zeigt eine hervorragende Leistung in Hochspannungs- und Hochleistungsanwendungen.

Der wichtigste Vorteil des UJ3C120080K3S liegt in seiner 1200V Hochspannungsfestigkeit, kombiniert mit einem außergewöhnlich niedrigen Einschaltwiderstand von nur 80 mΩ. Dies reduziert die Verlustleistung in Hochspannungsanwendungen erheblich und erhöht die Gesamtsystemeffizienz.

In Bezug auf die Schaltleistung unterstützt der UJ3C120080K3S den Hochfrequenzbetrieb mit einem Dauer-Drain-Strom von bis zu 33A, was ihn besonders für Anwendungen mit hoher Leistungsdichte geeignet macht.

Der UJ3C120080K3S verwendet eine innovative Common-Source-Common-Gate-Konfiguration, die einen fortschrittlichen SiC-JFET mit einem speziell optimierten Silizium-MOSFET in einem einzigen Gehäuse integriert. Dieses Design kombiniert auf geniale Weise die Stärken beider Technologien: Es ermöglicht den Normally-Off-Betrieb und unkomplizierte Gate-Ansteuereigenschaften, während gleichzeitig die inhärente hohe Effizienz, Geschwindigkeit und Hochtemperaturfähigkeit des SiC-Materials erhalten bleiben.

Im Vergleich zu herkömmlichen Silizium-basierten MOSFETs oder IGBTs bietet dieser SiC-MOSFET mehrere signifikante Vorteile. Sein extrem niedriger Einschaltwiderstand von 80 mΩ bis 100 mΩ reduziert effektiv die Verlustleistung.

Der UJ3C120080K3S unterstützt höhere Schaltfrequenzen, wodurch Entwickler die Größe von magnetischen Bauelementen und passiven Bauelementen innerhalb des Systems reduzieren und so eine höhere Leistungsdichte erzielen können.

Der UJ3C120080K3S integriert außerdem ESD- und Gate-Schutzfunktionen, die die Zuverlässigkeit erhöhen. Sein weiter Betriebstemperaturbereich von -55°C bis +175°C macht ihn für Hochtemperaturumgebungen geeignet. Darüber hinaus weist er eine hervorragende Body-Diode-Leistung (Vorwärtsspannungsabfall <2V) und ausgezeichnete Rückwärts-Erholungseigenschaften auf.

Ein weiterer wesentlicher Vorteil der Siliziumkarbid-Technologie ist ihre außergewöhnlich geringe Rückwärts-Erholungsladung (Qrr) von nur 10 nC, die dazu beiträgt, Schaltverluste zu reduzieren und das Frequenzverhalten des Systems zu verbessern.

【Detaillierte wichtige Leistungsparameter des UJ3C120080K3S】

Hochspannungsfähigkeit: Nenn-Drain-Source-Spannung (Vdss) von 1200 V, geeignet für Hochspannungsanwendungen wie dreiphasige Industriesysteme und Photovoltaik-Wechselrichter

Hohe Strombelastbarkeit: Dauer-Drain-Strom (Id) bis zu 33A bei 25°C

Geringe Einschaltverluste: Maximaler Drain-Source-Einschaltwiderstand von nur 80 mΩ bis 100 mΩ (getestet bei 20A, 12V)

Schnelle Schalteigenschaften: Anstiegszeit und Abfallzeit jeweils 14 ns, typische Einschaltverzögerung 22 ns, Ausschaltverzögerung 61 ns

Optimierte Gate-Ladung: Gate-Ladung (Qg) von nur 51 nC@15V minimiert die Ansteuerverluste

Diese Parameter bilden zusammen die Grundlage für die außergewöhnliche Leistung des UJ3C120080K3S und ermöglichen einen hervorragenden Betrieb in hocheffizienten Leistungsumwandlungsanwendungen. Im Vergleich zu Silizium-basierten Super-Junction-MOSFETs mit äquivalenten Spezifikationen reduziert er die Schaltverluste um bis zu 80 % und erhöht so die Systemeffizienz erheblich.

【UJ3C120080K3S 's Umfangreiche Anwendungsabdeckung】

Im Bereich der neuen Energiefahrzeuge kann dieses Bauelement in Onboard-Ladegeräten, Motorantrieben und DC-DC-Wandlern eingesetzt werden und so zu einer größeren Reichweite und Ladeeffizienz von Elektrofahrzeugen beitragen.

Photovoltaik-Stromerzeugung und Smart-Grid-Anwendungen profitieren gleichermaßen von der hohen Leistung dieses Siliziumkarbid-MOSFETs. In Photovoltaik-Wechselrichtern und Energiespeichersystemen erhöht der UJ3C120080K3S die Energieumwandlungseffizienz und gewährleistet gleichzeitig einen stabilen und zuverlässigen Betrieb in Stromübertragungs- und -verteilungsanlagen.

Für industrielle Stromversorgungsanwendungen eignet sich der UJ3C120080K3S für hocheffiziente Leistungsumwandlung und Motorsteuerung und erfüllt die strengen Anforderungen der industriellen Automatisierung an Leistungsdichte und Energieeffizienz. Selbst im Schienenverkehr kann dieses Bauelement in Traktionswechselrichtern und Hilfsstromversorgungssystemen eingesetzt werden, um hohe Zuverlässigkeitsanforderungen zu erfüllen.

Im Vergleich zu herkömmlichen Silizium-basierten Leistungsbauelementen reduziert der UJ3C120080K3S die Systemgröße und das Gewicht in diesen Anwendungen erheblich und erhöht gleichzeitig die Gesamtenergieeffizienz, was Wettbewerbsvorteile für Endprodukte bietet.