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Firmenblog über NVMFS5C430NWFAFT1G 40V 35A Einzelkanal-MOSFET-Leistungstransistoren

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China ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. zertifizierungen
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Kunden-Berichte
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NVMFS5C430NWFAFT1G 40V 35A Einzelkanal-MOSFET-Leistungstransistoren
Neueste Unternehmensnachrichten über NVMFS5C430NWFAFT1G 40V 35A Einzelkanal-MOSFET-Leistungstransistoren

AnNVMFS5C430NWFAFT1G40V 35A Einzelkanal-N-MOSFET-Leistungstransistoren

 

Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.Als weltweit führender unabhängiger Distributor liefert ON den NVMFS5C430NWFAFT1G-Einkanal-MOSFET-Leistungstransistor.NVMFS5C430NWFAFT1Gist ein Kraftgerät für die Automobilindustrie, das eine außergewöhnliche Leistung und Zuverlässigkeit bietet und somit ideal für anspruchsvolle Anwendungen in der Automobilelektronik und in der Industrie geeignet ist.

 

- Ich weiß.NVMFS5C430NWFAFT1GProduktübersicht- Ich weiß.

Der NVMFS5C430NWFAFT1G ist ein leistungsstarker N-Kanal-MOSFET-Transistor mit einem fortschrittlichen DFN-5 (5.9x4.9) Paket.Dieses Produkt kombiniert hervorragende Eigenschaften, einschließlich der Fähigkeit, Hochspannung zu widerstehen.Es eignet sich besonders für kompakte Konstruktionen, die eine hohe Leistungsdichte und ein effizientes Wärmemanagement erfordern.

 

- Ich weiß.NVMFS5C430NWFAFT1GProduktmerkmale und Vorteile

Das NVMFS5C430NWFAFT1G MOSFET bietet mehrere bemerkenswerte Eigenschaften und Vorteile:

 

hohe Leistungsfähigkeit: Der NVMFS5C430NWFAFT1G kann einem kontinuierlichen Abflussstrom von 35 A bei Umgebungstemperatur 25 °C standhalten und unter Umgebungstemperaturbedingungen auf 185 A steigen,mit einer Leistung von mehr als 50 W und einer Leistung von mehr als 100 W,.

 

Extrem geringer Stromwiderstand: Mit einem außergewöhnlich geringen Stromwiderstand von nur 1,7 mΩ (bei 10 V Antriebsspannung und 50 A Strom) minimiert dieses MOSFET effektiv die Leitverluste,erhöht die Effizienz des gesamten Systems, und reduziert die thermische Leistung.

 

Kompakte Verpackungen und thermische Leistung:NVMFS5C430NWFAFT1Gverwendet ein flaches Bleipaket DFN-5 (5.9x4.9). Dieser kompakte Fußabdruck eignet sich besonders für Raumbeschränkte Konstruktionen. Gleichzeitig bietet sein Verpackungskonzept eine überlegene thermische Leistung,Unterstützung der thermischen Bewirtschaftung.

 

Wettable Flank Option: Das Paket enthält eine Wettable Flank Option, die die automatische optische Inspektion (AOI) verbessert.Dies erleichtert die Qualitätsprüfung der Lötverbindungen während der Herstellung, verbessert die Produktionsleistung und die Zuverlässigkeit, insbesondere um den Anforderungen der Automobilelektronikherstellung gerecht zu werden.

 

Zuverlässigkeitszertifizierung für die Automobilindustrie:NVMFS5C430NWFAFT1Gist AEC-Q101-zertifiziert und verfügt über die PPAP-Funktionalität (Production Part Approval Process), die die hohen Anforderungen an Zuverlässigkeit und Qualität von Anwendungen für Automobilelektronik vollständig erfüllt.

 

Geeignet für Hochfrequenzschaltungen: Trotz seiner hohen Stromkapazität verfügt es über eine Torladung (Qg) von 47nC und eine Eingangskapazität (Ciss) von 3,3nF,Leistungsschalter in seiner KlasseDies macht sie für eine Vielzahl von Anwendungen der Schaltnetzteile geeignet.

 

neueste Unternehmensnachrichten über NVMFS5C430NWFAFT1G 40V 35A Einzelkanal-MOSFET-Leistungstransistoren  0

 

- Ich weiß.NVMFS5C430NWFAFT1GProdukthinweise

Die wichtigsten Merkmale des NVMFS5C430NWFAFT1G sind wie folgt:

 

Außergewöhnliche elektrische Leistung:NVMFS5C430NWFAFT1Gverfügt über eine Nennspannung (Vdss) von 40 V und eine kontinuierliche Abflussstromkapazität von 35 A (Ta)/185 A (Tc).erhebliche Verringerung der Leitverluste und Verbesserung der Systemeffizienz.

 

Optimierte Schaltcharakteristiken: Der NVMFS5C430NWFAFT1G verfügt über eine geringe Torladung (Qg) von 47nC@10V und eine Eingangskapazität (Ciss) von 3300pF@25V.Diese Eigenschaften erreichen synergistisch geringere Schaltverluste, die eine hervorragende Leistung bei Hochfrequenz-Schaltanwendungen ermöglicht.

 

Robuste und zuverlässige Konstruktion: Eine Toleranz von ± 20 V bei Tor-Quelle-Spannung (Vgs) bietet eine größere Konstruktionsmarge und Immunität gegen Störungen, was die Systemstabilität verbessert.

 

Überlegene thermische Leistung:NVMFS5C430NWFAFT1Gkann einer maximalen Leistungsaufnahme von 106 W (Tc) standhalten und gewährleistet einen zuverlässigen Betrieb bei Hochleistungsanwendungen.

 

- Ich weiß.NVMFS5C430NWFAFT1GVerpackung und Montage

Die NVMFS5C430NWFAFT1G verwendet ein 8-PowerTDFN-Paket (auch bekannt als 5-DFNW5 oder DFN-5), das nur 4,9x5,9 mm misst.

 

Die NVMFS5C430NWFAFT1G verwendet eine Oberflächenmontage-Technologie (SMT) und verfügt über benetzbare Flanken,Erleichterung der automatisierten optischen Inspektion (AOI), die für die Herstellung von Automobilelektronik unerlässlich ist, um die Qualität und Zuverlässigkeit der Produktion zu verbessern.

 

Das Paket selbst weist ausgezeichnete thermische Eigenschaften auf und leitet die vom Chip erzeugte Wärme effizient auf die Leiterplatte.Das Leistungspotenzial des MOSFET kann vollständig realisiert werden.

 

¢Anwendungsbereiche fürNVMFS5C430NWFAFT1G- Ich weiß.

Mit seiner hervorragenden Leistung bietet das NVMFS5C430NWFAFT1G MOSFET breite Anwendungsmöglichkeiten in mehreren Bereichen:

 

Automobil-Elektronik-Systeme: Einsatzbereiche sind Motorsteuerung (Antrieb, Bremse, Servolenkung), Batteriemanagementsysteme (BMS), Gleichspannungs-Gleichspannungsumrichter, LED-Beleuchtungsbetreiber,und umgekehrter Schutz der BatterieDie AEC-Q101-Zertifizierung und die PPAP-Fähigkeit machen es zu einer idealen Wahl für Anwendungen im Automobilbereich.

 

Industrieautomation und Steuerung:NVMFS5C430NWFAFT1Gdient anspruchsvollen industriellen Szenarien, einschließlich SPS-Systemen, industriellen Antrieben, Robotersteuerungen und Hochleistungs-Schaltnetzteilen.

 

Strommanagementsysteme: NVMFS5C430NWFAFT1G eignet sich für das Strommanagement in Servern, Telekommunikationsgeräten und Industrieanlagen.Seine hervorragenden Schaltcharakteristiken ermöglichen Hochfrequenzschaltvorrichtungen, was eine Verringerung der Größe der passiven Komponenten und eine höhere Leistungsdichte ermöglicht.

 

Hocheffiziente Gleichstrom-Gleichstromwandler: NVMFS5C430NWFAFT1G eignet sich besonders für Punktlastwandler (POL) und sekundäre synchrone Berichtigungsanwendungen.Niedrige Widerstände und geringe Torladung verbessern die Umwandlungseffizienz und reduzieren gleichzeitig den Energieverlust.

 

Motorantrieb und Steuerung:NVMFS5C430NWFAFT1GWird von einem Hersteller in einem anderen Mitgliedstaat hergestellt, wird der Hersteller in einem anderen Mitgliedstaat in einem anderen Mitgliedstaat hergestellt.Seine hohe Stromverarbeitungsfähigkeit und seine hervorragende thermische Leistung sorgen für einen robusten Betrieb bei Einstiegsströmen.

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