Firmenblog über Mingjiada liefert TI-GaN-Leistungsstufen und Galliumnitrid-Leistungs-FET

Mingjiada Versorgung TI GaN Power Stages, Versorgung mit Galliumnitrid Power-FET

Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd. wurde von der chinesischen Behörde für die elektronische Ausrüstung und -technologie ermittelt.- ein langjähriger Lieferant von Produkten für die Antriebsstufe mit Galliumnitrid (GaN) von [TI], die Lösungen mit integrierten Torantrieben und GaN-Antriebseinrichtungen umfasst.Mingjiada Electronics verfügt über eine Reihe von Mainstream-Modellen und unterstützt sowohl kleine Chargen als auch GroßbestellungenMit Hilfe eines effizienten Logistiksystems gewährleisten wir eine schnelle Lieferung.

[TI] Galliumnitrid (GaN) Kraftstadium
Übersicht: Die FET-Serie von TI ′s Galliumnitrid (GaN) verfügt über integrierte Torantreiber und GaN-Leistungseinrichtungen.Bereitstellung effizienter GaN-Lösungen, die während des gesamten Produktlebenszyklus zuverlässige und kostengünstige Leistungen bieten. GaN-Transistoren schalten viel schneller als Silizium-MOSFETs und ermöglichen dadurch geringere Schaltverluste.Server, Motorfahrer und Laptop-Adapter sowie Bordladegeräte für Elektrofahrzeuge.

Vorteile der GaN-Technologie von TI
Schnellere Schaltgeschwindigkeiten als diskrete GaN-FETs
- Die mit integrierten Treibern ausgestatteten GaN-FETs erreichen Schaltgeschwindigkeiten von 150 V/s. In Kombination mit einer Verpackung mit geringer Induktivität verringern diese Schaltgeschwindigkeiten die Verluste.eine saubere Umschaltung gewährleisten und das Klingeln minimieren.
Kleinere magnetische Komponenten und höhere Leistungsdichte
- Die GaN-Geräte der TI­S mit ihren schnelleren Schaltgeschwindigkeiten helfen Ihnen, Schaltfrequenzen von mehr als 500 kHz zu erreichen, wodurch die Größe der magnetischen Komponenten um bis zu 60% reduziert wird,Verbesserung der Leistung und Senkung der Systemkosten.
Für Zuverlässigkeit gebaut
- Die GaN­Geräte von TI­­­S verwenden ein firmeneigenes GaN­Verfahren auf Silizium­Basis und wurden über 80 Millionen Stunden zuverlässigkeitstesteten unterzogen.Sie sind so konstruiert, dass sie die Sicherheit von Hochspannungssystemen gewährleisten.

Mingjiada Electronics ist ein langfristiger Lieferant von [TI] Galliumnitrid (GaN) -Stromgeräten, darunter:
LMG2652H ?? 650V 140mΩ GaN Leistung FET Halbbrücke mit Fahrer (Teilnummer: LMG2652HRFBR)
LMG2610 eine 650V GaN Leistung FET Halbbrücke mit integrierten Treiber, Schutz und Strommessfunktionen, geeignet für ACF (Teilnummern: LMG2610RRGR, LMG2610RRGT)
LMG3622 ?? 700V 106mΩ GaN Leistung FET mit integriertem Treiber und Schutz (Teilnummer: LMG3622REQR)
LMG3624 ?? 700V, 155mΩ GaN Leistung FET mit integriertem Treiber, Schutz und Strommessung (Verfügbare Teilenummern: LMG3624REQR, LMG3624YREQR, LMG3624ZREQR)
LMG2640 650V, 105mΩ GaN Leistung FET Halbbrücke mit integrierter Treiber-, Schutz- und Strommessfunktion (Teilnummer: LMG2640RRGR)
LMG2650 650V, 95mΩ GaN Leistung FET Halbbrücke mit integrierter Treiber-, Schutz- und Strommessfunktion (Teilnummern: LMG2650RFBR)
LMG5200 80V GaN Halbbrücken-Leistungsstufe (Teilnummern: LMG5200MOFR, LMG5200MOFT)
LMG3422R050 ?? 600V, 50mΩ GaN FET mit integriertem Treiber, Schutz und Temperaturmeldung (Teilnummern: LMG3422R050RQZR, LMG3422R050RQZT)
LMG3650R070 ?? 650V 70mΩ GaN FET mit integriertem Treiber und Schutz, im TOLL-Paket (Teilnummern: LMG3650R070KLAR)

Weitere Einzelheiten zu den Produkten der Leistungsstufe aus Galliumnitrid (GaN) von TI (WEB oder Informationen zu den Stichprobenpreisen finden Sie auf der Website von Mingjiada Electronics (Die Kommission hat die Kommission aufgefordert, die folgenden Informationen zu übermitteln:) für weitere Lieferinformationen.