Firmenblog über Mingjiada Versorgung SK Hynix und SAMSUNG DDR4 SDRAM ETT Speicherchips

Mingjiada Supply SK Hynix und SAMSUNG DDR4 SDRAM ETT Speicherchips

Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.— Liefert eine breite Palette von DDR4 SDRAM ETT Speicherchips, die die beiden Hauptmarken Samsung und SK Hynix abdecken.

Die wichtigsten DDR4 ETT Speicherchipmodelle und -spezifikationen, die derzeit von Mingjiada Electronics erhältlich sind, sind wie folgt:
SK Hynix DDR4 SDRAM
H5AN4G8NBJR-VKC — 4Gb DDR4 SDRAM Speicherchip, der ein 78-poliges FBGA-Gehäuse verwendet, mit einer Organisation von 512Mx8, unterstützt eine Datenübertragungsrate von 2666Mbps und eine Betriebsspannung von 1,2V.
H5AN4G6NBJR-UHC — Hochdichter, stromsparender DDR4 synchroner dynamischer Speicher (SDRAM). Dieser Chip wird mit fortschrittlichen Halbleiterprozessen hergestellt und bietet eine Speicherkapazität von 4Gb (512MB) in einem kompakten FBGA-96-Gehäuse.
H5AN4G6NBJR-VKC – 4Gb (d.h. 512MB) DDR4 SDRAM Speicherchip, hergestellt mit Hochgeschwindigkeits-CMOS-Technologie, hauptsächlich für Hauptspeicheranwendungen, die eine hohe Speicherdichte und hohe Bandbreite erfordern.
H5AN8G6NDJR-XNC – 8Gb DDR4-3200 Speicher-Die, mit einer Organisation von 512Mx16, unterstützt eine maximale Datenübertragungsrate von 3200Mbps, basierend auf einem 1,2V Niederspannungsdesign, in einem FBGA-96-Gehäuse (13x7,5mm)
H5AN8G8NDJR-XNC – 8Gb (1GB) DDR4 SDRAM Speicherchip, hergestellt mit einem Hochgeschwindigkeits-CMOS-Prozess, mit einer internen Organisation von 1G x 8-Bit (8-Bit-Breite) und unter Verwendung einer 8-Bit-Prefetch-Architektur zur Erzielung einer Hochbandbreiten-Datenübertragung.
H5AN8G8NCJR-XNC – 8Gb DDR4 SDRAM Speicher, in einem 78-poligen FBGA-Gehäuse, Betrieb bei 1,2V, unterstützt eine maximale Datenrate von 3200Mbps (DDR4-3200), mit einer Organisation von 1G x 8-Bit.
H5ANAG6NCJR-XNC – 16Gb DDR4 SDRAM Speichermodul mit einer Kapazität von 16Gb, organisiert als 1G x 16, unter Verwendung eines RoHS-konformen BGA-96-poligen Gehäuses. Die Datenrate ist mit 3200 MT/s angegeben, mit einer maximalen Taktfrequenz von 1600 MHz.
H5ANAG8NCJR-XNC – 16Gb (2GB) DDR4 SDRAM Speicherchip, Betrieb bei Standard-DDR4-Spannung (typischerweise 1,2V), hergestellt mit SK Hynix's 1z nm (D1Z) Prozess, in einem 78-poligen FBGA-Gehäuse.

SAMSUNG DDR4 SDRAM
K4A8G085WC-BCTD — 8 Gb DDR4 SDRAM Speicherchip, Betrieb bei 1,2 V, in einem 78-FBGA-Gehäuse, mit einem Betriebstemperaturbereich von 0 bis 85 °C
K4A4G165WF-BCTD — Hochleistungs-4 Gb DDR4 SDRAM Speicherchip mit einer maximalen Taktfrequenz von 1,066 GHz.
K4A4G165WE-BCRC — 4 Gb (512 MB) DDR4 SDRAM Speicher-Die, mit einer Architektur von 256M x 16-Bit und einem 96-poligen FBGA-Gehäuse, Betrieb bei einer Standardspannung von 1,2 V und Unterstützung einer maximalen Datenübertragungsrate von DDR4-2400 (2400 Mbps).
K4A4G165WF-BCWE – 4Gb (512MB) DDR4 SDRAM Speicherchip, mit einer Architektur von 256M x 16-Bit und einem 96-poligen FBGA-Gehäuse, Betrieb bei einer Standardspannung von 1,2V und Unterstützung einer maximalen Datenübertragungsrate von DDR4-3200 (3200 Mbps).
K4A8G165WB-BCRC – 8Gb DDR4 Speicherchip, der ein 96-poliges FBGA-Gehäuse verwendet, mit einer Nennleistung von 2400 Mbps und einer Betriebsspannung von 1,2V.
K4A8G165WC-BCTD — 8Gb (1GB) DDR4 SDRAM Speicherchip, mit einer Architektur von 512M x 16-Bit und einem 96-poligen FBGA-Gehäuse, Betrieb bei einer Standardspannung von 1,2V. Dieser Chip gehört zu Samsungs C-Die Produktserie und unterstützt eine maximale Datenübertragungsrate von DDR4-2666 (2666 Mbps).

Diese Speicherchips werden häufig in Servern, Rechenzentren, Netzwerkkommunikation, industrieller Steuerung und Automobil-Elektronik eingesetzt. Mingjiada Electronics bietet sowohl Kleinserienmuster als auch Großlieferungen an. Für ein genaues Angebot geben Sie bitte die Chipmarke, Kapazität, Bitbreite, Geschwindigkeit, Gehäusetyp und Kaufmenge an.
Firmen-URL: https://www.integrated-ic.com/