Firmenblog über Mingjiada Supply/Recycle Starpower GD75PFX170C6SG 1700V/75A IGBT-Leistungsmodule

Mingjiada Angebot/Recycling Starpower GD75PFX170C6SG 1700V/75A IGBT-Leistungsmodule

Der GD75PFX170C6SG ist ein 1700V/75A IGBT-Leistungsmodul, hergestellt von Starpower Semiconductor (STARPOWER).
Basisinformationen:
Modell: GD75PFX170C6SG
Marke: Starpower (Starpower Semiconductor)
Gerätetyp: PIM dreiphasiger Gleichrichter + Wechselrichter integriertes IGBT-Leistungsmodul
Nennspezifikationen: 1700V / 75A
Gehäusetyp: C6-Gehäuse
Schaltungstopologie: Dreiphasen-Gleichrichterbrücke + dreiphasige Wechselrichterbrücke (PIM integrierte Lösung)

Produktübersicht
Der GD75PFX170C6SG nutzt Trench-IGBT-Chiptechnologie und integriert Freilaufdioden mit weicher Rückwärtsdämpfung; er ist als industrielles Leistungsmodul für mittlere bis hohe Spannungen klassifiziert. Das Modul verwendet ein DBC-Substrat (Copper-Clad Laminate) mit einer integrierten isolierten Kupferrückplatte und einem Gehäusedesign mit geringer Induktivität, was eine Optimierung des Gleichgewichts zwischen Leitungsverlusten, Schaltverlusten und Kurzschlussfestigkeit ermöglicht. Es ist für industrielle Stromwandlergeräte mit einer 690V AC-Sammelschienenpegel geeignet.

Hauptmerkmale des GD75PFX170C6SG
Trench-IGBT, niedriger Sättigungsspannungsabfall VCE (sat), ausgezeichnete Leitungsverluste
10 μs Kurzschlussfestigkeit, bietet ausreichende Reserve für das System-Kurzschlussschutzdesign
VCE (sat) weist einen positiven Temperaturkoeffizienten auf, was die Stromteilung bei parallelen Konfigurationen mit mehreren Geräten erleichtert
Maximal zulässige Sperrschichttemperatur Tjmax = 175 °C
Integrierte schnelle Freilaufdiode (FWD) mit weicher Rückwärtsdämpfung zur Unterdrückung von Spannungsspitzen
DBC isoliertes Kupfersubstrat, Isolationsspannungsfestigkeit 4000 V (50 Hz, 1 min)
Gehäuse mit geringer parasitischer Induktivität zur Reduzierung von Schaltoszillationen und EMI

GD75PFX170C6SG Maximale elektrische Spezifikationen (TC = 25°C)
VCES (Kollektor-Emitter-Spannungsfestigkeit): 1700 V
VGES (Gate-Emitter-Spannung): ±20 V
IC (Dauerhafter Kollektorstrom): 75 A
Betriebstemperaturbereich der Sperrschicht: -40°C bis +150°C
Lagertemperatur: -40°C bis +125°C

GD75PFX170C6SG Hauptmerkmale
Niedriger Durchlassspannungsabfall: Nutzt Trench-FS (Trench-Field-Stop) IGBT-Technologie.
Kurzschlussfestigkeit: Kann Kurzschlüsse für 10 μs aushalten.
Positiver Temperaturkoeffizient: VCE(sat) hat einen positiven Temperaturkoeffizienten, was den Parallelbetrieb erleichtert.
Hohe Betriebstemperatur: Maximale Sperrschichttemperatur von bis zu 175°C.
Gehäuse mit geringer Induktivität: Verfügt über ein Gehäusedesign mit geringer Induktivität.
Schnelle Rücklaufdiode: Integriert eine schnelle Freilaufdiode (FWD) mit weicher Rückwärtsdämpfung.
Hohe Isolation: Nutzt ein isoliertes Kupfersubstrat mit DBC-Technologie (Direct Bonded Copper), das eine hervorragende thermische Leistung und Isolation bietet. Isolationsspannung bis zu 4000 V.

Der GD75PFX170C6SG wird hauptsächlich in folgenden Bereichen eingesetzt:
Motorgetriebene Frequenzumrichter
AC- und DC-Servoverstärker
Unterbrechungsfreie Stromversorgungen (USV)

Der GD75PFX170C6SG ist ein von Jiaxing Starpower (STARPOWER) auf den Markt gebrachtes IGBT-Leistungsmodul, das ein C6-Gehäuse und die verlustarme Trench-Field-Stop (Trench FS)-Chiptechnologie nutzt. Das Modul integriert eine dreiphasige Gleichrichterbrücke, eine Brecheinheit und einen dreiphasigen Wechselrichter, was es zu einem hochintegrierten PIM (Power Integrated Module) macht.

Mingjiada Electronics liefert und recycelt seit vielen Jahren IGBT-Module – GD75PFX170C6SG –. Wenn Sie mehr über den GD75PFX170C6SG erfahren, Muster kaufen oder sich nach Recyclingpreisen erkundigen möchten, wenden Sie sich bitte an Mingjiada Electronics.
Unternehmens-URL: https://www.integrated-ic.com/