Firmenblog über Mingjiada Supply Onsemi NVBG080N120SC1 1200 V Siliziumkarbid (SiC) MOSFET

Mingjiada Supply OnsemiNVBG080N120SC11200 V Siliziumkarbid (SiC) MOSFET

Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.— Langjähriger Lieferant von ON Semiconductor (onsemi)NVBG080N120SC1: ein 1200-V-80-mΩ-Siliziumkarbid-MOSFET (SiC) in Automobilqualität in einem D2PAK-7L-Gehäuse. Dieses Gerät wurde speziell entwickelt, um die strengen Anforderungen an einen hohen Wirkungsgrad und eine hohe Leistungsdichte in Elektrofahrzeugen (EV/HEV) und industriellen Hochfrequenz-Stromversorgungen zu erfüllen.

I. Produktübersicht und Kernpositionierung (NVBG080N120SC1)
Der NVBG080N120SC1 gehört zur EliteSiC M1-Serie von ON Semiconductor und ist ein N-Kanal-Anreicherungs-Leistungs-MOSFET. Im Vergleich zu herkömmlichen Geräten auf Siliziumbasis bietet das SiC-Material einen geringeren Einschaltwiderstand und ultraschnelle Schaltgeschwindigkeiten, was es zu einer Schlüsselkomponente für die Verbesserung der Systemeffizienz macht.
Wichtige Spezifikationen: 1200 V Durchbruchspannung, 30 A kontinuierlicher Drainstrom (bei 25 °C) und ein typischer Einschaltwiderstand von nur 80 mΩ.
Gehäusemerkmale: Das D2PAK-7L-Gehäuse (TO-263-7L) bietet eine hervorragende thermische Leistung und einen geringen Wärmewiderstand zwischen Sperrschicht und Gehäuse (RθJC), während das 7-Pin-Design Schaltgeräusche und Gate-Treiberschaltungen optimiert.
Anwendungsbereiche: In erster Linie auf Anwendungen zur Hochfrequenz-Energieumwandlung ausgerichtet, wie z. B. On-Board-Ladegeräte (OBC) für Fahrzeuge mit neuer Energie, Hochspannungs-DC/DC-Wandler, Motortreiber und Photovoltaik-Wechselrichter.

II.NVBG080N120SC1Spezifikationen:
FET-Typ: N-Kanal
Technologie: SiC FET (Siliziumkarbid)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 1200 V
Strom bei 25 °C – Dauerstrom (Id): 30 A (Tc)
Antriebsspannung (maximale Rds an, minimale Rds an): 20 V
Einschaltwiderstand (maximal) bei verschiedenen Id und Vgs: 110 mΩ bei 20 A, 20 V
Vgs(th) (Maximum) bei verschiedenen IDs: 4,3 V bei 5 mA
Gate-Ladung (Qg) bei verschiedenen Vgs (Max): 56 nC bei 20 V
Vgs (Max): +25 V, -15 V
Eingangskapazität (Ciss) bei verschiedenen Vds (Max): 1154 pF bei 800 V
Verlustleistung (Max): 179 W (Tc)
Betriebstemperatur: -55 °C bis 175 °C (TJ)
Montageart: Oberflächenmontage
Gerätepaket des Lieferanten: D2PAK-7
Gehäuse/Gehäuse: TO-263-8, D2PAK (7 Anschlüsse + Pad), TO-263CA

III. Hauptmerkmale: Fünf Hauptvorteile desNVBG080N120SC1
1. Extrem niedriger Einschaltwiderstand (RDS(ein) = 80 mΩ)
Der NVBG080N120SC1 verfügt über einen typischen Einschaltwiderstand von nur 80 mΩ, der den Leistungsverlust im Einschaltzustand direkt reduziert und es dem Gerät ermöglicht, mit höherer Effizienz zu arbeiten und gleichzeitig die Belastung des Wärmemanagements zu minimieren. Im Vergleich zu herkömmlichen MOSFETs oder IGBTs auf Siliziumbasis ermöglichen die großen Bandlückeneigenschaften des SiC-Materials, dass Geräte mit derselben Nennspannung einen geringeren Einschaltwiderstand pro Flächeneinheit erreichen, wodurch sie sich besonders für hocheffiziente Stromumwandlungsanwendungen auf 1200-V-Hochspannungsplattformen eignen.
2. Extrem niedrige Gate-Ladung (QG(tot) = 56 nC)
Der NVBG080N120SC1 verfügt über eine Gate-Ladung von lediglich 56 nC, wodurch die benötigte Antriebsenergie beim Schaltvorgang deutlich reduziert wird. Dies senkt nicht nur die Designkomplexität und den Stromverbrauch der Ansteuerschaltung, sondern ermöglicht auch extrem hohe Schaltgeschwindigkeiten. Durch schnellere Schaltfrequenzen kann das System die Größe passiver Komponenten (wie Transformatoren, Induktivitäten und Kondensatoren) reduzieren, wodurch die Leistungsdichte erheblich verbessert und die Stücklistenkosten des Gesamtsystems gesenkt werden.
3. Niedrige effektive Ausgangskapazität (Coss = 79 pF)
Der NVBG080N120SC1 verfügt über eine typische Ausgangskapazität von nur 79 pF, was dazu beiträgt, den Energieverlust während des Schaltvorgangs zu reduzieren und die Schalteffizienz weiter zu verbessern. Diese niedrige Kapazitätseigenschaft reduziert in Kombination mit der Hochfrequenzschaltfähigkeit des SiC-Materials effektiv die kapazitive Verlustkomponente in den Schaltverlusten, wodurch es sich besonders für Topologien wie Hochfrequenz-DC-DC-Umwandlung und LLC-Resonanzkreise eignet.
4. Hohe Zuverlässigkeit in rauen Umgebungen
Der NVBG080N120SC1 wurde zu 100 % einem Lawinentest unterzogen und bietet eine hervorragende Überspannungsimmunität und Robustheit, wodurch ein stabiler Betrieb unter rauen Bedingungen gewährleistet wird. Mit einem breiten Betriebstemperaturbereich der Sperrschicht von -55 °C bis +175 °C kann es in Umgebungen mit extremen Temperaturen langfristig stabil arbeiten.
5. Hervorragende Vorteile auf Systemebene
Basierend auf den oben genannten elektrischen Eigenschaften liefert der NVBG080N120SC1 erhebliche Leistungsverbesserungen auf Systemebene:
Maximale Effizienz: Durch die umfassende Optimierung geringer Leitungs- und Schaltverluste erreicht das System Spitzenwirkungsgrade von über 98 %.
Höhere Leistungsdichte: Höhere Schaltfrequenzen ermöglichen die Verwendung kleinerer magnetischer Komponenten und Filterkondensatoren, wodurch die Systemgröße erheblich reduziert wird;
Reduzierte EMI: Optimierte Schalteigenschaften und fortschrittliche Verpackungsprozesse unterdrücken effektiv elektromagnetische Störungen;
Reduzierte Systemgröße: Verbesserungen des Gesamtwirkungsgrads und der Leistungsdichte führen zu einem kleineren Gesamtsystem-Footprint und einem vereinfachten thermischen Design.

IV. Typische Anwendungsszenarien für dieNVBG080N120SC1
On-Board-Ladegeräte für Elektrofahrzeuge (OBC): Aufgrund seiner hohen Nennspannung und seines hohen Wirkungsgrads wird es in der PFC-Boost-Stufe und der DC-DC-Isolationsstufe eingesetzt, um die Ladeeffizienz zu verbessern.
Hochspannungs-DC/DC-Wandler (EV/HEV): Als Hauptschaltgerät wandelt er die Hochspannungsbatteriespannung (400 V/800 V) in eine Niederspannungssystemspannung (12 V/48 V) um.
Photovoltaik-Wechselrichter und Energiespeichersysteme: Werden in Boost-Schaltkreisen in String-Wechselrichtern verwendet und nutzen hohe Schaltfrequenzen, um die Induktorgröße zu reduzieren.
Industrielle Stromversorgungen und USV: Geeignet für Server-Stromversorgungen mit hoher Leistungsdichte und unterbrechungsfreie Stromversorgungssysteme (USV).

V. Mingjiada Electronics – Komplettanbieter vonNVBG080N120SC1
Mingjiada unterhält einen langfristigen Bestand an NVBG080N120SC1 1200-V-Siliziumkarbid-MOSFETs von ON Semiconductor. Wir liefern Originalprodukte mit großem Lagerbestand und unterstützen sowohl Kleinserienmuster als auch Großserienbestellungen. Durch ein effizientes Logistiksystem stellen wir eine schnelle Produktlieferung sicher.
Mingjiada Electronics betreibt mehrere Lager in Shenzhen und Hongkong und verfügt über ein Lagerportfolio von mehr als 2 Millionen SKUs, darunter integrierte Schaltkreise, diskrete Geräte, passive Komponenten und mehr. Wir unterstützen Musterbestellungen, Großbestellungen und die Beschaffung gemischter Chargen und bieten standardisierte Verpackungen, Großverpackungen und schnelle Versanddienste für verschiedene Beschaffungsszenarien, einschließlich F&E-Tests, Kleinserienproduktion und Großserienproduktion.

Um sich über die aktuellen Preise und die Lagerverfügbarkeit zu informieren oder Muster anzufordernNVBG080N120SC1, besuchen Sie bitte die Website von Mingjiada Electronics (https://www.integrated-ic.com/), um ein maßgeschneidertes Angebot und ein Datenblatt zu erhalten.